Résultats

L’objectif de ce travail était de calculer les indices effectifs d’une structure guidante du type GaN/InxGa1-xN (avec x = 0,38 soit In0,38Ga0,62N) ayant comme caractéristiques :

- L’indice de réfraction du superstrat n0=1 ,00. - L’indice de réfraction du film n1= 2,484 - L’indice de réfraction du substrat n2= 2,15 - La longueur d’onde λ= 359µm

Dans un premier temps, on a calculé les indices effectifs du guide plan en considérant l’indice du superstrat égale à 1 (air), quand à l’indice du guide d’onde GaN qui est égale à 2,484 en utilisant une longueur d’ondes de 359 µm.

La quasi-totalité de l'énergie des ondes guidées électromagnétiques était confinée dans les modes fondamentaux appelés TE0 et TM0. Chaque mode possède son indice effectif correspondant à une vitesse différente, inférieure à la fondamentale. Ainsi, l'objectif principal, pour concevoir un guide d'onde optique, est d'obtenir un seul mode guidé, correspondant au fondamental.

Dans une deuxième étape , on a évalué les indices effectifs en modifiant la

largeur du guide d'onde. Prenant une profondeur de 1 μm, on a initialement calculé

l'indice effectif du guide planaire et trouvé :

- Un indice effectif de neTE0 = 2.465 correspondant au mode électrique fondamental.

- Un autre indice effectif neTM0 = 2.460 lié au mode magnétique fondamental. La raison du choix d'une profondeur fixe et d'une largeur variée est qu'il est encore plus facile de modifier la largeur dans le processus de croissance que l'épaisseur de croissance épitaxiale.

Par la suite, afin de calculer les indices effectifs du microguide, nous avions pris : n0 =n2= 2,16 et l’indice du film dans ce cas serait l’indice effectif du guide plan

obtenu précédemment.

Pour une meilleure intégration, on a pris une profondeur de seulement 0,1µm et trouvé une différence importante dans les indices effectifs.

En utilisant plusieurs largeurs du guide d'ondes considéré, les deux modes TE transversal électrique et TM transversal magnétique ont été impliqués comme le montre les figures ci-dessous.

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Figure - 5- Les modes TE.

Pour les modes TE, la figure montre que le mode fondamental apparait à une largeur égale à 0,016 µm tandis que le second mode n’apparait qu’à plus de 0,157µm.

Cette structure –avec ces caractéristiques- est considéré comme un guide monomode qui ne guide qu’une seule onde jusqu’à l’augmentation de sa largeur, et de ce fait, l’apparition des autres modes. Par conséquent ; le guide devient multimode.

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Pour les modes TM ; le mode fondamental apparait à une largeur égale à 0,092 µm, tandis que le premier mode secondaire n’apparait qu’à partir de 0,229 µm.

Ensuite, au lieu de faire varier la largeur du guide d'onde, on a modifié le coefficient stœchiométrique.Il faut continuellement évaluer d'abord le guide d'onde planaire infini et par la suite l'injecter dans le guide d'ondes vertical.

La variation du coefficient stœchiométrique a montré qu’il est possible d’agir sur les dosages des compositions afin de contrôler les indices des alliages par leurs bandes interdites. De ce fait ; il est également possible d’obtenir un indice de réfraction précis en choisissant judicieusement les composais binaires dans la composition des alliages ternaires.

Figure-7- variation du gap en fonction de la fraction molaire.

Les résultats obtenus sont montrés dans la figure-8-. Concernant les modes TE, le mode fondamental apparait à une largeur de seulement 0,005µm. Par contre ; pour les modes TM le mode fondamental apparait à 0,016 µm de largeur.

Ces largeurs sont appelées largeurs de coupure ou d’extinction. En dessous de ces largeurs, le faisceau lumineux est diffusé dans le substrat et par conséquent il n'est pas guidé.

En augmentant progressivement la largeur du guide d'onde on obtient les autres modes appelés modes secondaires. Les modes suivants commencent aussi loin que 0,025 µm pour les modes TE et à 0,047 µm pour les modes TM.

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Figure - 8- Les modes TE et TM.

En continuant l’augmentation de la largeur du guide d’onde, on a pu constater que les indices effectifs qui augmentent graduellement tendent vers une valeur maximale ne l’atteignant jamais matérialisé par n1 l’indice de la structure guidante originale.

On en conclue qu’il y a une asymptote qui ne peut être franchie, et ce même si la largeur du guide atteint une valeur infinie.

Donc ; pour utiliser un seul mode de propagation ou pour avoir un guide d’onde monomode il faut prendre une largeur inférieure à 25 nm, sinon le premier mode

fondamental apparaitra et soustraira l’énergie du mode guidé. Si la largeur est augmentée, la quantité d'énergie guidée sera soustraite chaque fois qu'un autre mode apparaît.

Le tableau suivant montre les dimensions exactes de l’apparition de chaque mode.

Mode 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13

TE (nm) 5 25 50 75 100 120 150 184 217 250 284 317 350 384 TM (nm) 16 47 78 110 140 171 202 234 265 296 327 358 389 418

En conclusion ; on peut dire que l’apparition des modes guidés dépend principalement

des dimensions initiales de la structure guidante. Indépendamment de la longueur d’onde, plus la structure du guidage est petite ; plus les modes fondamentaux apparaissent en premier suivis des modes secondaires par la suite. Ceci est applicable et pour les modes TE et les modes TM.

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Conclusion

Dans ces travaux, on a calculé les indices effectifs d’une structure à base de GAN/InxGa1-xN ; même si ce semi-conducteur semble être très absorbant.

En réduisant les dimensions physiques du guide d’ondes, on a obtenu un mode guidé à partir d’une valeur très petite à savoir 5nm ; ce qui semble très intéressant. Puisque ; même avec une longueur d’onde de 0,359 µm, un mode guidé pourrait apparaitre à une très petite dimension conduisant à une meilleure intégration pour les futurs dispositifs d’optique intégrée.

Cela amène à dire que pour concevoir un guide d’onde monomode il serait suffisant de limiter la largeur du guide d’onde optique à 16 nanomètres. L’onde électromagnétique va se propager le long de ce guide d’onde monomode sans qu’il y ait un retard de phase à la réception.

Ce type de guides d'ondes optiques pourrait être utilisé dans un dispositif tout optique où l'émetteur transmet directement la lumière incidente vers le récepteur au lieu d'utiliser des connexions électriques.

Néanmoins, en raison de la grande absorbance d'une telle structure, il faut utiliser ce type de semi-conducteur juste à très courte distance.

Par conséquent, les résultats obtenus ont montré qu'il est adapté pour de courtes communications dans une seule puce d'un circuit intégré et en utilisant un émetteur laser GaN / InGaN et une liaison photodiode avec ce genre de guide d'onde pourrait non seulement économiser une grande quantité d'énergie électrique mais réduire le coût de la micropuce et accélérer la vitesse de transfert de l'information.

Finalement, les semi-conducteurs du type InGaN permettent de guider la lumière avec des dimensions de l’ordre des dizaines de nanomètres ce qui augure d’une grande intégration pour un premier résultat.

L’utilisation d’un émetteur à base d’InGaN et d’un récepteur réalisé dans ce même semi-conducteur, le tout relié par un guide d’onde réalisé aussi à base d’InGaN permettaient non seulement une énorme économie d’énergie mais aussi, vu l’ordre de grandeur des longueurs d’ondes en jeu, un étalement du spectre donc un élargissement de la bande passante.

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Conclusion générale

L’étude bibliographique, retranscrite dans les premiers chapitres, a permis dans un premier lieu l’analyse de la théorie du guidage optique tout en insistant sur les différentes approches permettant d’étudier le phénomène de propagation guidée, à savoir l’approche géométrique et ondulatoire. Et dans un second lieu, de comprendre le principe de fonctionnement des systèmes de transmissions et les réseaux optiques. L’étude bibliographique, a permis aussi de faire le tour sur les différentes technologies permettant d’atteindre le haut débit dans les réseaux optiques, en passant du réseau cœur jusqu’au réseau d’accès.

L’étude des différentes propriétés des semi-conducteurs de type III-nitrures était plus que nécessaire pour compléter la partie théorique de ce manuscrit.

Pour finaliser, une étude d’une chaine de transmission optique à très haut débit à base de semi-conducteur de type III-nitrures a été faite. En fait, les chaines transmission de l’information se faisaient à base de fils en cuivre. Une certaine amélioration fut introduite avec l’apparition des fibres optiques permettant de réduire grandement la consommation électrique et offrant une insensibilité aux perturbations extérieures. Cependant, le fait que les émetteurs et récepteurs soient à base de semi-conducteurs alors que le milieu intermédiaire qui transporte l’information soit conçu sur un guide d’onde à base de silice, il existe d’énormes pertes aux raccordements.

Nous avons pensé à remédier à ce grand inconvénient en remplaçant la fibre optique réalisée sur silice par un même continuum matériel en utilisant le même semi-conducteur aussi bien pour le système émission-réception que pour le transport de l’information. De ce fait, nous avons utilisé un semi-conducteur à base d’InGaN car les dimensions mises en jeu sont très réduites avec une efficacité accrue par rapport à un système classique à base de silicium. D’où ; l’obtention d’une chaine de transmission optique à très haut débit à base de semi-conducteur de type III-nitrures.

Cette conception reste théorique et doit être corroborée par la pratique vu que l’usage d’InGaN soit encore restreint aux pratiques classiques d’amplification ou de commutation des composants électroniques.

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Annexe 1 Processus d’interactions matière-