Symboles utilisés ,

3. JFET boîtier métallique, canal

N

pour usages généraux et petite puissance.

4. JFET boîtier métallique, canal

N,

doubles.

4. JFET boîtier métallique, canal N, pour commu-tation.

5. NMOS boîtier métallique. 6. NMOS à double gate.

7. DMOS mono ou double gate.

8. JFET boîtier plastique, canal N pour usages généraux et petite puissance.

9. NMOS à double gate, boîtier plastique.

1

O.

DMOS doubles et à double gate.

11. FET pour applications grand public : mono et double gate, NMOS.

12. Boîtiers et brochages.

83

code de désignation

R Dispositifs sans jonction réalisés avec des matériaux tels que ceux que l'application principale et éventuellement l'appli-cation principale plus une indil'appli-cation relative à la fabrication lorsque celle-ci est nécessaire

A Diode de détection. diode mélanqeuse ou diode de commutation rapide

B Diode à variation de capacité

C Transistor pour audiofréquences (résistance thermique entre jonction et fond de boitier supérieure à 1 5 °C/W)

D Transistor de puissance pour audiofréquences' (résistance thermique entre jonction et fond de boitier inférieure ou égale à 1 5 °C/W) E Diode tunnel

F Transistor pour radiofréquences (résistance thermique entre jonction et fond de boitier supérieure à 15 °C/W)

G Dispositifs multiples composés d'éléments dissemblables

H Mesureur de champ

K Générateur à effet Hall en circuit magnétique ouvert. ex. : sonde de mesure magnétomètre L Transistor de puissance pour radiofréquences (résistance thermique entre la jonction et le

R Dispositif à déclenchement électrique présen-tant une caractéristique d'avalanche et des-tiné aux applications de commutation, ou de contrôle d'énergie (résistance thermique entre la jonction et le fond de boitier supérieure à 15 °C/W)

S Transistor destiné aux applications de commu-tation (résistance thermique entre la jonction et le fond de boitier supérieure à 1 5 °C/W) T Dispositif à déclenchement par signal

élec-trique ou lumineux présentant une caractéris-tique d'avalanche et destiné aux applications de commutation ou de contrôle d'énergie (résistance thermique entre la jonction et le fond de boitier inférieure ou égale à 15 °C/W) (1)

U Transistor de puissance destiné aux applica-tions de commutation (résistance thermique entre la jonction et le fond de boitier inférieure ou égale à 15 °C/W)

X Diode pour multiplicateur, par exemple varac-tor ou "step recovery diode"

Trois chiffres pour les dispositifs semi-conducteurs destinés plus particulièrement

symboles utilisés

VeE sat : tension de saturation collecteuraémetteur

Vos : tension drain-substrat

V(P)GS : tension grille-source au blocage Vs : tension du générateur

transistors à effet de champ canal N en boitier métallique

transistors à jonction

usages généraux et amplification petite puissance

C Valeurs à ne pas dépasser Caractéristiques à 25 °C

.'2

-~ ± Vos lo Ptot loss - V(P)GS Yfs Crs

Type ⁰ !Vosl (IG) (6) à 1 kHz à 1 kHz Boîtier

ci. X (à 1 MHz)

LU (V) (mA) (mW) (mA) (V) (mA/V) (pF)

BFW10 C 30 20 300(1) 8/20 <8 > 3,2(5) < 0,8 ^{TO-72 (a)}

BFW 11 C 30 20 300(1) 4/10 < 6 > 3,2(5) < 0,8 TO-72 (a) BFW 12 C 30 10 150(3) 1/5 < 2,5 > 2 < 0,8 TO-72 (a) BFW 13 C 30 10 150(3) 0,2/1,5 < 1,2 > 1 < 0,8 TO-72 (a) 2 N 3823(7) C (30) 110) 300(1) 4/20 < 8 > 3,2(5) (< 2) TO-72 (a)

transistors doubles

C Caractéristiques à 25 ^°C

. g

^{Valeurs à} ne pas dépasser

-~ Individuelles Appariement

Type

0

±

^{Vos lo Ptot loss V(P)GS} Crs /d-"VGs [-"VGs[

I -"

gos 1 loss 1 ^Boîtier

ci. X (3) à 1 MHz dT gfs ioss 2

LU (V) (mA) lmW) (mA) (V) (pF) (:,V/°C) ^(mV) X 10-⁶

BFQ 10 D 30 30 25012) o,5/10 0,5/3.5 < 1 < ⁵ < 5 < 10 1

±

0.03 ^TO-71 (j) BFO 11 D 30 30 250(2) 0,5/10 0,5/3,5 < 1 < ⁵ < 10 < 30 1 ± 0.05 ^TO-71 (j) BFQ 12 0 30 30 250(2) 0,5/10 0,5/3.5 < 1 < 10 < 10 < 30 1 ::r 0.05 ^TO-71 (j) BFQ 13 D 30 30 250(2) 0,5/10 0,5/3,5 < 1 < 20 --:: 10 < 30 1 -!:-0,05 ^TO-71 (j) BFQ 14 D 30 30 250(2) 0,5/10 o.5/3,5 < 1 < 20 < 15 < 30 1

±

0,08 ^TO-71 (j) BFO 15 0 30 30 250(2) 0,5/10 o.5/3,5 < 1 < 40 <'. 20 < 30 1 i 0, 1 ^TO-71 (j) BFQ 16 0 30 30 25012) 0,5/10 0,5/3,5 < 1 < 50 < 50 < 100 1 ± 0,2 ^TO-71 (j) BFS 21 C 30 20 30011) 4/10 < 6 < 40 < 75 <20 < 1 000 1 ± 0.05 2 X T0-72 BFS 21 A C 30 20 300(1) 4/10 < 6 < 50 < 40 < 10 < 500 1

±

0,05 ^{2 xT0-72}

commutation

C Valeurs à ne pas dépasser Caractéristiques à 25 °C

·;::; 0

± Vos IG Ptot 1oss VGs

Type ^~ ₀ ros on ¹on ¹ott Boîtier

(rds onl ci.

X (V) (mA) (mW) lmA) ((l) (V) lns) (ns)

LU

BSV78 D 40 50 35011) > 50 (< 25) 3,75/11 < 10 < 10 ^{TO-18 (a)} BSV79 D 40 50 350(1) > 20 (< 40) 2 / 7 < 15 < 15 TO-18 (a) BSV80 D 40 50 35011) > 10 (< 60) 1 / 5 < ¹ 5 < 25 ^{TO-18 (a)} 2N 3966(7) D 30 10 30011) > 2 (< ²²⁰⁾ 4 / 6 < 120 < 100 ^{TO-72 (a)} 2N 4091 D 40 10 1 800(4) > 30 ', 30 5 /10 < 25 < 40 TO-18 (a) 2N 4092 D 40 10 1 800(4) > 15 < 50 ^{2 / 7} < 35 < 80 TO-18 (a) 2N 4093 0 40 10 1 800(4) > 8 < ⁸⁰ 1 / 5 < 60 ^/ 80 ^{TO-18 (a)} 2N 4391 D 40 50 1 800(4) > 50 < 30 4 /10 < 15 < 20 ^{TO-18 (a)} 2N 4392 D 40 50 1 800(4) > 25 < 60 2 / 5 < 15 < 35 TO-18 (a) 2N 4393 0 40 50 1 800(4) > 5 < 100 0,5 / 3 < 1 5 < 50 TO-18(a) 2N 4856 D 40 50 360(1) > 50 (< 25) 4 /10 < 9 < 25 TO-18 (a) 2N 4857 D 40 50 360(1) > 20 (< 40) 2 / 6 _< 10 < 50 ^{TO-18 (a)} 2N 4858 D 40 50 36011) > 8 (< 60) 0,8 / 4 < 20 < 100 TO-18(a) 2N 4859 D 30 50 36011) > 50 (< 25) 4 /10 < 9 < 25 TO-18 (a) 2N 4860 D 30 50 36011) > 20 (< 40) 2 / 6 _< 10 < 50 TO-18(a) 2N 4861 0 30 50 36011) > 8 (< 60) 0,8 / 4 < 20 < 100 ^TO-18(a)

86

commutation ^(suite)

amplification contrôlée et changement de fréquence

C: Valeurs à ne pas dépasser Caractéristiques à 25 "C

Existe en boitier SOT-23 pour circuits hybrides (voir page 1 d).

i

transistors à effet de champ canal N en boitier plastique

transistors à jonction

usages généraux et amplification petite puissance

C Valeurs à ne pas dépasser Caractéristiques à 25 °C

·.:; 0

Type ^;è' +- Vos lo Ptot( 1)

ioss

-V(P)GS Yts

0 (IG) (3) _(-VGsl

o. à 1 kHz

w X IV) (mA) (mW) {mA) (V) (mA/V)

BC 264 A 0 30 (10) 300 2/4,5 > 0,5 < 2,5 BC 264 B 0 30 (10) 300 3,5/6,5 _{> 0,5 < 3,5}

BC 264 C 0 30 (10) 300 5/8 > 0,5 < 3,5

BC 264 D 0 30 (10) 300 7/12 > 0,5 < 4

BF 245 A 0 30 25 300(2) 2/6,5 0,5/8 3/6,5

BF 245 B 0 30 25 30012) 6/15 0,5/8 3/6,5

BF 245 C 0 30 25 30012) 12/25 0,5/8 3/6,5

BF 246 A 0 25 (10) 300(2) 30/80 0,6/14,5 > 8 BF 246 B 0 25 110) 300(2) 60/140 0,6/14,5 >8 BF 246 C 0 25 110) 30012) 110/250 0,6/14,5 >8 BF 256 A 0 30 110) 30012) 3/7 (0,5/7,5) > 4,5 BF 256 B 0 30 110) 300(2) 6/13 (0,5/7,5) > 4,5 BF 256 C 0 30 110) 30012) 11/18 I0,5/7,5) > 4,5

transistor MOS à 2 grilles isolées et protégées

amplification contrôlée et changement de fréquence

C Valeurs à ne pas dépasser Caractéristiques à Tamb = 25 °C

<:)

<u

Type C Vos lo P101I2) VG1S, VG2S F à f loss

Crs à 1 kHz

(pF) 1,2 1,2 1,2 1,2 1,1 1, 1 1, 1 3,5 3,5 3,5 0,7 0,7 0,7

Q. Yts

IV) (mA) lmW) IV) (dB) (MHz) (mA) (mA/V)

w X

BF 327 D* 20 50 200

<

3,8, < 3,4 2,3 200 20 à 55 16

Boîtier

TO-92 {a) TO-92 (a) TO-92 (a) TO-92 {a) TO-92 (a) TO-92 (a) TO-92 (a) TO-92 (b) TO-92 (b) TO-92 {b) TO-92 (a) TO-92 (a) TO-92 (a)

.Boîtier

SOT-103

double transistor D-MOS à 2 grilles isolées et protégées

modulation de fréquence

C Valeurs à ne pas dépasser à T amb

=

25 °C

0

"'

Type

-2 ^{Vos VGB lo Piot}

C. _X IV) IV) .(mA) (mW)

U.1

SD 6000 D* 20 -0,3 + 20 50 625 (1) Tamb:(25°C 12) Tamb(75°C

SOT-103

88

ampli. RF VTIV)

1,5

TO-92 (Variante)

Caractéristiques à Tamb

=

25 °C mélangeur 1oss

VTIV) If-LAI

2 <1

los off F à 1 I1-<A) (dB) 1GHz)

< 1 2,5

V {DIL-8)

0,1

Boîtier

V

transistors MOS canal N à 1 ou 2 grilles protégées

Valeurs à ne pas dépasser

Caractéristiques à 2 5 °C

Q.) C

(limites absolues)

,5,

0

0 ^·;:; Boitier Applications

Type 0 _{..c C} ·o ~ ioss

Vos VGY lo Ptot lmA)* ¹oott F f

ü Q. à

Q.) X

(V) (V) lmA) lmWI I:.,.A) l:.,.A)

f-- w ldB) (GHz)

BF 327 P-U 0 20 50 300 20 <3 0,2 SOT-103 2 grilles - Convertisseur VH F.

à 55*

SD200 0-R 0 25 ±. 40 50 300 <1 < 1 4,5 1 T0-72-a 1 grille - Ampli UHF.

SD 201 0-R 0 25 -0,3 à+ 10 50 300 < 1 < 1 5 1 T0-72-a 1 grille -Ampli UHF.

SD202 0-R 0 20 ± 40 50 300 < 1 <1 3,2 1 T0-72-a 1 grille - Ampli UHF.

SD203 0-R 0 20 -0,3à+ 10 50 300 < 1 < 1 3,2 1 T0-72-a 1 grille -Ampli UHF.

SD210 0-R 0 30 ± 40 50 300 <0,1 T0-72-a 1 grille -Commutation.

SD 211 0-R 0 30 -0,3 à+ 25 50 300 <0,1 T0-72-a 1 grille -Commutation.

SD212 0-R 0 10 + 40 50 300 <0,1 T0-72-a 1 grille - Commutation.

SD 213 0-R 0 10 -O]°à+ 25 50 300 <0,1 T0-72-a 1 grille - Commutation.

SD 214 0-R 0 20 + 40 50 300 < 0,1 T0-72-a 1 grille -Commutation.

SD 215 0-R D 20 -0,3à+25 50 300 <0,1 8 T0-72-a 1 grille - Commutation.

SD300 0-R 0 25 -0,3 à+ 10 50 300 < 1 8 1 T0-72-f 2 grilles -Ampli/mélangeur UHF/VHF.

SD303 0-R 0 25 -0,3 à+ 10 50 300 < 1 5,5 1 T0-72-f 2 grilles -Ampli/mélangeur UHF/VHF.

SD304 D-R D 20 -0,3à+ 10 50 300 < 1 5 0,5 T0-72-f 2 grilles -Ampli/mélangeur UHF/VHF.

SD305 D-R D 20 -0,3à+ 10 150 300 / 1 < 1 < 1,5 0,2 TO- 72-f 2 grilles -Ampli VHF FM et TV.

SD306 D-R D 20 -0,3 à+ 10 50 300 < 1 < 1 < 2,5 0,2 T0-72-f 2 grilles -Ampli VHF FM et TV.

SD 6000 D-R D 20 -Ô,3 à+ 20 50 300

<

^{1 < 1 2,5 V (OIL-8)} 2 grilles -Ampli RF/mélangeur FM.

transistors à effet de champ canal N

.'!! ^C Valeurs à ne pas dépasser Caractéristiques à 25 °C

Cl .2 !limites absolues) loss

0 -VGS (P)

:J Type 0 ^{C1l Yfs Crs}

C1l Vos= 15v

,:: C '6

±

Vos lo ou (IGI Ptot à 25 °C (- "ts l à 1 kHz à 1 kHz Boitier 2 _C1l ^..c ü a,

o.

X (à 75 °C) VGs= 0

~ ^f-- w (V) (mA) (mW) (mA) (V) (mA/V) (pF)

BC264A ^p D 30 (10) 300 2/4,5 > 0,5 < 2,5 1,2 T0-92 (a)

BC264 B p 0 30 (10) 300 3,5/6.5 > 0,5 <3 1,2 T0-92 (a)

BC 264 C p 0 30 (10) 300 5/8 > 0,5 < 3,5 1,2 T0-92 (a)

BC 264 D p 0 30 (10) 300 7/12 > 0,5 <4 1.2 T0-92 (al

BF 245 A ^p 0 30 25 (300) 2/6,5 0,5/8 3/6,5 1,1 T0-92 (a)

BF 245 B ^p 0 30 25 (300) 6/15 0,5/8 3/6,5 1,1 T0-92 (a)

BF 245 C p 0 30 25 (300) 12/25 0,5/8 3/6,5 1,1 T0-92 (a)

BF 246 A ^p 0 25 (10) (300) 30/80 0,6/14,5 >8 3,5 T0-92 (b)

BF 246 8 ^p 0 25 (10) (300) 60/140 0,6/14,5 >8 3,5 T0-92 (b)

BF 246 C p 0 25 (10) (300) 110/250 0,6/14,5 >8 3,5 T0-92 (b)

BF 256 A p 0 30 110) (300) 3/7 (O,Jî/7,5) > 4,5 0,7 T0-92 (a) BF 256 B p 0 30 110) (300) 6/13 (0,5/7,5) > 4,5 0,7 T0-92 (a) BF 256 C p 0 30 (10) (300) 11/18 (0,5/7,5) > 4,5 0,7 T0-92 (a)

89

boitiers

SOT-25

,

2 3

le,I - B E C

lc11- E B C

SOT37

--~ 1 -,·- 7.2m; ,- -I

1 -...2.lmox

1 .

¹

ll•.4 6,6 moa 1

i

- -J L : :::

SOT-42

Point (rouge, jaune ou vert)

90

SOT-103

TO-1

TO-1/01

8 C

l ~

_{& -}

' o!-

_'

1

É ,' 7,2mox

Dimensions en mm

1,5max

-

--rr-.--,- - - 1

!

~1 J

"}I ^{I d}

~•' __,. _ _ _ _ ___, - Cathode 1 ~ 1

, I .

^38,1

m,n _J

⁰

9₁4max

accessoire : 56200

T0-5

T0-18

s

1 2 (a) E B (b) s D

1

1

iSG__"'_"'J._ _

_)§J_m_l_e _ _ _ ..J

b relié au boîtier

accessoires: 56218, 56245 et 56265

(rn ^!

,t'

.,

! =

f =

5,]MH 12.7MÎII

3 C G 3 relié au boitier

accessoires : 56246 et 56263 T0-39

Qp

0,86 max 6,6 max 12,7 min x

5,1 _.,;

-~-~=t.===rl

X X

"'

"'

E E

st a,

c relié au boîtier

l :

~ =cî

accessoires : 56218, 56245 et 56265

3

I

5_3max 12.7mfn

1 2 3 4 5 6

(h) E, E, C2 B2 8,

c,

(j) S1

o,

G1 S2

o,

G,

tO ~

~

:;

T0-71 Toutes les connexions sont isolées du boîtier

T0-72

1 (a)

s

(b) D (c) K (d) E (e) 8 (f) D

T0-92 (variante)

2 D

s

Gk B E G,

3

G

G Ga C C

G,

4 0-8 0-B A 0 B

0-8 0

=

boîtier 8 = substrat

-::.i,-1_

¹

f

²

1 -

^{5.2ma, - 127mlo}

~ I

^j

1

0

~r=:::::i=;

i =:

^t

^~~:

4·8 _{2.5 0.65}

max max

l ..

-3

J I _

sur 2,5 max

0 non contrôlé

1 2 3 (a) D

s

^G

(b) D G

s

(c) Ga A K (d) E 8 C (e) 8 E C (f) 8 C E

accessoire: 56356 pourT0-92 (d) et (f) V(DIL-8)

9,6 max

8 5

D

^{1 4}

91

Tableaux complémentaires

Les FET de Sescosem

Le catalogue de Sescosem (Thomson-CSF) pro-pose des JFET

à

canal N, en boîtier métallique, des JFET canal

N

encore mais en boîtier plastique, des JFET doubles et des portes analogiques à FET.

Ces transistors sont regroupés dans les tableaux suivants. Les symboles utilisés sont les suivants :

• V(nR)ass est la tension de claquage gate-source, avec Vns

=

0 et la spécifié.

• lass, donnés en nanoampères (ou en picoampè-res s'il y a une astérisque) est le courant de fuite total de gate avec Vns

=

0 et Vas spécifié.

• lnss est le courant de drain pour Vm,,

=

⁰

avec Vns

=

0 et la spécifié.

• Y21s est l'admittance de transfert direct, sortie en court-circuit, en montage en source commune.

• Vas off est la tension gate-source de blocage.

• Cnss est la capacité d'entrée, sortie en court-circuit, en montage en source commune.

• C12ss est la capacité de transfert inverse avec entrée en court-circuit, montage en source com-mune.

• ruson est la résistance drain~source à l'état pas-sant.

• F est le facteur de bruit.

• f est la fréquence.

• VGs est la tension (continue) gate-source.

• Vcno est la tension (continue) collecteur-base (pour les portes analogiques

à

FET).

• hmi est la valeur statique du rapport de transfert direct du courant, en émetteur commun (pour les portes analogiques à FET).

93

Transistors à effet de champ, canal N /boitier métallique) Tamb = 25cc

VIBRIGSS ¹GSS ¹oss ^{y 21s} VGSoff c, 1ss c,2ss rDSon ^{F / f}

Type Case IV) (nA) (mA) (mSI (V) (pF) (pF) n ldBl ^(Hz),

Type Boirier (pAI* ;MHz)

min max ^min max ^min ma, min max max max max max

2N 3821 TO-72 -50 0,1 0,5 2,5 1,5 4,5 -4 6 3 5 10

2N 3822 TO-72 -50 0,1 2 10 3 6,5 -6 6 3 5 10

2N 3823 TO-72 -30 0,5 4 20 3,5 6,5 -8 6 2 2,5 100·

2N 3824 TO-72 -50 0,1 -8 6 3 250

*2N 3966 TO-72 -30 0,1 2 -4 -6 3 1,5 220

*2N 4091 TO-18 -40 0,2 30 -5 -10 16 5 30

*2N 4091 A TO-18 -50 25 • 30 -5 -10 16 5 30

*2N 4092 TO-18 -40 0,2 15 -2 -7 16 5 50

*2N 4092 A TO-18 -50 25* 15 -2 -7 16 5 50

*2N 4093 TO-18 -40 0,2 8 -1 -5 16 5 80

*2N 4093 A TO-18 -50 25* 8 -1 -5 16 5 80

*2N4117 TO-72 -40 10 • 0,03 0,09 0,07 0,21 -0,6 -1,8 3 1,5

*2N4117A TO-72 -40 1. 0,03 0,09 0,07_ 0,21 -0,6 -1,8 3 1,5

*2N4118 TO-72 -40 10· 0,08 0,24 0,08 0,25 -1 -3 3 1,5

*2N 4118 A TO-72 -40 1. 0,08 0,24 0,08 0,25 -1 -3 3 1,5 'P.2N 4119 TO-72 -40 10· 0,2 0,6 0,1 0,33 -2 -6 3 1,5

*2N4119A TO-72 -40 1. 0,2 0,6 0,1 0,33 -2 -6 3 1,5

*2N 4220 TO-72 -30 0,1 0,5 3 4 -4 6 2

*2N 4220 A TO-72 -30 0,1 0,5 3 1 4 -4 6 2 2,5 100

*2N 4221 TO-72 -30 0,1 2 6 2 5 -6 6 2

*2N 4221 A TO-72 -30 0,1 2 6 2 5 -6 6 2 2,5 100

*2N 4222 TO-72 -30 0,1 5 15 2,5 6 -8 6 2

*2N 4222 A TO-72 -30 0,1 5 15 2,5 6 -8 6 2 2,5 100

*2N 4391 TO-18 -40 0,1 50 150 -4 -10 14 4 30

*2N 4392 TO-18 -40 0,1 25 75 -2 -5 14 4 60

*2N 4393 TO-18 -40 0,1 5 30 -0,5 -3 14 4 100

*2N 4416 TO-72 -30 0,1 5 15 4,5 7,5 -6 4 0,9 4 400•

*2N 4416 A TO-72 -35 0,1 5 15 4,5 7,5 -2,5 -6 4 0,8 4 400*

2N 4446 TO-18 -25 3 100 -2 -10 50 25 10

ESM 4446 TO-18 -25 0,2 100 -3 -10 50 25 8

2N 4448 TO-18 -20 3 100 -2 -10 50 25 12

ESM 4448 TO-18 -25 0,2 50 -1 -5 50 25 12

2N 4977 TO-18 -30 0,5 50 -4 -10 35 8 15

2N 4978 TO-18 -30 0,5 15 -2 -8 35 8 20

2N 4979 TO-18 -30 0,5 7,5 -0,5 -5 35 8 40

"'2N 5432 TO-18 -25 0,2 150 -4 -10 30 15 5

*2N 5433 TO-18 -25 0,2 100 -3 -9 30 15 7

*2N 5434 TO-18 -25 0,2 30 -1 -4 30 15 10

*

Preferred device

Dispositif recommandé

94

Transistors à effet de champ canal N (boîrier plastique) Tamb = 25cc

VIBRIGSS 1

GSS 1oss' y 21s VGSofl c,,ss c,2ss rDSon F / ^f

Type Case IV} lnAI lmAI lmSI IVI lpFI lpFI l! ldBI (kHz),

Typ, Boirier min max m,n max m,n max min max max

.

max ' max max ^(MHz}

*2N 3819 TO-92 -25 2 2 20 2 6,5 -8 8* 4*

BC 264 F 139 B -30 10 2 12 2,5 -0,5 -8 4 1,2 2

BC 264 A F 139 B -30 10 2 4,5 2,5 -0,5 -8 4 1,2 2

BC 264 B F 139 B -30 10 3,5 6,5 3 -0,5 ~8 4 1,2 2

BC 264 C F 139 B -30 10 5 8 3,5 -0,5 -8 4 1,2 2

BC 264 D F 139 B -30 10 7 12 4 -0,5 -8 4 1,2 2

BF 245 F 139 B -30 5 2 25 3 6,5 -0,5 -8 4 1,1 BF 245 A F 139 B -30 5 2 6,5 3 6,5 -0,5 -8 4 1,1 BF 245 B F 139 B -30 5 6 15 3 6,5 -0,5 -8 4 1,1 BF 245 C F 139 B -30 5 12 25 3 6,5 -0,5 -8 4 1,1 BF 247 F 139 B -25 5 10 300 8 -0,6 -14.5 15 3,5 BF 247 A F 139 B -25 5 30 80 8 -0,6 -14.5 15 3,5 BF 247 B F 139 B -25 5 60 140 8 -0,6 -14.5 15 3,5 BF 247 C F 139 B -25 5 110 250 8 -0,6 -14.5 15 3,5

BF 256 F 139 B -30 5 3 18 -0,5 -7,5 4,5 1,2

BF 256 A F 139 B -30 5 3 7 -0,5 -7,5 4,5 1,2

BF 256 B F 139 B -30 5 6 13 -0,5 -7,5 4,5 1,2 BF 256 C F 139 B -30 5 11 18 -0,5 -7,5 4,5 1,2

*ESM 4091 F 139 B -30 30 -5 -10 28 5 30

*ESM 4092 F 139 B -30 15 -2 -7 28 5 50

*ESM-4093 F 139 B -30 8 -1 -5 28 5 80

ESM 4302 F 139 B -30 0,5 5 -4 6 3 2

ESM 4303 F 139 B -30 4 10 2 -6 6 3 2

ESM 4304 F 139 B -30 0,5 15 -10 6 3 3

* Preferred device 0 Plastic case

Dispositif recommandé Boitier plastique

Transistors doubles à effet de champ, canal N

v(BR)GSSl'GSS~ 1

oss

^Y21s

I

VGSofflc11ssr12ss ^{Matching -}Appariement

Type _Type

lcase

_Boitier ^{(V) (nA) (mA) (mS) (V) (pF) (pF)}

(pA) y 21 sil DSS IV GS 1-V GS21l\V GS/l\T

min max min-max min-max min-max max max (%) (%) (mV) (µV/°C)

*ESM 25 TO-71 -30 0,1 0,5-10 1 - 5 -0,7-4,5 6 2 20 20 25 80

*ESM 25A TO-71 -30 0,1 0,5-10 1 -5 -o.7-4,5 6 2 20 20 20 50

*2N 5198 TO-71 -50 25* 0,7-7 1- -0,7-4 6 2 5 5 10 20

*2N 5199 TO-71 -50 25* 0,7-7 1- -0,7-4 6 2 5 5 15 40

Portes analogiques à transistors FET Tamb ⁼ 250 C

Type Case Ptot VGSS VCBO h21E / 1c 'oSon ton 1off

Type Bottier _{lmW) IV) IV} lmA) (ni (µsi (µs\}

min-max max. max. max.

SF.T 7001 F 100 800 30 -40 40 min -10 100 0.7 0.7

SF.T 7002 F 100 800 30 -40 40 min -10 100 0,7 0,7

SF.T 7003 F 100 800 30 -40 40 min -10 50 0.7 0.7

SF.T 7004 F 100 BOO 30 -40 40 min -10 50 , 0,7 0,7

* Preferred device

Dispositif recommandé

96

Bibliographie de base

sur les transistors à effet de champ

Pour en savoir davantage, on pourra se référer aux ouvrages suivants essentiellement axés sur les JFET :

• Transistors à effet de champ, par J.-P. Oehmi-chen, publié par les Editions Radio. C'est l'ouvrage de base de référence.

• An introduction to Field Effect Transistors, par J. Watson, plaquette (en anglais) éditée par Siliconix.

• Manuel d'application Transistors à effet de champ, édité par Sescosem (Thomson-CSF), qui comporte de très nombreux schémas d'applica-tions.

• Field-Effect Transistors, par Leonce J. Sevin, dans la série des ouvrages de Texas Instruments, où l'on trouvera développée la théorie des JFET (Editions Radio).

Et plus particulièrement pour les MOS, à :

• Circuits intégrés FET, MOS et CMOS, par H. Li/en, aux Editions Radio, où sont développées les caractéristiques des MOS et leurs technologies.

• MOSFET in Circuit Design, par R.H. Crawtord, dans la collection Texas Instruments (distribuée par les Editions Radio), où est développée la théorie du MOS.

Dans le document ■ FABRICANTS ET (Page 84-0)