[PDF] Top 20 Modélisation et simulation thermique des circuits intégrés tridimensionnels
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Modélisation et simulation thermique des circuits intégrés tridimensionnels
... Les circuits intégrés tridimensionnels apportent divers avantages tels qu’une taille compacte, une grande bande passante et une latence réduite ; mais du à leur architecture en couches ils ... Voir le document complet
81
Méthodes de calcul numérique pour la simulation thermique des circuits intégrés
... La simulation thermique est une étape indispensable pour la conception de circuits intégrés ...dissipation thermique et de limiter les risques liés à une température trop ...La ... Voir le document complet
116
Modélisation de l’injection de faute électromagnétique sur circuits intégrés sécurisés et contre-mesures
... Figure 3.8 - Circuit considéré pour analyser l’impact d’une EMFI sur le fonctionnement de CIs syn- chrones en simulation. Le chronogramme de la Figure 3.9 donne le comportement du circuit dans des con- ditions ... Voir le document complet
159
Conception testable de circuits intégrés complexes à très haut niveau
... L’objectif de ce travail est de proposer une nouvelle approche de test en ligne pour les systèmes embarqués dédiés aux applications critiques. Cette approche de test en ligne est basée sur une approche BIST (Built-In ... Voir le document complet
157
Methodologie de conception des protections des circuits intégrés contre les décharges électostatiques
... des circuits intégrés en silicium, et plus particulièrement sur la modélisation d'un modèle de four de recuit rapide en vue de son optimisation, l'amélioration de sa métrologie, et la mise en place ... Voir le document complet
98
Modélisation et Management Thermique des modules de puissance RF et fiabilité des circuits électroniques par la méthode TLM
... les circuits intégrés monolithiques à micro-ondes (MMIC) basés sur les transistors AlGaN/GaN (HEMT) à haut niveau d’intégration offre d’importants avantages pour des applications telles qu’ils sont utilisés ... Voir le document complet
181
Contribution à la modélisation des dispositifs MOS haute tension pour les circuits intégrés de puissance ("Smart Power")
... une modélisation du couplage thermique entre les différentes sources du transistor et sur le comportement thermique intrinsèque du ...de modélisation des transistors haute tension chez ... Voir le document complet
195
Modélisation et simulation d'attaque laser sur des circuits sécuritaires
... étudie dans la suite, l’effet de la température du matériau sur la génération de charges, et plus particulièrement sur le phénomène d’absorption. c) Effet de la température sur l’absorption du silicium En parallèle du ... Voir le document complet
153
Contribution à l'étude des méthodes de modélisation de l'immunité électromagnétique des circuits intégrés
... de circuits actuels deviennent de plus en plus ...cuits intégrés vis-à-vis de ces perturbations, qu’elles soient conduites ou ...de simulation de l’immunité conduite et rayonnée des circuits ... Voir le document complet
182
Analyse de matériaux composites aléatoires à l'aide d'outils tridimensionnels de simulation électromagnétique
... la modélisation tridimensionnelle des propriétés électromagnétiques de matériaux ...une modélisation de type ...cas tridimensionnels (3-D) et de vérifier la validité du modèle de MG pour des ... Voir le document complet
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Contribution à la modélisation numérique d'écoulements électro-fluido-dynamiques diphasiques tridimensionnels
... la modélisation des molécules à la physique macroscopique des tas de sables, que la première méthode DEM "soft sphere" fait son apparition dans un article de Cundall [3] en ... Voir le document complet
212
2019 — Amélioration du processus de testabilité des circuits intégrés asynchrones dérivés de la topologie de conception d'Octasic
... Un second problème est la détection des machines à états finis qui ne fonctionne tout simplement pas pour les circuits plus complexes comme le mini-MIPS. On a vu que ces mauvaises détections sont dues à ... Voir le document complet
213
Mécanismes d'injection de porteurs minoritaires dans les circuits intégrés de puissance et structures de protections associées
... Chapitre 1!: Etat de l’art des protections étude a démontré l’efficacité du transistor de puissance isolé ILDMOS malgré sa faible tenue en tension. Pour un transistor de puissance de haute tension, une autre structure ... Voir le document complet
183
Contribution à l'étude des procédés de réalisation de circuits intégrés optiques en matériaux polymères
... CHAPITRE II. Technologie de réalisation de fonctions optiques intégrées polymères Figure II.27 : Evolution des trois points particuliers (Tg 1 , Tg 2 et Tg 3 ) en fonction du temps de recuit. a) Tg 1 , b) Tg 2 et c) Tg ... Voir le document complet
314
Etude statistique de l’énergie dans les circuits intégrés CMOS-FDSOI : caractérisation et optimisation
... aux circuits b01 (constitué par 55 portes logiques) et b07 (constitué par 493 portes logiques) qui sont des circuits ITCC’99 ...Ces circuits ont des caractéristiques typiques des circuits ... Voir le document complet
188
Conception de matrices de diodes avalanche à photon unique sur circuits intégrés CMOS 3D
... leurs circuits d’étouffement et l’électronique de lecture, la surface photosensible du détecteur n’est pas optimale, réduisant la ...des circuits de ... Voir le document complet
191
Protection des Circuits Intégrés CMOS Profondément Submicroniques contre les Décharges Electrostatiques
... Les études portées dans le dernier chapitre concernent la conception de circuits permettant de réduire la limitation principale de la protection centrale développée. En effet dans certaines appli- cations où les ... Voir le document complet
141
2014 — Caractérisation et analyse des chemins critiques de circuits intégrés asynchrones complexes
... 1.5 Test des circuits fabriqués Le flot traditionnel de conception de circuits synchrones, illustré à la Figure 1.4, prévoit l’im- plantation de la spécification physique dans un circuit intégré. Cette ... Voir le document complet
142
Etude du couplage électromagnétique entre circuits intégrés par émulation du perturbateur - Application en téléphonie 3G
... La technologie doit être choisie en fonction du résultat souhaité, c’est à dire des fréquences mises en jeu et de la puissance que devra supporter la sonde. Il est également nécessaire de prendre en compte la durée et le ... Voir le document complet
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Conception et développement d’étalons pour la mesure des paramètres S en mode mixte de circuits intégrés et méthodes associées
... Tous les systèmes de mesure, y compris ceux qui utilisent l’ARV, peuvent être influencés par trois types d’erreurs : les erreurs aléatoires, les erreurs de dérive et les erreurs systématiques [52]. Ces dernières sont ... Voir le document complet
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