Dispositifs photovoltaïques

Actuellement, les sources d’énergie non renouvelables fournissent plus de 80 % de la demande mondiale en énergie. Par énergie non renouvelable on entend une source d’énergie qui ne se renouvelle pas et qui finit par s’épuiser à un moment donné, en voici quelques exemples : les combustibles fossiles (charbon, le gaz naturel et le pétrole) et l’énergie nucléaire. Au rythme actuel de la consommation mondiale, particulièrement pour les combustibles fossiles, les réserves seront épuisées dans une centaine d’année [94]. De plus, le dioxyde de carbone CO2, principal gaz à effet de serre, émis lors de l’utilisation de ces énergies non renouvelables, contribue au réchauffement climatique et peut potentiellement affecter notre écosystème de façon irréversible.

A l’opposé, les énergies renouvelables basées sur l’exploitation des sources inépuisables d’énergie telles que le soleil, le vent, l’eau constituent de plus en plus une voie très prometteuse pour faire face aux nombreux problèmes de réchauffement climatique et de pollution dus à l’émission des gaz

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à effet de serre. L’exploitation du soleil pour produire de l’électricité, communément appelée effet photovoltaïque (PV), a été découverte par Edmond Becquerel en 1839. Elle se produit quand un matériau semiconducteur absorbe un photon et génère une tension ou un courant électrique. Les photons composant le rayonnement solaire proviennent de la fusion des atomes d’hydrogène en atomes d’hélium. Cette réaction de fusion produit une énergie phénoménale. Sur la figure 2.15, il est représenté le spectre du rayonnement solaire correspondant au AM1.5 (AM : air mass) utilisé comme référence pour tester les dispositifs PVs. Par définition, AM1.5 correspond au spectre solaire après avoir traversée l’atmosphère, lorsque le soleil fait un angle de 48.19° par rapport au zénith. Tel que montré sur la figure 2.15, le spectre solaire est constitué de photons UV, visible et infrarouge. Ces derniers constituent respectivement 9, 43, et 48 % du nombre total de photons. Les dispositifs PV au silicium, plus répandus, laissent inexploitable une grande partie du spectre solaire (photons de longueur d’onde ʎ > 1100 nm) représentant la moitié des photons émis par le soleil et arrivant sur terre. En effet, l’utilisation des NPs semiconductrices de bande interdite contrôlable permet d’exploiter à tout le moins une plus large partie du spectre solaire (surtout la partie infrarouge) et constitue une manière d’augmenter la performance des dispositifs PV.

Figure 2.15Spectre solaire AM1.5 et représentation de la partie du spectre absorbée par un dispositif PV au silicium cristallin (la flèche indique la bande interdite du silicium).

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2.4.1.1 Diode p-n : base de fonctionnement d’un dispositif PV

Les dispositifs PVs fonctionnent tous de manière similaire. Pour expliquer les bases de leur fonctionnement, nous nous limiterons à la description du principe de fonctionnement des diodes p- n qui sont similaires aux cellules solaires.

Une diode p-n est un matériau semiconducteur comportant deux parties : une partie dopée n où les électrons sont en excès (trous minoritaires) et une partie dopée p où les électrons sont en déficit (trous majoritaires). Les semiconducteurs n et p dans le cas du silicium sont obtenus en ajoutant respectivement des atomes de phosphore (P) et de bore (B) dans la structure du silicium par exemple. Le dopage peut être réalisé par implantation ionique ou par diffusion thermique. Par ailleurs, lors de la mise en contact des deux parties n et p, les électrons et les trous se déplacent spontanément de part et d’autre du semiconducteur pour créer à l’équilibre une zone neutre appelée zone de charge d’espace (ZCE) où règne un champ électrique E qui empêche désormais les charges de circuler (voir figure 2.16).

Figure 2.16 Illustration schématique d’une jonction p-n avec l’aide des diagrammes de bande. BC, BV et NF représentent respectivement la bande de valence, de conduction et le niveau de fermi.

Sous obscurité, le courant généré par unité de surface (ou densité de courant, Jobscurité) du dispositif soumise à une rampe de tension V peut être modélisée comme suit :

Eq 2-8 𝐽(𝑉)𝑜𝑏𝑠𝑐𝑢𝑟𝑖𝑡é = 𝐽0(𝑒

𝑒𝑉 𝛼𝐾𝑇− 1)

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Avec e la charge élémentaire de l’électron ; V la tension aux bornes de la jonction ; K la constante de Boltzmann ; T la température ; Jo le courant de saturation de la diode et α le facteur d’idéalité de la diode.

Eq 2-9 𝐽₀ =𝑒𝐷𝑛𝑁𝑝

𝐿𝑛

Figure 2.17 Caractéristique d’un dispositif PV sous obscurité (courbe noire) et sous illumination (courbe rouge) avec le spectre solaire AM1.5.

Jo dépend des recombinaisons (en d’autres termes, des pertes de charges). Il est relié à Dn, Ln et Np représentant respectivement la diffusivité des électrons, leur longueur de diffusion et leur densité dans la zone p.

Sous illumination avec le rayonnement solaire, une diode qui génère du photocourant est appelée dispositif PV ou cellule solaire. Le photocourant provient de la création de paires électron-trou (e-p) qui, sous l’effet du champ électrique se séparent spontanément. Les électrons se déplacent vers la zone n tandis que les trous se déplacent vers la zone p. Ce déplacement de charges crée un courant photogénéré (Jphotogénéré) qui affecte le courant total (Jéclairement) qui passe à travers la diode.

Eq 2-10 Jéclairement= Jobscurité− Jphotogénèré

La courbe J-V de la diode (figure 2.17), sous éclairement avec le spectre AM1.5, permet de déduire les 4 principaux paramètres d’un dispositif PV :

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 Jsc : densité de courant maximale générée sous illumination avec le spectre solaire à tension nulle.

 Voc : la tension de circuit ouvert, c’est-à-dire quand aucun courant ne circule à travers le dispositif. Elle peut aussi être théoriquement déterminée à partir de l’équation :

Eq 2-11 𝑉_𝑜𝑐 =𝐸𝑓𝑛−𝐸𝑓𝑝

𝑒

Avec Efn et Efp les positions respectives des niveaux de Fermi dans l’échelle des énergies des différents types de semiconducteurs n et p.

 η : le rendement de conversion du dispositif correspondant au rapport de la puissance électrique maximale générée (VmJm) sur la puissance du spectre solaire (PAM1.5 = 100 mW.cm-2).

 FF : le facteur de forme qui représente le ratio entre la puissance débitée par le dispositif sur la puissance idéale, c’est-à-dire dans les conditions où les pertes provenant des résistances shunt et série sont nulles. La résistance série (Rs) représente la résistance interne du dispositif qui dépend principalement de la résistivité des matériaux constituants celui-ci et des grilles collectrices, alors que la résistance shunt (Rsh) correspond à la présence de courant de fuite. Dans le cas idéal, Rs est nulle et Rsh infinie. Géométriquement, Rs et Rsh sont respectivement l’inverse de la pente de la courbe I(V) à la tension à circuit ouvert (Voc) et l’inverse de la pente de la courbe I(V) au point de court-circuit (Isc).

2.4.1.2 État de l’art des dispositifs PVs à base de NPs et de NHs

Les cellules solaires à base de silicium sont les plus abondamment fabriquées et commercialisées. Leur rendement de conversion maximal actuel est encore relativement modeste (13 – 24 %) malgré les nombreuses années de recherche qui leur ont été consacrées [95]. Les approches nouvelles adoptées par les chercheurs pour améliorer le rendement des dispositifs PVs reposent souvent sur l’utilisation de nouveaux matériaux ou la combinaison de différents matériaux. Dans ce contexte, de nombreux groupes à travers le monde travaillent sur l’intégration des NPs et les NHs dans les dispositifs PVs. Jusqu’à très récemment, les NPs et les NHs utilisés dans les cellules solaires étaient

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en majorité synthétisées en solution. Les NPs préparées en solution comportent certains avantages parmi lesquels on peut citer la compatibilité avec une très grande variété de substrats (flexibles et à faible coût) et le coût de synthèse faible comparé aux technologies du silicium. Cependant, elles souffrent de problèmes de stabilité et de conductivité électrique. Bien que le rendement de conversion des dispositifs fabriqués à base de NPs et de NHs soit encore faible, il a néanmoins connu une croissance très remarquable au cours des dernières années. Tel que montré sur la figure 2.18, le rendement de conversion est passé de 1.8 % en 2008 à 8.5 % en 2013 [96, 97]. Les causes principales de cette augmentation fulgurante du rendement de conversion sont principalement l’adoption de nouvelles architectures pour ces types de dispositifs et l’amélioration des techniques de synthèse chimique, notamment le traitement de surface des NPs et le remplacement des ligands entourant les NPs par des ligands très courts (0.7 nm par 0.1 nm) [58].

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Figure 2.19Représentation schématique des principales architectures utilisées dans les dispositifs PVs à base de NPs semiconductrices : (a) Schottky junction [98], (b) depleted heterojunction [97], (c) depleted

bulkheterojunction [99], (d) bulk nanoheterojunction [100].

Parmi tous les NPs semiconductrices, les NPs de la famille des chalcogénures de plomb telles que les NPs de PbS, sont considérées comme les meilleures NPs pour les applications PV à cause de la possibilité de contrôler leur bande interdite de l’infrarouge au visible. Les plus récentes avancées sur l’amélioration du rendement de conversion ont été obtenues avec les NPs de PbS déposées sur des semiconducteurs de large bande interdite tels que le TiO2 et ZnO [97, 99]. Les différentes architectures des dispositifs PV qui sont étudiées dans la littérature et les rendements de conversion record obtenus sont représentées sur la figure 2.19 (nous avons gardé les appellations anglaises des différentes architectures).