a Cellules à phase discrète

Les deux composants les plus utilisés pour obtenir une cellule déphaseuse reconfigurable à

phase discrète sont les diodes PIN et les commutateurs MEMS RF.

Les diodes PIN se caractérisent par leur maturité technologique du fait qu’elles sont issues de

la technologie des semi-conducteurs. Néanmoins, les commutateurs MEMS RF présentent

plusieurs avantages tels que les faibles pertes d’insertion, une consommation quasi-nulle en

puissance et une fréquence de coupure élevée (supérieure à celle des diodes PIN). En

contrepartie, le commutateur MEMS RF nécessite une tension d’activation élevée, sa vitesse de

commutation est moins bonne que celle des diodes PIN et sa technologie présente encore des

problèmes de fiabilité.

Dans ce qui suit, quelques exemples de cellules déphaseuses à variation de phase discrète pour les réseaux réflecteurs reconfigurables sont donnés.

Une version active de la cellule patch rattaché à un stub, présenté au paragraphe 1.6.1.a, est proposée dans [31]. Le contrôle de la longueur du stub et ainsi de la longueur du trajet parcouru

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par le courant induit dans le patch se fait par l’intermédiaire d’une diode PIN introduite dans le

stub (cf. Fig. 1.25). La phase de l’onde réfléchie est modifiée de 180° conformément à l’état de la diode (On/Off) ; un déphaseur 1-bit est donc obtenu.

Fig. 1.25 : Cellule active patch rattaché à un stub chargé par une diode PIN.

D’autres cellules déphaseuses 1-bit, réalisées en technologie multicouche, ont été proposées par Montori [75, 76]. Elles sont basées sur un changement de polarisation entre champ incident et champ réfléchi. Ces cellules utilisent un patch couplé à trois lignes coplanaires comme le

montre la Fig. 1.26. La première cellule fonctionnant en bande Ku, utilise deux diodes PIN pour

assurer la reconfigurabilité ; la seconde adaptée à un fonctionnement autour de 77GHz, utilise

deux commutateurs MEMS. Malgré la faisabilité de ce type de cellule, un seul bit reste

insuffisant pour éviter les effets préjudiciables de l’erreur de quantification sur le rayonnement et pour assurer une reconfigurabilité importante du diagramme [72].

Fig. 1.26 : Cellules déphaseuses 1-bit chargées : par des commutateurs diode PIN (a) et par des commutateurs MEMS (b).

Une solution reconfigurable, inspirée de la solution passive de [61], a été proposée par Bayraktar dans [77]. Les simulations ont montré la possibilité d’utiliser un patch couplé par une

fente à une ligne chargée par des MEMS (cf. Fig. 1.27) pour contrôler la phase de l’onde

réfléchie. Ensuite, un dépointage de 40° a été démontré expérimentalement sur un prototype de

10x10 éléments chargé par 90 commutateurs MEMS [78]. Ce réseau réflecteur reconfigurable à

X Y diode PIN X Y X Y diode PIN MEMS (a) (b)

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base de MEMS est le premier prototype opérationnel qui emploie un grand nombre de

commutateurs MEMS répartis sur un grand panneau, ce qui démontre le potentiel de la

technologie des MEMS RF pour les antennes de grande taille.

Fig. 1.27 : Cellule patch couplé via une fente à une ligne chargée par des commutateurs MEMS.

Une cellule 2,5-bit a été proposée dans [35]. Elle est constituée d’un ensemble de 6 dipôles

réunis autour d’une pastille centrale et chargée par 12 commutateurs MEMS (cf. Fig. 1.28). Un

seul dipôle est actif par état, c'est-à-dire que les deux MEMS reliant les deux brins du dipôle

concerné à la pastille centrale sont à l’état passant. D’autre part, la cellule duale dite spiraphase a montré sa faisabilité pour la réalisation des antennes réseau réflecteur reconfigurables à base de

diodes PIN [79, 80]. Huit stubs inductifs sont uniformément rattachés, via des commutateurs, à la

circonférence d’une fente circulaire (cf. Fig. 1.29). À chaque instant, un stub n’est pas court-circuité, un déphaseur 3-bit est ainsi garanti. Lorsque deux stubs diamétralement opposés ne sont pas court-circuités, quatre états de phase sont assurés au lieu de huit et le nombre de bits équivalent est réduit à 2. Ces deux cellules sont adaptées pour le fonctionnement en polarisation

circulaire. Le jeu de contrôle de l’état des MEMS et des diodes de ces deux cellules assure une

rotation du motif, la phase réfléchie est proportionnelle à deux fois l’angle de rotation.

Fig. 1.28 : Cellule 2,5-bit à dipôles chargée par des commutateurs MEMS.

patch

fente ligne

MEMS

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Fig. 1.29 : Cellule spiraphase chargée par des commutateurs à diode PIN.

Une cellule qui dérive de la cellule passive patch à fente est proposée dans [81]. Elle est constituée d’un patch chargé par deux fentes à longueurs contrôlées par un nombre

surdimensionné de commutateurs MEMS (cf. Fig. 1.30), afin d’offrir la possibilité

d’autocorrection de la phase réfléchie lorsqu’un MEMS tombe en panne. Cette cellule permet la

réalisation d’un réseau réflecteur reconfigurable à base de MEMS malgré le problème de fiabilité

de ces derniers.

Fig. 1.30 : Cellule patch à fentes chargée par des commutateurs MEMS.

Une cellule prometteuse à base de MEMS est proposée par Julien Perruisseau-Carrier dans

[40]. Cette cellule, illustrée dans Fig. 1.31, utilise des pseudo-anneaux chargés par des MEMS.

Elle fonctionne en simple polarisation linéaire et assure un nombre de bits équivalent égal à 5. Le

nombre de MEMS nécessaire pour garantir les 32 états de phase est doublé afin de maintenir un

plan de symétrie vertical dans la cellule et afin de réduire la polarisation croisée. De plus les pertes sont inférieures à 0,3dB pour quasiment tous les états et leur répartition est satisfaisante même pour un angle d’incidence allant jusqu’à 60°.

Fig. 1.31 : Cellule 5-bit à pseudo-anneaux chargés par des MEMS.

v v fente circulaire stub inductif diode PIN patch fente MEMS MEMS

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Une dernière cellule déphaseuse à base de diodes PIN est la cellule proposée par R. Pereira

dans [82]. Elle est formée de deux dipôles orthogonaux chargés chacun par quatre diodes PIN

activés deux à deux pour conserver la symétrie (cf. Fig. 1.32). Cette cellule est adaptée pour le fonctionnement en double polarisation linéaire et a été optimisée pour assurer un contrôle indépendant de la phase dans les deux polarisations. Un nombre de bits équivalent de 1,7 et des pertes inférieures à 1,3dB sont obtenus sur 2,5% de bande passante.

Fig. 1.32 : Cellule 2-bit à dipôles orthogonaux chargés par des diodes PIN.

Il est intéressant de noter que, dans le cas des cellules à variation discrète de la phase, le nombre de bits équivalent est directement lié, sans forcément être égal, au nombre d’éléments

actifs utilisés. Considérons la cellule de Fig. 1.31 chargée par 10 commutateurs MEMS, deux

MEMS situés de part et d’autre du plan de symétrie vertical de la cellule sont activés

simultanément ; cinq commandes différentes sont donc nécessaires pour le contrôle de la cellule, d’où le déphaseur 5-bit obtenu. Le nombre de bits est par conséquent égal au nombre de commandes différentes qui permettent de contrôler les composants actifs de la cellule. Un

nombre de bits équivalent égal au nombre des MEMS est obtenu lorsque les MEMS sont

contrôlés indépendamment. L’un des principaux défis lors de la conception d’une antenne réseau réflecteur est donc de concevoir une cellule déphaseuse assurant un nombre de bits équivalent maximal avec le minimum de composants actifs et le minimum de pertes.