Calibration des flux d’éléments III et V

Comme nous le verrons par la suite, l’optimisation des flux III et V est essentielle pour une amélioration des qualités structurale et optique des matériaux à base d’antimoine. Le rapport de flux V/III s’avère être dans certain cas un paramètre plus critique encore que la température de croissance.

Les éléments III étant les moins volatils, la directivité de leur flux permet une mesure relative avec la jauge Bayard-Alpert. Le flux III mesuré en terme de pression équivalente à une

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température donnée de la cellule, est de plus reproductible dans le temps. Ce sont toujours les éléments III qui conditionnent la vitesse de croissance. Puisque l’épitaxie est réalisée sous excès d’éléments V, la vitesse ou le flux d’éléments III sont alors déduits des oscillations RHEED.

Le cas est plus litigieux pour les éléments V tels que l’arsenic ou l’antimoine, car leur plus grande volatilité rend la mesure des pressions difficile et approximative. La solution qui consiste à calibrer les flux V par oscillation RHEED paraît plus séduisante, mais se révèle encore plus complexe à mettre en oeuvre.

3.3.1 Mesure des pressions partielles pour les éléments III & V

Les mesures des pressions partielles des éléments peuvent être assimilées à la mesure des flux atomiques, mais elle ne constitue qu’une mesure relative qui dépend de la géométrie de l’EJM et qui est donc non reproductible d’un bâti à l’autre. Elle a l’avantage d’être rapide et facile de mise en oeuvre, puisqu'il suffit de positionner la jauge à vide dans le lobe d’évaporation du flux.

De fait la mesure des flux d’éléments III dont les lobes d’expansion sont plus directionnels sera plus représentative que pour les éléments V. Pour nos calibrations des pressions III et V, la valeur que nous retenons est le maximum de pression trouvé en déplaçant la jauge à vide. Toutefois il faut noter pour la mesure des éléments V que leur volatilité peut induire une double mesure des atomes, qui passent une première fois à travers la grille de la jauge et la retraversent après avoir rebondi sur une surface en arrière. À titre d’exemple la mesure de pression d’As suit après l’ouverture du volet une composante transitoire qui est représentative du flux d’atomes incident durant une vingtaine de secondes. Au-delà cette mesure continue à augmenter avec une pente moins marquée qui est représentative du retour des atomes après réflexion. Dans ce cas nous retenons la mesure au bout de 20 secondes, c’est à dire au moment où la montée en pression change de pente.

Pour sa part l’évolution de la pression mesurée de Sb passe par un maximum et se stabilise à une valeur constante qui sera celle prise en compte.

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3.3.2 Flux III incorporés déduits des oscillations RHEED

Comme l’ont observé Neave et Joyce (Neave, 1983), les oscillations d’intensité RHEED correspondent exactement aux taux d’éléments III incorporés, ceci pour une croissance normale i.e. en excès d’éléments V (cf. § 2.4.1.c). C’est de cette manière que les flux d’éléments III sont généralement calibrés en fonction de la température de la cellule à effusion ou de la pression partielle mesurée avec la jauge à vide.

L’illustration d’oscillations RHEED liées aux flux de Ga (GaSb) et de In (InAs) est donnée sur la figure 3.4. Il faut noter que le substrat de GaSb donne accès à la calibration de trois éléments III distincts (Ga, Al, In), du fait de la proximité des mailles atomiques de GaSb, InAs et AlSb. 100 150 200 250 5 10 15 20 25 30 35 40 45 Intensité (u.a.) Temps (s) (a) 60 70 80 90 100 110 120 130 2 4 6 8 10 12 14 16 18 Intensité (u.a.) Temps (s) (b)

Figure 3.4. Oscillations d’intensité de la tâche spéculaire du diagramme RHEED pour les

matériaux GaSb (a) et InAs (b) sur substrat GaSb.

L’observation des oscillations RHEED nécessite des conditions de croissance particulières, qui peuvent être différentes des conditions optimales pour la qualité électrique et optique du matériau. Par exemple lorsque la température de croissance augmente les oscillations diminuent et disparaissent, alors qu’une bonne qualité de matériau est souvent corrélée avec une température plutôt élevée (cas des alliages incluant de l’Al).

La température optimale pour les oscillations RHEED dépend du matériau, mais semble se situer autour de 450 °C pour les alliages sur GaSb.

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Un autre facteur déterminant pour observer des variations d’intensité importantes est l’absence d’interférences entre les oscillations des raies de diffraction voisines. Sur les surfaces reconstruites les variations d’intensité des raies principales et des raies intercalées sont en opposition de phases, et interférent entre elles de manière destructive. C’est pour cette raison que sur GaSb dont la surface est (1× 3), les oscillations sont observées dans la direction non-reconstruite [110].

La technique des oscillations RHEED des éléments III est précise à 5 % près sur la détermination des compositions et des largeurs des puits quantiques, mais cette précision s’amenuise lorsque les épaisseurs mises en jeu deviennent importantes. On explique cette erreur d’appréciation par la diminution de l’intensité des oscillations RHEED qui est plus rapide que la variation transitoire du flux après ouverture du volet (surpression). Ainsi la période des oscillations mesurée surestime le flux par rapport à sa valeur à l’équilibre.

Ce problème intervient pour la croissance des miroirs de Bragg (épaisseur des couches ~ 0,1 µm) ; on s’en affranchit partiellement en retranchant 10 % aux valeurs des vitesses déduites du RHEED.

3.3.3 Oscillations induites par les éléments V

L’observation d’oscillations RHEED associées aux flux d’éléments V a été montré comme un moyen de déterminer le taux d’incorporation d’As dans GaAs et InAs (Lewis, 86), et de Sb dans GaSb et AlSb (Waterman, 92). Nous verrons que la connaissance précise du flux de Sb pour la croissance de GaSb et GaInSb est un premier pas vers une bonne qualité optique. La mesure des flux incorporés suscite un gain d’intérêt si les matériaux épitaxiés possèdent deux éléments V. Pour la croissance d’alliages tels que GaAsSb ou AlAsSb la calibration du flux de Sb nous permet de reproduire le rapport x_As/x_Sb gérant l’accord de maille sur InP. Les oscillations d’intensité dues au flux de Sb sont observées à température de substrat faible (< 420 °C), en épitaxiant du GaSb en léger excès de Ga, tout ceci afin de ne pas altérer la surface. Le flux de Sb dirige alors la croissance et génère comme pour les éléments III des oscillations d’intensité du RHEED. La mise en excès d’éléments III se traduit par une étape

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transitoire des oscillations durant les premières monocouches déposées. La figure 3.5 montre des oscillations induites de Sb sur GaSb à une température de 415 °C, ainsi que l’étalonnage du flux de Sb ainsi mesuré en fonction de sa pression partielle.

0 2 4 6 8 10

Intensité (u. a.)

Temps (s) Zone transitoire

Oscillations induites par Sb Ouverture du volet (a) 0 1 2