Étude de la dépendance en intensité laser

Como mencionado anteriormente no item 3.3.5, as amostras foram compactadas em pastilhador cil´ındrico para o estudo de suas propriedades el´etricas. Vale ressaltar que se pˆode notar, a facilidade com que a Am1 se conformou facilitando o processo de espac¸amento e formac¸˜ao de pastilha agregando-se ap´os determinado per´ıodo na prensa. Tamb´em poss´ıvel con- statar uma boa coes˜ao do material e isso se sup˜oe devido a um bom fator de empacotamento, ou seja, leva a crer que os grˆanulos se acomodaram de maneira a favorecer a minizac¸˜ao de espac¸os vazios, o que n˜ao podemos notar com a Am2, que por sua vez depois de submetida a prensa, apesar do em- pacotamento, n˜ao apresentou estabilidade mecˆanica facilmente fraturando- se n˜ao permitindo assim a formac¸˜ao adequada da pastilha. Impedindo sua agregac¸˜ao, isso por sua vez impediu a adequada aquisic¸˜ao de dados, para as an´alises de medidas el´etricas, j´a que a pastilha, e em consequˆencia seus con- tatos, n˜ao tornaram-se confi´aveis, isto pois as curvas apresentaram in´umeras descontinu´ıdades, caracterizando, uma situac¸˜ao de curto circuito.

58

Figura 15: MEVEC Am1

produziu-se um contato el´etrica na pastilha fabricada a partir da Am1, com aplicac¸˜ao de mistura coloidal de prata. Atrav´es da aquisic¸˜ao da curva i×V por processo de Voltametria c´ıclica, obtˆem-se a Figura 18, efetuada em uma janela de potencial de −3,0 V a 3,0 V. Era esperado que o alargamento entre as curvas n˜ao fosse t˜ao significativo, o que n˜ao ocorre levando-se a constatac¸˜ao de uma alterac¸˜ao na densidade de carga. Isso ocorre pelo fato de haver uma junc¸˜ao semicondutor-metal, isto ´e, a existˆencia de uma barreira chamada de Junc¸˜ao Schottky. Na Junc¸˜ao Schottky n˜ao h´a participac¸˜ao de portadores minorit´arios, assim a resposta na variac¸˜ao da espessura do con- tato, devido `a variac¸˜ao do potencial no mesmo ser mais r´apida, permitindo uma drenagem melhor em um sentido do que em outro (SASLOW, 2003; BISHOP, 2002).

Considerou-se ainda que possa ter havido uma degradac¸˜ao do contato a partir da oxidac¸˜ao da Ag (Figura 19), e com isso ocasionando mudanc¸a da densidade de carga do material. Possivelmente os el´etrons do metal acabam por criarem uma regi˜ao de deplec¸˜ao (regi˜ao de isolamento dentro de um con- dutor de material semicondutor, onde os portadores de carga livres s˜ao di- fundidos, ou expulsos por um campo el´etrico) no semicondutor, facilitando

59 200 300 400 500 600 700 800 A b so r b â n ci a ( u . a ) (nm)

Figura 16: Espectro de absorbˆancia para a Am1.

200 300 400 500 600 700 800 A b so r b â n ci a ( u . a ) (nm)

60 -3 -2 -1 0 1 2 3 -2 -1 0 1 2 3 4 C o r r e n t e ( A ) Potencial (V)

Figura 18: Voltametria c´ıclica pastilha Am1

despopulac¸ao eletrˆonica dessa junc¸˜ao semicondutor-metal. Devido o surgi- mento da regi˜ao de deplec¸˜ao, h´a o surgimento de uma capacitˆancia da junc¸˜ao, pois a interface semicondutor-metal e a face oposta da ´area de deplec¸˜ao agem como um capacitor de placas paralelas, desta maneira a regi˜ao de deplec¸˜ao atua como um diel´etrico (SASLOW, 2003; BISHOP, 2002).

Figura 19: Esquema representativo do contanto entre a Ag e a pastilha de ZnS.

61

Na Figura 20 est´a representado uma func¸˜ao i×V , onde ´e poss´ıvel observar um comportamento pr´oximo ao ˆohmico, por parte da junc¸˜ao metal- semicondutor (Junc¸˜ao Schotky), com relac¸˜ao a respota da corrente ao poten- cial aplicado, para a regi˜ao onde a curva intercepta a origem. Como tamb´em nas regi˜oes postiva e negativa da curva (NAIR; KHADAR, 2008; PAUL; AGARWAL, 2010). Ainda atrav´es da linearizac¸˜ao da curva por m´etodo de m´ınimos quadrados foi poss´ıvel obter um valor m´edio de resistˆencia de R = 649, 0KΩ, onde por consequˆencia obtˆem-se uma resistividade deρ= 86, 1KΩm e por sua vez uma condutividadeσ= 11, 6µΩ−1m−1.

As propriedades el´etricas de nanoestruturas de ZnS podem ser com- preendidas a partir do estudo de transporte el´etrico em semicondutores poli- cristalinos, esses que possuem barreiras potenciais ao longo dos contornos de gr˜ao. Essa barreiras de potencial sempre surgem em semicondutores poli- cristalinos porque o potencial qu´ımico de um gr˜ao da regi˜ao de fronteira ´e deslocado pela ausˆencia de uma perfeita periodicidade. Segundo Nair e Khadar (2008), as propriedades el´etricas de semicondutores policristalinos, s˜ao na maioria das vezes predominantes devido a uma dupla camada de deplec¸˜ao que se forma na regi˜ao de contorno dos gr˜aos.

-3 -2 -1 0 1 2 3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 C o r r e n t e ( A ) Potencial (V)

Figura 20: Comportamento i×V pastilha Am1

Na Figura 21 notam-se perdas normais a baixas freq¨uˆencias devido a um comportamento de uma metade de ”U”, j´a que o diagrama para a tangente

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de perdas deve respeitar um comportamento muito semelhante `a tangente de um diagrama de Cole-Cole, o qual ´e representado por uma curva do tipo ”U”. Logo a Figura 21 est´a longe de apresentar os parˆametros para a relaxac¸˜ao de Debye, onde pelo comportamento apresentado deve surgir a altas freq¨uˆencias. Assim, o tempo de relaxac¸˜ao do diel´etrico ´e bastante baixo, isto ´e, ele possui uma resposta r´apida `a excitac¸˜oes el´etricas, fato esse ocorre somente caso n˜ao hajam dipolos permanentes, nem defeitos e nem muito menos armadilhas, do inglˆes traps. Permitindo concluir que o ZnS n˜ao se trata de um material

10 100 1000 10000 100000 1000000 t a n g e n t e d e p e r d a s f (Hz)

Figura 21: Curva de perdas assossiadas ao diel´etrico para pastilha Am1 ferroel´etrico e parece apresentar uma excelente qualidade como semicondutor (SASLOW, 2003; SINGH, 2003; KASAP, 2006; SZE; NG, 2007).

J´a com relac¸˜ao ao tipo de semicondutor, com base nas an´alise de Efeito Hall ´e poss´ıvel concluir que o sulfeto de zinco (no caso a Am2) trata-se de um semicondutor do tipo n apresentando um valor para RH =−1,79 × 105, respeitando a condic¸˜ao de que para um RHl0 obtˆem-se uma relac¸˜ao de plnb2, onde p ´e a densidade de portadores positivos, n a densidade de portadores negativos e b a relac¸˜ao entre µe (mobilidade do el´etron) e µh (mobilidade dos burracos). Uma vez obtidade a constante de Hall ´e poss´ıvel apresentar um c´alculo aproximado da mobilidade eletrˆonica de Hall para a pastilha de sulfeto de zinco em estudo, de µH = 2071, 5

m2

V s (SINGH, 2003; KASAP,

63

5 CONCLUS ˜AO

De maneira geral os resultados adquiridos para a Am1, mostraram- se satisfat´orios. Tendo em vista que num primeiro momento conseguiu-se comprovar a reprodutibilidade do m´etodo, al´em da facilidade de obtenc¸˜ao de nanopart´ıculas de ZnS, com tamanhos de cristalitos da ordem de 2, 65 nm, atrav´es do mesmo. As an´alises de EDS, DRX e MEVEC d˜ao completo aval e comprovac¸˜ao disso. Ficando apenas a d´uvida levantada com relac¸˜ao a pos- sibilidade da existˆencia de duas fases no material fabricado, sugerindo ent˜ao para futuros trabalhos do grupo a comprovac¸˜ao dessa quest˜ao quanto a ex- istˆencia ou n˜ao de uma fase hexagonal dentro deste. Apesar dos ind´ıcios levarem a crer na n˜ao existˆencia da mesma fase.

Com a constatac¸˜ao da absorc¸˜ao em torno 313 nm, para a Am1, cor- respondendo a uma energia de BP da ordem de 3, 96 eV . E comparando energia de BP para da Am1 com os valores para o ZnS tipo bulk encontrados na literatura, assim como com a Am2, s˜ao indicios fortemente embasados para comprovar a presenc¸a de um comportamento `a quest˜oes relacionadas ao confinamento quˆanticos das part´ıculas.

No que diz respeito as medidas el´etricas, n˜ao foi poss´ıvel a obtenc¸˜ao das propriedades el´etricas da amostra comercial, visto que esta apresentou in- stabilidade mecˆanica, fraturando-se facilmente e impossibilitando a formac¸˜ao de pastilhas para realizar a medida. Deve-se alterar a metodologia desta an´alise de forma que as propriedades da Am2, como constante diel´etrica, etc; n˜ao sejam alteradas e dessa forma possam ser utilizadas para comparac¸˜ao. Talvez neste caso fosse recomend´avel a sinterizac¸˜ao da amostra ou adic¸˜ao de um pol´ımero condutor ou algum outro agente estabilizante, opc¸˜oes mer- amente especulativas pois estudos mais aprofundados devem ser realizados para a definic¸˜ao do processo mais indicado.

Apesar disso, verifica-se que a Am1 apresenta uma rota de baixo custo e de simples obtenc¸˜ao e al´em disso atrav´es das curvas de tangente de perdas verificam-se perdas normais a baixa freq¨uˆencia, sendo que n˜ao se alcanc¸a o ponto de relaxac¸˜ao de Debye. ´E poss´ıvel afirmar ainda que o tempo de relaxac¸˜ao do diel´etrico ´e baixo, indicando uma resposta consideravelmente r´apida `a excitac¸˜oes el´etricas.

Contudo, o material apresenta uma boa qualidade e aparentemente n˜ao possue propriedades ferroel´etricas. Assim o grupo agora disp˜oe de um m´etodo f´acil e barato para diversos tipos de investigac¸˜oes e combinac¸˜oes com outros materiais que queiram ser desenvolvidas.

65

6 SUGEST ˜OES PARA TRABALHOS FUTUROS Como sugest˜oes para trabalhos futuros prop˜oem-se:

• Refinamento na investigac¸˜ao das propriedades el´etricas e eletrˆonicas. • Continuidade do estudo analisando as dependˆencias do comportamento

do material com a temperatura, atrav´es do processo de sinterizac¸˜ao.

• Investigac¸˜ao de outras caracter´ısticas atrav´es de outras t´ecnicas de an´alise

como Raman e Microcopia Eletrˆonica de Transmiss˜ao.

• Abre a possibilidade para um estudo do potencial de aplicac¸˜ao das pro-

priedades ´opticas.

• Comparac¸˜ao das propriedades el´etricas de amostras obtidas por difer-

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REFER ˆENCIAS BIBLIOGR ´AFICAS

ARTEMYEV, M.; WOGGON, U. Quantum dots in photonic dots. Applied

Physics Letters, v. 76, p. 1353, 2000.

ATKINS, P. F´ısico Qu´ımica. [S.l.]: LTC, 2008.

AVEN, M.; PRENER, J. Physics and chemistry of II-VI compounds. New York: [s.n.], 1967.

BISHOP, R. The mechatronics handbook. [S.l.]: CRC Pr I Llc, 2002. BURDA, C. et al. Chemistry and properties of nanocrystals of different shapes. Chem. Rev, ACS Publications, v. 105, n. 4, p. 1025–1102, 2005. CHEN, M. et al. A novel solvent-directed shape control technique for preparation of rod-shaped PbS crystals. Materials Research Bulletin, Elsevier, v. 37, n. 2, p. 247–253, 2002.

CHEN, W. et al. Thermoluminescence of ZnS nanoparticles. Applied Physics

Letters, v. 70, p. 1465, 1997.

COX, P. The electronic structure and chemistry of solids. [S.l.]: Oxford university press Oxford, 1987.

CUI, Y.; LIEBER, C. Functional nanoscale electronic devices assembled using silicon nanowire building blocks. Science, AAAS, v. 291, n. 5505, p. 851, 2001.

DEAVID B.A.; GOMES, C. M. G. Microscopia eletrˆonica de varredura :

aplicac¸˜oes e preparac¸˜ao de amostras : materiais polim´ericos, met´alicos e semicondutores [recurso eletrˆonico]. Porto Alegre - RS: EDIPUCRS, 2007.

DHAS, N.; ZABAN, A.; GEDANKEN, A. Surface synthesis of zinc sulfide nanoparticles on silica microspheres: Sonochemical preparation, characterization, and optical properties. Chem. Mater, ACS Publications, v. 11, n. 3, p. 806–813, 1999.

DO, V. et al. One-dimensional protuberant optically active ZnO structure fabricated by oxidizing ZnS nanowires. Materials Letters, Elsevier, 2010. EISBERG, R.; RESNICK, R. T. F´ısica Quˆantica: ´Atomos, mol´eculas, s´olidos, n´ucleos e part´ıculas. [S.l.: s.n.].

68

EKIMOV, A. Efros A. L. and Onushchenko A. A. [S.l.: s.n.], 1985. 921 p. EKIMOV, A.; EFROS, A.; ONUSHCHENKO, A. Quantum size effect in semiconductor microcrystals. Solid state communications, Elsevier, v. 88, n. 11-12, p. 947–950, 1993.

FANG, X. et al. Ultrafine ZnS nanobelts as field emitters. Advanced

Materials, John Wiley & Sons, v. 19, n. 18, p. 2593–2596, 2007.

GAPONENKO, S. Optical properties of semiconductor nanocrystals. [S.l.: s.n.], 1998.

HARTMANN, H.; MACH, R.; SELLE, B. Current Topics in Materials

Science. [S.l.]: North-Holland Publ. Co. Amsterdam, 1982.

HENGLEIN, A. et al. Photochemistry of colloidal semiconductors 30. Reactions and fluorescence of AgI and AgI-Ag2S colloids. Berichte der

Bunsengesellschaft f¨ur physikalische Chemie, John Wiley & Sons, v. 93,

n. 5, p. 593–600, 1989.

HINES, M.; GUYOT-SIONNEST, P. Bright UV-blue luminescent colloidal ZnSe nanocrystals. J. Phys. Chem. B, ACS Publications, v. 102, n. 19, p. 3655–3657, 1998.

HOTA, G.; JAIN, S.; KHILAR, K. Synthesis of CdS-Ag2S core- shell/composite nanoparticles using AOT/n-heptane/water microemulsions.

Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects,

Elsevier, v. 232, n. 2-3, p. 119–127, 2004.

HURLE, D. A thermodynamic analysis of native point defect and dopant solubilities in zinc-blende III–V semiconductors. Journal of Applied Physics, v. 107, p. 121301, 2010.

INGERT, D.; PILENI, M. Limitations in producing nanocrystals using reverse micelles as nanoreactors. Advanced Functional Materials, John Wiley & Sons, v. 11, n. 2, p. 136–139, 2001.

JAYALAKSHMI, M. et al. Hydrothermal synthesis of SnO2-V2O5 mixed oxide and electrochemical screening of carbon nano-tubes (CNT), V2O5, V2O5-CNT, and SnO2-V2O5-CNT electrodes for supercapacitor applications. Journal of Power Sources, Elsevier, v. 166, n. 2, p. 578–583, 2007.

JIANG, C. et al. Hydrothermal synthesis and characterization of ZnS microspheres and hollow nanospheres. Materials Chemistry and Physics, Elsevier, v. 103, n. 1, p. 24–27, 2007.

69

KALYANIKUTTY, K. et al. Hydrogel-assisted synthesis of nanotubes and nanorods of CdS, ZnS and CuS, showing some evidence for oriented attachment. Chemical Physics Letters, Elsevier, v. 432, n. 1-3, p. 190–194, 2006.

KASAP, S. Principles of electronic materials and devices. 3a_{edic¸˜ao. ed.} [S.l.]: McGraw-Hill, 2006.

KHIEW, P. et al. Preparation and characterization of ZnS nanoparticles synthesized from chitosan laurate micellar solution. Materials Letters, Elsevier, v. 59, n. 8-9, p. 989–993, 2005.

KIM, S. et al. Bright blue emission from Te-doped ZnS nanowires. Journal

of Luminescence, Elsevier, 2010.

KITTEL, C. T. Introduc¸˜ao `a f´ısica do estado s´olido. [S.l.: s.n.]. KLIMOV, V. et al. Quantization of multiparticle Auger rates in semiconductor quantum dots. Science, AAAS, v. 287, n. 5455, p. 1011, 2000.

LABRENZ, M. et al. Formation of sphalerite (ZnS) deposits in natural biofilms of sulfate-reducing bacteria. Science, AAAS, v. 290, n. 5497, p. 1744, 2000.

LAW, M. et al. Nanowire dye-sensitized solar cells. Nature Materials, Nature Publishing Group, v. 4, n. 6, p. 455–459, 2005.

LEVIN, A. Solid state quantum chemistry: the chemical bond and energy

bands in tetrahedral semiconductors. [S.l.]: McGraw-Hill Companies, 1977.

LI, Y. et al. Nonaqueous synthesis of CdS nanorod semiconductor. Chem.

Mater, ACS Publications, v. 10, n. 9, p. 2301–2303, 1998.

LIMAYE, M. et al. Template-free ZnS nanorod synthesis by microwave irradiation. Nanotechnology, IOP Publishing, v. 19, p. 415602, 2008. LOU, Y. et al. Evaluation of the photoinduced electron relaxation dynamics of Cu 1.8 S quantum dots. Physical Chemistry Chemical Physics, Royal Society of Chemistry, v. 5, n. 6, p. 1091–1095, 2003.

MENDHAM, J. et al. An´alise Qu´ımica Quantitativa–Vogel. 6a. ed.. ed. [S.l.]: LTC-Livros T´ecnicos Cient´ıficos Editora SA.

70

MENEZES, F. S´ıntese e caracterizac¸˜ao de nanocristais luminescentes

baseados em semicondutores II-VI para fins de aplicac¸˜ao como

biomarcadores. 2006. Dissertac¸˜ao (Mestrado) — Universidade Federal de

Pernambuco - UFPE.

MEWS, A. et al. Preparation, characterization, and photophysics of the quantum dot quantum well system cadmium sulfide/mercury sulfide/cadmium sulfide. The Journal of Physical Chemistry, ACS Publications, v. 98, n. 3, p. 934–941, 1994.

MORRISON, M. et al. Quantum states of atoms, molecules and solids.

Physics Today, v. 29, p. 53, 1976.

MURUGAN, A. et al. Photoluminescence properties of nanocrystalline ZnS on nanoporous silicon. Journal of Materials Science, Springer, v. 41, n. 5, p. 1459–1464, 2006.

NAIR, S.; KHADAR, M. Dc conductivity of consolidated nanoparticles of zinc sulfide. Science and Technology of Advanced Materials, IOP Publishing, v. 9, p. 035010, 2008.

OLEA, A.; SEBASTIAN, P. (Zn, Cd) S porous layers for dye-sensitized solar cell application. Solar Energy Materials and Solar Cells, Elsevier, v. 55, n. 1-2, p. 149–156, 1998.

OZIN, G. The zeolate ligand: From hydrolysis to capped semiconductor nanoclusters. Advanced Materials, John Wiley & Sons, v. 6, n. 1, p. 71–76, 1994.

PAN, Z.; DAI, Z.; WANG, Z. Nanobelts of semiconducting oxides. Science, AAAS, v. 291, n. 5510, p. 1947, 2001.

PAUL, G.; AGARWAL, P. Evolution of nanostructure with reaction time for ZnS synthesized by solvothermal process. physica status solidi (c), John Wiley & Sons, v. 7, n. 3-4, p. 909–912, 2010.

RAVICHANDRAN, K.; PHILOMINATHAN, P. Investigations on

microstructural and optical properties of CdS films fabricated by a low-cost, simplified spray technique using perfume atomizer for solar cell applications.

Solar Energy, Elsevier, v. 82, n. 11, p. 1062–1066, 2008.

RINO, J.; STUDART, N. Um potencial de interac¸˜ao para o estudo de materiais e simulac¸˜oes por dinˆamica molecular. Qu´ımica Nova, SciELO Brasil, v. 24, n. 6, p. 838–845, 2001.

71

RODE, D. Semiconductors and semimetals. [S.l.]: Elsevier, 1975. ROMANO, R. Nanocomp´ositos e Nanoestruturas de Semicondutores das

Fam´ılias II-VI e IV-VI. Tese (Doutorado) — Universidade Estadural de

Campinas - Unicamp, Campinas - SP, 2007.

SASLOW, W. Multicarrier Transport: Batteries, Semiconductors, Mixed Ionic-Electronic Conductors, and Biology. Foundations of Physics, Springer, v. 33, n. 12, p. 1713–1734, 2003.

SCHMID, G. Nanoparticles: from theory to application. [S.l.]: Wiley-VCH, 2004.

SHI, L.; XU, Y.; LI, Q. Shape-Selective Synthesis and Optical Properties of Highly Ordered One-Dimensional ZnS Nanostructures. Cryst. Growth Des, ACS Publications, v. 9, n. 5, p. 2214–2219, 2009.

SINGH, J. Electronic and optoelectronic properties of semiconductor

structures. [S.l.]: Cambridge Univ Pr, 2003.

SPANHEL, L.; HENGLEIN, A.; WELLER, H. Photochemistry of colloidal semiconductors. 24. Interparticle electron transfer in Cd3P2-TiO2 and Cd3P2-ZnO sandwich structures. Ber. Bunsen-Ges. Phys. Chem, v. 91, n. 1359, p. 63, 1987.

SUYVER, J. et al. Synthesis and photoluminescence of nanocrystalline ZnS: Mn2+. Nano Letters, ACS Publications, v. 1, n. 8, p. 429–433, 2001. SZE, S.; NG, K. Physics of semiconductor devices. [S.l.]: Wiley-Blackwell, 2007.

UBALE, A.; SANGAWAR, V.; KULKARNI, D. Size dependent optical characteristics of chemically deposited nanostructured ZnS thin films.

Bulletin of Materials Science, Springer, v. 30, n. 2, p. 147–152, 2007.

VOSSMEYER, T. et al. CdS nanoclusters: synthesis, characterization, size dependent oscillator strength, temperature shift of the excitonic transition energy, and reversible absorbance shift. The Journal of Physical Chemistry, ACS Publications, v. 98, n. 31, p. 7665–7673, 1994.

WANG, L. et al. Synthesis, Optical Properties, and Photocatalytic Activity of One-Dimensional CdS@ ZnS Core-Shell Nanocomposites. Nanoscale

Research Letters, Springer, v. 4, n. 6, p. 558–564, 2009.

WANG, L.; ZUNGER, A. Dielectric constants of silicon quantum dots.

72

WANG, Y.; HERRON, N. Nanometer-sized semiconductor clusters: materials synthesis, quantum size effects, and photophysical properties. The

Journal of Physical Chemistry, ACS Publications, v. 95, n. 2, p. 525–532,

1991.

WANG, Z.; SONG, J. Piezoelectric nanogenerators based on zinc oxide nanowire arrays. Science, AAAS, v. 312, n. 5771, p. 242, 2006.

WELLER, H. Colloidal semiconductor Q-particles: chemistry in the transition region between solid state and molecules. Angewandte Chemie

International Edition in English, John Wiley & Sons, v. 32, n. 1, p. 41–53,

1993.

WELLER, H. Quantized semiconductor particles: a novel state of matter for materials science. Advanced Materials, John Wiley & Sons, v. 5, n. 2, p. 88–95, 1993.

WEST, A.; WILEY, J. Solid state chemistry and its applications. [S.l.]: New York. Elsevier, 1984.

WEST A. R.; WILEY, J. Solid state chemistry and its applications. [S.l.]: Elsevier, 1984.

XIE, Y. et al. One-pot synthesis of ZnS/polymer composites in supercritical CO2-ethanol solution and their applications in degradation of dyes. Journal

of colloid and interface science, Elsevier, v. 318, n. 1, p. 110–115, 2008.

XU, Z.; ZHANG, Y. In air liquid-solid phase synthesis of metal sulfide nanoparticles from metal acetates and thiourea. Materials Chemistry and

Physics, Elsevier, v. 112, n. 2, p. 333–336, 2008.

YANG, P.; LIEBER, C. Nanorod-superconductor composites: a pathway to materials with high critical current densities. Science, AAAS, v. 273, n. 5283, p. 1836, 1996.

YIN, L. et al. Self-assembled highly faceted wurtzite-type ZnS single- crystalline nanotubes with hexagonal cross-sections. Advanced Materials, John Wiley & Sons, v. 17, n. 16, p. 1972–1977, 2005.

ZAVYALOVA, L.; SAVIN, A.; SVECHNIKOV, G. ZnS: Mn

electroluminescent films prepared from chelate metal organic compounds.

Displays, Elsevier, v. 18, n. 2, p. 73–78, 1997.

ZHAI, Q. et al. Microstructure and electroluminescence of ZnS: Mn doped with KCl. Thin Solid Films, Elsevier, v. 414, n. 1, p. 105–112, 2002.

73

ZHANG, J. et al. Nearly monodisperse Cu2O and CuO nanospheres: Preparation and applications for sensitive gas sensors. Chem. Mater, ACS Publications, v. 18, n. 4, p. 867–871, 2006.

ZHANG, P.; GAO, L. Synthesis and characterization of CdS nanorods via hydrothermal microemulsion. Langmuir, ACS Publications, v. 19, n. 1, p. 208–210, 2003.

ZHAO, Q.; HOU, L.; HUANG, R. Synthesis of ZnS nanorods by a surfactant-assisted soft chemistry method. Inorganic Chemistry

Communications, Elsevier, v. 6, n. 7, p. 971–973, 2003.

ZHAO, Z. et al. A simple solution route to controlled synthesis of ZnS submicrospheres, nanosheets and nanorods. Nanotechnology, IOP Publishing, v. 17, p. 4731, 2006.

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