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18 résultats avec le mot-clé: 'dc noise performances soi finfets low temperature'

DC and noise performances of SOI FinFETs at very low temperature

The increase of the noise from weak to strong inversion can be modeled (solid line in Fig. 3) by the carrier number fluctuation correlated to mobility fluctuations (ΔN+Δμ) and

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2021
DC and low frequency noise performances of SOI p-FinFETs at very low temperature

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2021
Low temperature noise spectroscopy of p-channel SOI FinFETs

The aim of this study is to use the excess low frequency noise versus the temperature in order to characterize the traps in the depleted silicon film of p-channel FinFETs on

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2021
Identification of Si film traps in p-channel SOI FinFETs using low temperature noise spectroscopy

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2021
Detailled characterisation of SOI n-FinFETs at very low temperature

Better behaviour of the strained devices has been observed for many electrical parameters at 10 K operation: lower threshold voltage, smaller access

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2021
In depth static and low-frequency noise characterization of n-channel FinFETs on SOI substrates at cryogenic temperature

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2021
Performances under saturation operation of p channel FinFETs on SOI substrates at cryogenic temperature

The amelioration of the DIBL effect, which can be observed at 10 K operation, seems to be more significant for standard devices (reduction of λ with a factor of about 10 for

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2021
HCR building : Measuring cooling installations and Auditing for Deep Lake Direct Cooling Network connectivity

Moreover the secondary "Information" loop gives more interpretation difficulties: while the energy from the primary circuit QXchg is in principle known from the

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2022
Low-frequency noise behavior in P-channel SOI FinFETs processed with different strain techniques

Examples of the frequency normalized gate voltage spectral density in p-channel FinFETs are showed in Figure 1 for L mask = 0.25µm for all tested structures.. Contrary

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2021
Low frequency noise characterization in n-channel FinFETs

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2021
The emergence of photovoltaics in France in the light of feed-in tariffs: exploring the markets and politics of a modular technology

On the basis of document analysis and considering the general evolution of EU renewable energy policy, I have identified four phases in the European career of

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2021
Thermal Aware Design Method for VCSEL-Based On-Chip Optical Interconnect

Furthermore, for an increasing activity of the processing layer (which is expected to result in additional communications), either the optical interconnect bandwidth

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2022
pour améliorer ma relation  à l’argent et vivre

« Lisez ce livre jusqu’au bout et je vous promets que vous ne vous poserez plus aucune question sur vous-même, votre argent, votre sécurité et votre

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2023
ARTheque - STEF - ENS Cachan | Fifi ou l'expérience festive de la nature

- Les organismes de recherche et de médiation scientifique : Institut National de la Recherche Agronomique (INRA), Institut de recherche pour le Développement (IRD),

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2021
L'uranium, la Chine et Al-Qaida. Le Niger au cœur de terribles enjeux

Le Niger, régulièrement considéré comme l'un des pays les plus pauvres du monde, est aussi aujourd'hui un haut lieu des enjeux géopolitiques sahariens.. Une longue série de coups

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2022
Weil-Petersson volumes 6 4

The n-point function appears in several asymptotic formulae of enumerative geometry, such as: the leading term of Mirzakhai’s volume polynomial of Weil- Petersson volumes of

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2022
Vista de La Nostalgia de Cioran. Sevilla: Thémata, 2020, 164 pp.

Si Cioran caminara entre nosotros nos pediría reírnos y demorarnos, para que la escritura fluya como una forma moderna del viaje por la noche interior, que como monjes o místicos

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2023
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Née le 1er Décembre 2008 Taille: 52,58 cm Poids: 3,070 g Origine:

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2022

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