De la présentation du modèle de l’atome artificiel à la mise à jour successive de ces limites, c’est finalement toute la richesse de la physique des semiconducteurs que nous avons retrouvée et parcourue dans ce mémoire. Une boîte quantique de semiconducteurs constitue certes un système modèle en physique du solide, où le confinement tri-dimensionnel des porteurs nous entraîne naturellement à rechercher des analogies avec la physique atomique et l’optique quantique. Si cette démarche intellectuelle s’est montrée très fructueuse, il est cependant réducteur, et souvent faux, de limiter les propriétés électroniques et optiques d’une boîte quantique à celle d’un système isolé, comparable à un atome artificiel. La simple discrétisation des états électroniques ne permet pas de se ramener au problème équivalent d’un macro-atome. La variété des effets de l’environnement que nous avons contribué à mettre à jour illustre le rôle fondamental de la matrice, tant d’un point de vue structural sur les symétries de la boîte quantique à des échelles micro- et méso-scopiques, que d’un point de vue dynamique sur les mécanismes de relaxation impliquant les phonons ou les charges au voisinage de la boîte quantique.
Pour les recherches futures sur les boîtes quantiques, la perspective la plus intéressante consiste probablement en une inversion de la logique qui vise à extraire les aspects de la physique des boîtes quantiques qui sont conformes à la vision simplificatrice du modèle de l’atome artificiel. C’est de la compréhension profonde de la complexité des phénomènes mis en jeu dans ce système de matière condensée que pourront émerger des stratégies de fabrication et de préparation d’une boîte quantique en vue d’en faire un système maîtrisé et contrôlable.
Un certain nombre de travaux se placent dans cette perspective. Le contrôle de la charge dans une boîte quantique unique placée dans une jonction Schottky permet de modifier la structure fine de l’état fondamental et l’annulation de l’interaction coulombienne d’échange dans une boîte quantique de symétrie ré-duite, en fonction de la tension de grille, constitue un résultat tout à fait remar-quable [81]. Sur des ensembles de boîtes quantiques insérées dans une jonction Schottky, la combinaison de séquences de pompage optique et de séparation des électrons et des trous à l’aide de la tension de grille a montré la possibilité de stocker un électron polarisé de spin sur des échelles de temps de l’ordre de la ms, en ayant recours à un champ magnétique qui lève la dégénérescence des états brillants [122]. Enfin, la démonstration récente de l’insertion d’un ion manganèse unique dans une boîte quantique de semiconducteurs II-VI ouvre la possibilité de contrôler le spin d’un atome unique par des techniques d’orientation optique [123]. Dans un autre registre, le contrôle de l’environnement électromagnétique d’une boîte quantique placée dans une microcavité permet, grâce à l’effet Purcell, de diminuer le temps de vie radiatif et ainsi d’abaisser la contribution relative des mécanismes de déphasage [83]. L’extension de ces idées à la densité des modes
de phonon pourrait conduire à un contrôle de l’interaction électron-phonon, à l’aide de nano-résonateurs mécaniques dans lesquels seraient placées les boîtes quantiques. Tous ces exemples illustrent le lien de plus en plus étroit entre na-nophysique et nanotechnologie, où les efforts réalisés dans la préparation du sys-tème {boîte quantique+environnement} permettent d’étudier un syssys-tème modèle simple, et en quelque sorte de s’approcher de la situation limite d’un atome arti-ficiel.
La réduction de l’efficacité des processus de décohérence semble particulière-ment importante dans le cas d’une excitation résonante de l’état fondaparticulière-mental. Nous explorons actuellement la possibilité de réaliser des expériences de fluores-cence résonante sur une boîte quantique unique par une excitation en onde guidée. Dans ce cas, l’enjeu est de bénéficier des techniques de l’optique ultra-rapide pour manipuler de manière cohérente avec des impulsions femtosecondes les états de la boîte quantique sur des échelles de temps de l’ordre de la ns. Là-encore, les na-notechnologies sont indispensables dans la mesure où ces expériences nécessitent la fabrication d’échantillons spécifiques et nanostructurés. Par ailleurs, l’insertion des boîtes quantiques dans des nanocavités à base de cristaux photoniques est une autre variante de l’utilisation des potentialités de l’optique guidée pour ma-nipuler de manière cohérente les boîtes quantiques. La technologie des cristaux photoniques permet par ailleurs d’atteindre des facteurs de qualité de l’ordre de quelques 105 qui devrait élargir le champ d’investigation du contrôle cohérent au régime de couplage fort [6].
[1] M. A. Kastner. Artificial atoms. Physics Today, 46 :24, 1993.
[2] P. Michler, A. Kiraz, C. Becher, W. V. Schoenfeld, P. M. Petroff, L. Zhang, E. Hu, and A. Imamoglu. A quantum dot single-photon turnstile device. Science, 290 :2282, 2000.
[3] C. Santori, D. Fatta, J. Vučkovic, G. Solomon, and Y. Yamamoto. Indis-tinguishable photons from a single-photon device. Nature, 419 :594, 2002. [4] A. Zrenner, E. Beham, S. Stufler, F. Findeis, M. Bichler, and G.
Abs-treiter. Coherent properties of a two-level system based on a quantum-dot photodiode. Nature, 418 :612, 2002.
[5] J. P. Reithmaier, G. Sek, A. Löffler, C. Hofmann, S. Kuhn, S. Reitzenstein, L. V. Keldysh, V. D. Kulakovskii, T. L. Reinecke, and A. Forchel. Strong coupling in a single quantum dot-semicondutor microcavity system. Nature, 432 :197, 2004.
[6] T. Yoshie, A. Scherer, J. Hendrickson, G. Khitrova, H. M. Gibbs, G. Rupper, C. Ell, O. B. Shchekin, and D. G. Deppe. Vacuum Rabi splitting with a single quantum dot in a photonic crystal nanocavity. Nature, 432 :200, 2004. [7] X. Li, Y. Wu, D. Steel, D. Gammon, T. H. Stievater, D. S. Katzer,
D. park, C. Piermarocchi, and L. J. Sham. An all-optical quantum gate in a semiconductor quantum dot. Science, 301 :809, 2003.
[8] L. Goldstein, F. Glas, J. Y. Marzin, M. N. Charasse, and G. Le Roux. Growth by molecular beam epitaxy and characterization of InAs/GaAs strained-layer superlattices. Appl. Phys. Lett., 47 :1099, 1985.
[9] J. M. Gérard, J. B. Genin, J. Lefebvre, J. M. Moison, N. Lebouche, and F. Barthe. Optical investigation of the self-organized growth of InAs/GaAs quantum boxes. J. Cryst. Growth, 150 :351, 1995.
[10] Walter Schottky Institute. http ://www.wsi.tu-muenchen.de.
[11] T. Walther, A. G. Cullis, D. J. Norris, , and M. Hopkinson. Nature of the Stranski-Krastanow transition during epitaxy of InGaAs on GaAs. Phys. Rev. Lett., 86 :2381, 2001.
[12] G. Bester and A. Zunger. Cylindrically shaped zinc-blende semiconductor quantum dots do not have cylindrical symmetry : atomistic symmetry, atomic relaxation, and piezolelectric effects. Phys. Rev. B, 71 :045318, 2005.
[13] P. Y. Yu and M. Cardona. Fundamentals of semiconductors. Springer, second edition, 1999.
[14] G. Bastard. Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures. Les éditions de physique, 1996.
[15] J. Y. Marzin and G. Bastard. Calculation of the energy-levels in InAs/GaAs quantum dots. Solid State Communications, 92 :437, 1994.
[16] A. Catellani and P. Ballone. Islands at semiconductor interfaces. Phys. Rev. B, 45 :14197, 1992.
[17] A. Jankovics. Etats électroniques des boîtes quantiques de semiconducteur : rôle de l’environnement et couplage dépendant du spin. PhD thesis, Uni-versité Paris VI, 2004.
[18] C. Cohen-Tannoudji, B. Diu, and F. Laloë. Mécanique quantique. Hermann, Editeurs des sciences et des arts, 1992.
[19] A. Vasanelli. Transitions optiques interbandes et intrabandes dans les boîtes quantiques simples et couplées verticalement. PhD thesis, Université Paris VI, 2002.
[20] O. Verzelen. Interaction électron-phonon LO dans les boîtes quantiques d’InAs/GaAs. PhD thesis, Université Paris VI, 2002.
[21] P. Hawrylak. Excitonic artificial atoms : Engineering optical properties of quantum dots. Phys. Rev. B, 60 :5597, 1999.
[22] U. Bockelmann and G. Bastard. Phonon scattering and energy relaxation in two-, one-, and zero-dimensional electron gases. Phys. Rev. B, 42 :8947, 1990.
[23] H. Benisty, C. M. Sotomayor-Torrès, and C. Weisbuch. Intrinsic mechanism for the poor luminescence properties of quantum-box systems. Phys. Rev. B, 44 :10945, 1991.
[24] C. Cohen-Tannoudji, J. Dupont-Roc, and G. Grynberg. Processus d’inter-action entre photons et atomes. Editions du CNRS, 1988.
[25] A. Barenco, D. Deutsch, A. Ekert, and R. Jozsa. Conditional quantum dynamics and logic gates. Phys. Rev. Lett., 74 :4083, 1995.
[26] E. Biolatti, R. Iotti, P. Zanardi, and F. Rossi. Quantum information processing with semiconductor macroatoms. Phys. Rev. Lett., 85 :5647, 2000. [27] E. Knill, R. Laflamme, and G. J. Milburn. A scheme for efficient quantum
computation with linear optics. Nature, 409 :46, 2001.
[28] J. Bylander, I. Robert-Philip, and I. Abram. Interference and correlation of two independent photons. Eur. Phys. J. D, 22 :295, 2003.
[29] F. Meier and B. Zakharchenya, editors. Optical orientation, Modern problems in condensed matter sciences vol.8. North-Holland, 1984.
[30] A. Abragam. The principles of nuclear magnetism. Oxford, Clarendon Press, 1961.
[31] A. V. Khaetskii and Y. V. Nazarov. Spin relaxation in semiconductor quantum dots. Phys. Rev. B, 61 :12639, 2000.
[32] A. Imamoglu, D. D. Awschalom, G. Burkard, D. P. DiVincenzo, D. Loss, M. Sherwin, and A. Small. Quantum information processing using quantum dot spins and cavity QED. Phys. Rev. Lett., 83 :4204, 1999.
[33] A. Aspect, J. Dalibard, and G. Roger. Experimental test of Bell’s inequa-lities using time-varying analyzers. Phys. Rev. Lett., 49 :1804, 1982. [34] O. Benson, C. Santori, M. Pelton, and Y. Yamamoto. Regulated and
entangled photons from a single quantum dot. Phys. Rev. Lett., 84 :2513, 2000.
[35] J. M. Gérard, O. Cabrol, and B. Sermage. InAs quantum boxes : Highly efficient radiative traps for light emitting devices on Si. Appl. Phys. Lett., 68 :3123, 1996.
[36] I. Robert, E. Moreau, B. Gayral, J. M. Gérard, and I. Abram. Tailoring photon emission statistics of a single quantum box for quantum communi-cations. Physica E, 13 :606, 2002.
[37] Y. Toda, O. Moriwaki, M. Nishioka, and Y. Arakawa. Efficient carrier relaxation mechanism in InGaAs/GaAs self-assembled quantum dots based on the existence of continuum states. Phys. Rev. Lett., 82 :004114, 1999. [38] C. Kammerer. Spectroscopie optique de boîtes quantiques uniques : effets
de l’environnement. PhD thesis, Université Paris VI, 2002.
[39] C. Kammerer, G. Cassabois, C. Voisin, C. Delalande, Ph. Roussignol, and J. M. Gérard. Photoluminescence up-conversion in single self-assembled InAs/GaAs quantum dots. Phys. Rev. Lett., 87 :207401, 2001.
[40] G. Cassabois, C. Kammerer, R. Sopracase, C. Voisin, C. Delalande, Ph. Roussignol, and J. M. Gérard. Disorder-induced photoluminescence up-conversion in InAs/GaAs quantum-dot samples. J. Appl. Phys., 91 :5489, 2002.
[41] A. Vasanelli, R. Ferreira, and G. Bastard. Continuous absorption back-ground and decoherence in quantum dots. Phys. Rev. Lett., 89 :216804, 2002.
[42] H. Htoon, P. J. Cox, and V. I. Klimov. Continuous absorption background and decoherence in quantum dots. Phys. Rev. Lett., 93 :187402, 2004. [43] R. Oulton, J. J. Finley, A. I. Tartakovskii, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick,
M. Hopkinson, A. Vasanelli, R. Ferreira, and G. Bastard. Continuum transitions and phonon coupling in single self-assembled Stranski-Krastanow quantum dots. Phys. Rev. B, 68 :235301, 2003.
[44] O. Verzelen, R. Ferreira, and G. Bastard. Excitonic polarons in semicon-ductor quantum dots. Phys. Rev. Lett., 88 :146803, 2002.
[45] N. H. Bonadeo, J. Erland, D. Gammon, D. Park, D. S. Katzer, and D. G. Steel. Coherent optical control of the quantum state of a single quantum dot. Science, 282 :1473, 1998.
[46] C. Kammerer, G. Cassabois, C. Voisin, C. Delalande, Ph. Roussignol, A. Lemaitre, and J. M. Gérard. Efficient acoustic-phonon broadening in single self-assembled InAs/GaAs quantum dots. Phys. Rev. B, 65 :033313, 2002.
[47] J. J. Finley, A. D. Ashmore, A. Lemaître, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick, I. E. Itskevich, P. A. Maksym, M. Hopkinson, and T. F. Krauss. Char-ged and neutral exciton complexes in individual self-assembled In(Ga)As quantum dots. Phys. Rev. B, 63 :073307, 2001.
[48] S. Rudin and T. L. Reinecke. Effects of exciton–acoustic-phonon scatte-ring on optical line shapes and exciton dephasing in semiconductors and semiconductor quantum wells. Phys. Rev. B, 66 :085314, 2002.
[49] T. Takagahara. Theory of exciton dephasing in semiconductor quantum dots. Phys. Rev. B, 60 :2638, 1999.
[50] W. Braun, M. Bayer, A. Forchel, H. Zull, J. P. Reithmaier, A. I. Filin, and T. L. Reinecke. Enhanced exciton-phonon scattering in InxGa1−xAs/GaAs quantum wires. Phys. Rev. B, 56 :12096, 1997.
[51] P. Borri, W. Langbein, J. M. Hvam, and F. Martelli. Well-width dependence of exciton-phonon scattering in InxGa1−xAs/GaAs single quantum wells. Phys. Rev. B, 59 :2215, 1999.
[52] G. Cassabois, A. L. C. Triques, F. Bogani, C. Delalande, Ph. Roussignol, and C. Piermarocchi. Polariton-acoustic-phonon interaction in a semicon-ductor microcavity. Phys. Rev. B, 61 :1696, 2000.
[53] R. Ferreira and G. Bastard. Phonon-assisted capture and intradot Auger relaxation in quantum dots. Appl. Phys. Lett., 74 :2818, 1999.
[54] H. Htoon, D. Kulik, O. Baklenov, A. L. Holmes, T. Takagahara, and C. K. Shih. Carrier relaxation and quantum decoherence of excited states in self-assembled quantum dots. Phys. Rev. B, 63 :241303, 2001.
[55] D. Darson. Advanced detector and optical fabrication technologies for im-plementing improved spectroscopic instrumentation CCD detector systems for "Semiconductor Nanostructures", volume 336 of Astrophysics and space science library, chapter Non-Astronomical Applications. Springer astro-nomy book, 2005.
[56] I. Favero, G. Cassabois, R. Ferreira, D. Darson, C. Voisin, J. Tignon, C. Delalande, G. Bastard, Ph. Roussignol, and J. M. Gérard. Acoustic phonon sidebands in the emission line of single InAs/GaAs quantum dots. Phys. Rev. B, 68 :233301, 2003.
[57] L. Besombes, K. Kheng, L. Marsal, and H. Mariette. Acoustic phonon broadening mechanism in single quantum dot emission. Phys. Rev. B, 63 :155307, 2001.
[58] P. Borri, W. Langbein, S. Schneider, U. Woggon, R. L. Sellin, D. Ouyang, and D. Bimberg. Ultralong dephasing time in InGaAs quantum dots. Phys. Rev. Lett., 87 :157401, 2001.
[59] C. B. Duke and G. D. Mahan. Phonon-Broadened Impurity Spectra. I. Density of States. Phys. Rev., 139 :A1965, 1965.
[60] M. Bayer and A. Forchel. Temperature dependence of the exciton homoge-neous linewidth in In0.6Ga0.4As/GaAs self-assembled quantum dots. Phys. Rev. B, 65 :041308, 2002.
[61] K. Matsuda, K. Ikeda, T. Saiki, H. Tsuchiya, H. Saito, and K. Nishi. Homogeneous linewidth broadening in a In0.5Ga0.5As/GaAs single quantum dot at room temperature investigated using a highly sensitive near-field scanning optical microscope. Phys. Rev. B, 63 :121304, 2001.
[62] C. Kammerer, C. Voisin, G. Cassabois, C. Delalande, Ph. Roussignol, F. Klopf, J. P. Reithmaier, A. Forchel, and J. M. Gérard. Line narrowing in single semiconductor quantum dots : Toward the control of environment effects. Phys. Rev. B, 66 :041306, 2002.
[63] C. Kammerer, G. Cassabois, C. Voisin, M. Perrin, C. Delalande, Ph. Roussignol, and J. M. Gérard. Interferometric correlation spectroscopy in single quantum dots. Appl. Phys. Lett., 81 :2737, 2002.
[64] P. Borri, W. Langbein, U. Woggon, V. Stavarache, D. Reuter, and A. D. Wieck. Exciton dephasing via phonon interactions in InAs quantum dots : Dependence on quantum confinement. Phys. Rev. B, 71 :115328, 2005. [65] F. Vallée and F. Bogani. Coherent time-resolved investigation of LO-phonon
dynamics in GaAs. Phys. Rev. B, 43 :12049, 1991.
[66] F. Vallée. Time-resolved investigation of coherent LO-phonon relaxation in III-V semiconductors. Phys. Rev. B, 49 :2460, 1994.
[67] A. V. Uskov, A. P. Jauho, B. Tromborg, J. Mørk, and R. Lang. Dephasing times in quantum dots due to elastic LO phonon-carrier collisions. Phys. Rev. Lett., 85 :1516, 2000.
[68] E. A. Muljarov and R. Zimmermann. Dephasing in quantum dots : quadratic coupling to acoustic phonons. Phys. Rev. Lett., 93 :237401, 2004.
[69] E. A. Muljarov and R. Zimmermann. Exciton dephasing in quantum dots and quantum dot molecules. Proceedings of OECS9-Southampton, UK, 2005. [70] R. Zimmermann and E. Runge. Dephasing in quantum dots via electron-phonon interaction. Proceedings of the 26th ICPS, Edinburgh, Scotland, 2002.
[71] G. Ortner, D. R. Yakovlev, M. Bayer, S. Rudin, T. L. Reinecke, S. Fafard, Z. Wasilewski, and A. Forchel. Temperature dependence of the zero-phonon linewidth in InAs/GaAs quantum dots. Phys. Rev. B, 70 :201301, 2004. [72] B. Urbaszek, E. J. McGhee, M. Krüger, R. J. Warburton, K. Karrai,
T. Amand, B. D. Gerardot, P. M. Petroff, and J. M. Garcia. Temperature-dependent linewidth of charged excitons in semiconductor quantum dots : Strongly broadened ground state transitions due to acoustic phonon scatte-ring. Phys. Rev. B, 69 :035304, 2004.
[73] D. Birkedal, K. Leosson, and J. M. Hvam. Long lived coherence in self-assembled quantum dots. Phys. Rev. Lett., 87 :227401, 2001.
[74] I. Favero. Décohérence, symétries et relaxation de spin dans des boîtes quantiques de semiconducteurs. PhD thesis, Université Paris VI, 2005. [75] A. V. Uskov, I. Magnusdottir, B. Tromborg, J. Mørk, and R. Lang. Line
broadening caused by Coulomb carrierŰcarrier correlations and dynamics of carrier capture and emission in quantum dots. Appl. Phys. Lett., 79 :1679, 2001.
[76] A. Abragam. The principles of nuclear magnetism. Clarendon press, Oxford, first edition, 1961.
[77] W. Demtröder. Laser spectroscopy. Springer-Verlag, Berlin, 1996.
[78] M. Nirmal, B. O. Dabbousi, M. G. Bawendi, J. J. Macklin, J. K. Trautman, T. D. Harris, and L. E. Brus. Fluorescence intermittency in single cadmium selenide nanocrystals. Nature, 383 :802, 1996.
[79] N. Panev, M.-E. Pistol, V. Zwiller, L. Samuelson, W. Jiang, B. Xu, , and Z. Wang. Random telegraph noise in the photoluminescence of individual GaxIn1−xAs quantum dots in GaAs. Phys. Rev. B, 64 :045317, 2001. [80] L. Besombes, K. Kheng, L. Marsal, and H. Mariette. Few-particle effects
in single CdTe quantum dots. Phys. Rev. B, 65 :121314, 2002.
[81] A. Högele, S. Seidl, M. Kroner, K. Karrai, R. J. Warburton, B. D. Gerardot, and P. M. Petroff. Voltage-controlled optics of a quantum dot. Phys. Rev. Lett., 93 :217401, 2004.
[82] W. Langbein, P. Borri, U. Woggon, V. Stavarache, D. Reuter, and A. D. Wieck. Radiatively limited dephasing in InAs quantum dots. Phys. Rev. B, 70 :033301, 2004.
[83] S. Varoutsis, S. Laurent, P. Kramper, A. Lemaître, I. Sagnes, I. Robert-Philip, and I. Abram. Restoration of photon indistinguishability in the emission of a semiconductor quantum dot. Phys. Rev. B, 72 :041303, 2005. [84] A. Badolato, K. Hennessy, M. Atature, J. Dreiser, E. Hu, P. M. Petroff, and A. Imamoglu. Deterministic coupling of single quantum dots to single nanocavity modes. Science, 308 :1158, 2005.
[85] D. Gammon, E. S. Snow, B. V. Shanabrook, D. S. Katzer, , and D. Park. Fine structure splitting in the optical spectra of single GaAs quantum dots. Phys. Rev. Lett., 76 :003005, 1996.
[86] M. Bayer, A. Kuther, A. Forchel, A. Gorbunov, V. B. Timofeev, F. Schafer, J. P. Reithmaier, T. L. Reinecke, and S. N. Walck. Electron and hole g factors and exchange interaction from studies of the exciton fine structure in In0.60Ga0.40As quantum dots. Phys. Rev. Lett., 82 :001748, 1999.
[87] L. Besombes, K. Kheng, and D. Martrou. Exciton and biexciton fine structure in single elongated islands grown on a vicinal surface. Phys. Rev. Lett., 85 :000425, 2000.
[88] R. S. Knox. Theory of excitons. Academic Press, New York, 1963.
[89] G. E. Pikus and G. L. Bir. Exchange interactions in excitons in semicon-ductors. Soviet Physics JETP, 33 :108, 1971.
[90] M. Bayer, G. Ortner, O. Stern, A. Kuther, A. A. Gorbunov, A. Forchel, P. Hawrylak, S. Fafard, K. Hinzer, T. L. Reinecke, S. N. Walck, J. P. Reithmaier, F. Klopf, and F. Schäfer. Fine structure of neutral and charged excitons in self-assembled In(Ga)As/(Al)GaAs quantum dots. Phys. Rev. B, 65 :195315, 2002.
[91] G. Bester, S. Nair, and A. Zunger. Pseudopotential calculation of the excitonic fine structure of million-atom self-assembled In1−xGaxAs/GaAs quantum dots. Phys. Rev. B, 67 :161306, 2003.
[92] L. C. Andreani, F. Bassani, and A. Quattropani. Longitudinal-transverse splitting in Wannier excitons and polariton states. Nuovo Cimento D, 10 :1473, 1988.
[93] Y. Hasegawa, H. Kiyama, Q. K. Xue, and T. Sakurai. Atomic structure of faceted planes of three-dimensional InAs islands on GaAs(001) studied by scanning tunneling microscope. Appl. Phys. Lett., 72 :2265, 1998.
[94] B. D. Gerardot, I. Shtrichman, D. Heberta, and P. M. Petroff. Tuning of the electronic levels in vertically stacked InAs/GaAs quantum dots using crystal growth kinetics. J. Cryst. Growth, 44 :252, 2003.
[95] M. A. Migliorato, D. Powell, E. A. Zibik, L. R. Wilson, M. Fearn, J. H. Jefferson, M. J. Steer, M. Hopkinson, and A. G. Cullis. Anisotropy of the electron energy levels in InxGa1−xAs/GaAs quantum dots with non uniform composition. Physica E, 26 :436, 2005.
[96] F. Patella, S. Nufris, F. Arciprete, M. Fanfoni, E. Placidi, A. Sgarlata, and A. Balzarotti. Tracing the two- to three-dimensional transition in the InAs/GaAs(001) heteroepitaxial growth. Phys. Rev. B, 67 :205308, 2003. [97] G. Bester and A. Zunger. Cylindrically shaped zinc-blende semiconductor
quantum dots do not have cylindrical symmetry : Atomistic symmetry, atomic relaxation, and piezoelectric effects. Phys. Rev. B, 71 :045318, 2005.
[98] S. Cortez, O. Krebs, P. Voisin, and J. M. Gérard. Polarization of the interband optical dipole in InAs/GaAs self-organized quantum dots. Phys. Rev. B, 63 :233306, 2001.
[99] P. Yu, W. Langbein, K. Leosson, J. M. Hvam, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, A. F. Tsatsul’nikov, , and Yu. G. Musikhin. Optical anisotropy in vertically coupled quantum dots. Phys. Rev. B, 60 :016680, 1999.
[100] M. Henini, S. Sanguinetti, S. C. Fortina, E. Grilli, M. Guzzi, G. Panzarini, L. C. Andreani, M. D. Upward, P. Moriarty, P. H. Beton, and L. Eaves. Optical anisotropy in arrow-shaped InAs quantum dots. Phys. Rev. B, 57 :R6815, 1998.
[101] I. Favero, G. Cassabois, A. Jankovic, R. Ferreira, D. Darson, C. Voisin, C. Delalande, Ph. Roussignol, A. Badolato, P. M. Petroff, and J. M. Gérard. Giant optical anisotropy in a single InAs quantum dot in a very dilute quantum-dot ensemble. Appl. Phys. Lett., 86 :041904, 2005.
[102] M. Kohl, D. Heitmann, P. Grambow, and K. Ploog. One-dimensional magneto-excitons in GaAs/AlxGa1−xAs quantum wires. Phys. Rev. Lett., 63 :2124, 1989.
[103] U. Bockelmann and G. Bastard. Interband absorption in quantum wires. I. Zero-magnetic-field case. Phys. Rev. B, 45 :1688, 1992.
[104] D. N. Krizhanovskii, A. Ebbens, A. I. Tartakovskii, F. Pulizzi, T. Wright, M. S. Skolnick, and M. Hopkinson. Individual neutral and charged InxGa1−xAs-GaAs quantum dots with strong in-plane optical anisotropy. Phys. Rev. B, 72 :161312, 2005.
[105] Y. Chye, M. E. White, E. Johnston-Halperin, B. D. Gerardot, D. D. Awschalom, and P. M. Petroff. Spin injection from (Ga,Mn)As into InAs quantum dots. Phys. Rev. B, 66 :201301, 2002.
[106] C. E. Pryor and M. E. Flatté. Accuracy of circular polarization as a measure of spin polarization in quantum dot qubits. Phys. Rev. Lett., 91 :257901, 2003.
[107] A. Scirè, J. Mulet, C. R. Mirasso, J. Danckaert, and M. San Miguel. Polarization message encoding through vectorial chaos synchronization in vertical-cavity surface-emitting lasers. Phys. Rev. Lett., 90 :113901, 2003. [108] A. I. Tartakovskii, J. Cahill, M. N. Makhonin, D. M. Whittaker, J-P. R.
Wells, A. M. Fox, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick, K. M. Groom, M. J. Steer, and M. Hopkinson. Dynamics of coherent and incoherent spin polarizations in ensembles of quantum dots. Phys. Rev. Lett., 93 :057401, 2004.
[109] M. Paillard, X. Marie, P. Renucci, T. Amand, A. Jbeli, and J. M. Gérard. Spin relaxation quenching in semiconductor quantum dots . Phys. Rev. Lett., 86 :1634, 2001.
[110] A. S. Lenihan, M. V. Gurudev Dutt, D. G. Steel, S. Ghosh, and P. K. Bhat-tacharya. Raman coherence beats from entangled polarization eigenstates in InAs quantum dots. Phys. Rev. Lett., 88 :223601, 2002.
[111] M. Sénès, B. Urbaszek, X. Marie, T. Amand, J. Tribollet, F. Bernardot, C. Testelin, M. Chamarro, and J.-M. Gérard. Exciton spin manipulation in InAs/GaAs quantum dots : Exchange interaction and magnetic field effects. Phys. Rev. B, 71 :115334, 2005.
[112] I. Favero, G. Cassabois, C. Voisin, C. Delalande, Ph. Roussignol, R. Fer-reira, C. Couteau, J. P. Poizat, and J.-M. Gérard. Fast exciton spin relaxa-tion in single quantum dots. Phys. Rev. B, 71 :233304, 2005.
[113] E. Tsitsishvili, R. v. Baltz, and H. Kalt. Temperature dependence of polarization relaxation in semiconductor quantum dots. Phys. Rev. B, 66 :161405, 2002.
[114] E. Tsitsishvili, R. v. Baltz, and H. Kalt. Exciton spin relaxation in single semiconductor quantum dots. Phys. Rev. B, 67 :205330, 2003.
[115] S. I. Erlingsson, Y. V. Nazarov, and V. I. Fal’ko. Nucleus-mediated spin-flip transitions in GaAs quantum dots. Phys. Rev. B, 64 :195306, 2001.
[116] P.-F. Braun, X. Marie, L. Lombez, B. Urbaszek, T. Amand, P. Renucci, V. K. Kalevich, K. V. Kavokin, O. Krebs, P. Voisin, and Y. Masumoto4. Direct observation of the electron spin relaxation induced by nuclei in quantum dots. Phys. Rev. Lett., 94 :116601, 2005.
[117] T. H. Stievater, X. Li, T. Cubel, D. G. Steel, D. Gammon, D. S. Katzer, and D. Park. Measurement of relaxation between polarization eigenstates in single quantum dots. Appl. Phys. Lett., 81 :4251, 2002.
[118] O. Labeau, P. Tamarat, and B. Lounis. Temperature dependence of the luminescence lifetime of single CdSe/ZnS quantum dots. Phys. Rev. Lett., 90 :257404, 2003.
[119] J. M. Smith, P. A. Dalgarno, R. J. Warburton, A. O. Govorov, K. Karrai, B. D. Gerardot, and P. M. Petroff. Voltage control of the spin dynamics of an exciton in a semiconductor quantum dot. Phys. Rev. Lett., 94 :197402,