Réalisation et tests de reports

Nos premiers tests ont été effectués avec des reports sur silicium massif ou sur silicium recouvert d’une couche d’oxyde. La Figure III. 18 présente une photographie prise au

Or électrolytique Cuivre électrolytique

MEB de plots réalisés sur silicium massif en deux dépôts successifs de cuivre et recouvert d’or. Leur épaisseur totale est de 60µm. Nous noterons un léger décalage entre les deux dépôts successifs du à une erreur sur l’alignement des masques lors de la deuxième photolithographie.

Figure III. 18: Vue au MEB des premiers plots en cuivre et or

Ces plots réalisés, nos premiers tests de reports par thermo compression ont montré que les épaisseurs d’or et de cuivre étaient trop importantes : ceux-ci s’écrasaient sur de trop grandes surfaces comme le montre la Figure III. 19, où nous pouvons voir que les plots se chevauchent les uns sur les autres.

Figure III. 19: Photographie montrant l’écrasement des plots lors du premier test de report.

Suite à cela, nous avons optimisé les épaisseurs de cuivre et d’or. La Figure III. 20 montre plusieurs plots après un report réussi et le retrait de la puce. Nous pouvons voir que ces

derniers se sont déformés de manière uniforme et sans débordement excessif. Ces plots étaient constitués de 23µm de cuivre électrolytique et de 2µm d’or électrolytique. Cette couche d’or correspond bien à nos attentes puisque les membranes de nos MEMS sont réalisées avec cette couche et que leur épaisseur doit être de 2 µm.

Figure III. 20: Plots composés de 23µm de cuivre et de 2µm d’or après report par thermo compression.

Une fois la composition des plots établie, nous pouvons déterminer et optimiser les différents paramètres du report comme la pression, la température et le temps d’application. Pour cela nous avons réalisé plusieurs tests sur Silicium massif et sur oxyde de silicium. Ils ont été effectués suivant les conditions montrées sur la Figure III. 21, où Mt est le temps de montée à la température sélectionnée, Tt la durée d’application de cette température et Dt le temps de descente à la température ambiante, avec une même équivalence pour l’application de la pression avec les variables Mp, Tp et Dp. La commande en température n’était appliquée qu’au bras tenant la puce et non pas au substrat portant les MEMS, afin que ces derniers ne subissent pas de températures trop élevées. Pour ces tests, les puces reportées étaient simplement recouvertes d’une couche d’aluminium d’une épaisseur de 1µm.

Figure III. 21 : Conditions et paramètres du report Flip-Chip

Nous pouvons voir dans le Tableau III. 2 présentant les tests de report Flip-Chip sur oxyde de silicium, que certains paramètres se détachent par leur influence pour la réalisation de reports. En tenant compte des contraintes sur la température imposées par la présence des

Mt(s) Dt(s)T° Mp(s) Dp(s)

Tp(s)

Pression

MEMS RF, la valeur de la pression appliquée doit être supérieure ou égale à 30 kg et la température commandée ne doit pas excéder 250 °C. Quant aux différents temps, une légère variation de ceux-ci ne semble pas avoir une grande influence sur la tenue du report. La pression totale appliquée de 30kg correspond à une pression par plot de 1,4 kg. Cette forte valeur de la pression appliquée est justifiée par le fait que la température de la plaquette où sont réalisés les plots ne dépasse pas les 80 °C pour préserver les MEMS.

Il est à noter que les paramètres des reports sur silicium massif ou sur oxyde de silicium sont équivalents.

Test T° (°C) Mt/ T/ Dt (s) P (kg) Mp/ Tp /Dp (s) Résultats T° wafer (°C)

8 250 30 / 30 / 30 30 30 / 40 / 30 Collé 88 9 250 40 / 20 / 40 20 30 / 30 / 30 Non collé 92 10 250 40 / 30 / 40 20 30 / 30 / 30 Non collé 50 11 250 40 / 20 / 40 25 30 / 30 / 30 Non Collé X 12 250 40 / 20 / 40 30 30 / 30 / 30 Collé 71 13 250 40 / 20 / 40 40 30 / 30 / 30 Collé 67 14 250 40 / 20 / 40 35 30 / 30 / 30 Collé 74

Tableau III. 2 Tests de report Flip Chip sur Oxyde de silicium

Nous présentons sur la Figure III. 22 une vue au MEB d’un report d’une puce par Flip- Chip.

Figure III. 22 : Report d’une puce par assemblage Flip Chip

Une fois les paramètres de report définis, nous avons étudié la résistance électrique des plots et de nombreux tests sous pointes ont montré que cette résistance est inférieure à 1,2 Ω pour un plot d’une superficie de 70*65 µm². Cette valeur correspond à la valeur minimale mesurée, la résistance étant sans doute plus faible que cette valeur. En effet, la mesure est

effectuée en DC et le posé ainsi que la qualité des pointes ne nous permet pas d’avoir une meilleure précision.

En conclusion de ces Tests sur silicium massif et sur Oxyde de silicium, nous pouvons dire que nous avons élaboré des paramètres permettant de réaliser des reports Flip Chip en respectant les contraintes dues aux MEMS RF. Les tests électriques ont montré un bon contact électrique par le biais du plot entre la puce et le wafer et des tests radiofréquences sont à envisager pour étudier l’impact de ces plots sur le signal RF.

Nous allons maintenant présenter des tests de report avec des plots réalisés sur une couche de BCB, brique de base actuelle de notre filière MEMS RF. Pour cela nous avons repris les paramètres déterminés lors des précédents tests et qui sont indiqués dans le Tableau III. 3.

Test T° (°C) Mt/ T/ Dt (s) P (kg) Mp/ Tp /Dp (s) Résultats T° wafer (°C)

15 250 40 / 20 / 40 30 30 / 40 / 30 Non Collé 85 16 200 40 / 20 / 40 30 30 / 30 / 30 Non collé 87 17 300 40 / 30 / 40 25 30 / 30 / 30 Non collé 92

Tableau III. 3 : Tests de report Flip Chip avec des plots réalisés sur BCB

Aucun de ces reports n’a réussi et les premières constatations visuelles ont montré une déformation du BCB comme le montre la Figure III. 23. Nous pouvons ainsi constater que les plots ne sont plus sur le BCB mais sont restés collés sur la puce. Nous pouvons aussi voir que des marques ont été laissées par le contour de la puce, ce qui tend à démontrer l’enfoncement des plots dans le BCB. Afin de vérifier cette hypothèse, nous avons effectué quelques mesures au profilomètre optique dont une des vues de l’emplacement initial d’un plot est présentée sur la Figure III. 24. Cette dernière montre la forte déformation subie par le BCB suite à la tentative de report.

Figure III. 23 : vue de l’emplacement des plots suite à une tentative de report

Figure III. 24 : Vue au profilomètre optique de l’emplacement initial d’un plot après report

Il ressort de cette figure que le BCB s’est enfoncé sur environ 5 µm (pour rappel son épaisseur initiale était de 10 µm). Les liserais ou anneaux observés, atteignent en bordure, des hauteurs maximales d’une valeur de 18 µm.

Cette déformation est due à la forte valeur de la pression appliquée qui est la résultante de la faible température à laquelle la plaque est portée. Une réponse à cette problématique pourrait être d’ouvrir des fenêtres dans le BCB au niveau des plots, ce qui permettrait de faire croître directement ces derniers sur Silicium et consoliderait l’assise des vias lors du report. Nous n’avons malheureusement pas eu le temps d’effectuer ce test et de l’appliquer à notre LNA reconfigurable.

En conclusion de cette partie sur le report Flip-Chip, nous avons défini un procédé technologique de fabrication des plots compatibles avec la fabrication des MEMS RF. Des premiers test de report ont permis de définir d’une part la composition des plots métalliques requis, et d’autre part les conditions en température et pression du report par thermo-

compression. Pour l’instant, les reports effectués sur substrat avec BCB ont montré des difficultés avec l’enfoncement des plots dans le polymère. Une solution plus stable est néanmoins proposée et reste à tester. Une autre solution consisterait également à privilégier la conception et fabrication des structures MEMS RF sur substrat SiO2/SiN plutôt que BCB dans

le cas des reports des circuits intégrés par Flip-Chip. Nous n’avons bien sur pas choisi cette solution qui sous entend de concevoir à nouveau toutes nos capacités MEMS en conséquence.