Top PDF Contribution à la modélisation des dispositifs MOS haute tension pour les circuits intégrés de puissance ("Smart Power")

Contribution à la modélisation des dispositifs MOS haute tension pour les circuits intégrés de puissance ("Smart Power")

Contribution à la modélisation des dispositifs MOS haute tension pour les circuits intégrés de puissance ("Smart Power")

... les circuits intégrés de puissance ont connu une croissance très ...de puissance de plus en plus élevée ont mis en évidence la nécessité de structures toujours plus ...“smart ...

195

Contribution à la modélisation des dispositifs MOS haute tension pour les circuits intégrés de puissance ("Smart Power")

Contribution à la modélisation des dispositifs MOS haute tension pour les circuits intégrés de puissance ("Smart Power")

... les circuits intégrés de puissance ont connu une croissance très ...de puissance de plus en plus élevée ont mis en évidence la nécessité de structures toujours plus ...“smart ...

195

Efficacité d'isolation dans les circuits intégrés de puissance isolés par jonction

Efficacité d'isolation dans les circuits intégrés de puissance isolés par jonction

... en tension, celle-ci étant directement reliée à la taille du caisson épitaxié dans lequel le MOS de puissance est ...en tension de ces transistors de puissance, soit d’augmenter ...

124

Contribution à l'étude des méthodes de modélisation de l'immunité électromagnétique des circuits intégrés

Contribution à l'étude des méthodes de modélisation de l'immunité électromagnétique des circuits intégrés

... des circuits intégrés aux agressions rayonnées en champ proche sation de cette méthode d’injection est la création d’un champ électromagnétique entre la source de perturbation (la tête de la sonde : brin ou ...

182

Pépite | Caractérisation et modélisation de dispositifs GaN pour la conception de circuits de puissance hyperfréquence

Pépite | Caractérisation et modélisation de dispositifs GaN pour la conception de circuits de puissance hyperfréquence

... de puissance moyen (MPA) de type SSPA et l’utilisation d’un ATOP pour l’amplification finale ...à haute mobilité électronique (pHEMT) basée sur l’Arséniure de Gallium ...de modélisation et de ...

207

Pépite | Contribution à la modélisation de la tension d'arbre d'alternateurs de forte puissance en vue d'une utilisation pour le diagnostic

Pépite | Contribution à la modélisation de la tension d'arbre d'alternateurs de forte puissance en vue d'une utilisation pour le diagnostic

... d’une tension de fréquence 300 ...la tension d’arbre en atténuant les amplitudes des harmoniques relatifs à chacun des ...la tension d’arbre n’induisent que des amplitudes des harmoniques ...

176

Structures MOS-IGBT sur technologie SOI en vue de l'amélioration des performances à haute température de composants de puissance et de protections ESD

Structures MOS-IGBT sur technologie SOI en vue de l'amélioration des performances à haute température de composants de puissance et de protections ESD

... les dispositifs ou les circuits électroniques contre les décharges électrostatiques, une structure de protection ESD doit résister elle-même à la décharge contre laquelle elle est supposée ...la ...

183

Contribution à la conception de circuits intégrés analogiques en technologie CMOS basse tension pour application aux instruments d'observation de la Terre

Contribution à la conception de circuits intégrés analogiques en technologie CMOS basse tension pour application aux instruments d'observation de la Terre

... la haute atmosphère du Soleil ...La haute atmosphère du Soleil (appelée couronne) est composée d’un plasma très chaud (température supérieure au million de degrés) animant les électrons d’une vitesse ...

259

Mécanismes d'injection de porteurs minoritaires dans les circuits intégrés de puissance et structures de protections associées

Mécanismes d'injection de porteurs minoritaires dans les circuits intégrés de puissance et structures de protections associées

... de puissance isolé ILDMOS malgré sa faible tenue en ...de puissance de haute tension, une autre structure de protection à base d’anneaux de garde a été ...des circuits intégrés ...

183

Contribution à la qualité et à la fiabilité des circuits et systèmes intégrés et à la microélectronique médicale

Contribution à la qualité et à la fiabilité des circuits et systèmes intégrés et à la microélectronique médicale

... génération haute tension Les principales originalités de la structure proposée ont été développées pour répondre aux exi- gences très particulières du générateur haute tension dans notre ...de ...

130

Conception de transistors MOS haute tension (1200 Volts) pour l'électronique de puissance

Conception de transistors MOS haute tension (1200 Volts) pour l'électronique de puissance

... de puissance : il est rapide, son impédance d'entrée est très grande en basse fréquence et il est très stable ...la tension visée pour cette application (1200 V), les structures MOS conventionnelles ...

178

Conception de transistors MOS haute tension en technologie CMOS 0,18 µm sur substrat "silicium sur isolant" (SOI) pour les nouvelles générations de circuits intégrés de puissance

Conception de transistors MOS haute tension en technologie CMOS 0,18 µm sur substrat "silicium sur isolant" (SOI) pour les nouvelles générations de circuits intégrés de puissance

... transistors MOS, est pénalisé, dans le cas d’une utilisation pour des composants latéraux, à cause de l’effet de champ engendré par l’électrode de substrat en face arrière qui dégrade la tenue en ...en ...

152

Caractérisation et modélisation de dispositifs GaN pour la conception de circuits de puissance hyperfréquence

Caractérisation et modélisation de dispositifs GaN pour la conception de circuits de puissance hyperfréquence

... en puissance en bande W sont ...en puissance permettrait d’atteindre des puissances de sortie en saturation notablement plus ...en puissance augmentant les niveaux de puissance de sortie du ...

207

Modélisation des structures Métal-Oxyde-Semiconducteur (MOS) : Applications aux dispositifs mémoires

Modélisation des structures Métal-Oxyde-Semiconducteur (MOS) : Applications aux dispositifs mémoires

... la modélisation des structures MOS affectées par des défauts qui détériorent leurs propriétés ...transistor MOS, afin de créer les modèles de base permettant de simuler les différents mécanismes de ...

178

Matériaux et revêtements céramiques multifonctionnels par PECVD et SPS pour l'intégration de puissance haute température - haute tension

Matériaux et revêtements céramiques multifonctionnels par PECVD et SPS pour l'intégration de puissance haute température - haute tension

... la puissance a une forme en ...une puissance critique au-delà de laquelle elle ...cette puissance n’est plus ...plasma haute pression, mais aussi que pour les faibles pressions, le phénomène ...

228

Nouveaux dispositifs intégrés pour l'analyse et le contrôle de lumière cohérente : conception conjointe de circuits opto-électroniques et systèmes optiques

Nouveaux dispositifs intégrés pour l'analyse et le contrôle de lumière cohérente : conception conjointe de circuits opto-électroniques et systèmes optiques

... la lumière dans les tissus biologiques. Les phénomènes d’absorption et de diffusion sont décrits et des valeurs physiques basées sur des mesures expérimentales de la littérature justifient les arguments développés dans ...

166

Contribution à l'étude des procédés de réalisation de circuits intégrés optiques en matériaux polymères

Contribution à l'étude des procédés de réalisation de circuits intégrés optiques en matériaux polymères

... les dispositifs d’insolation dont les longueurs d’ondes sont dans l’UV proche font partie des équipements les moins onéreux pour la fonction de photo-répétition de motifs ; ce qui permet bien évidemment d’avoir un ...

314

Modélisation de l’injection de faute électromagnétique sur circuits intégrés sécurisés et contre-mesures

Modélisation de l’injection de faute électromagnétique sur circuits intégrés sécurisés et contre-mesures

... : Modélisation de l’impact d’une EMFI sur le fonctionnement d’un CI synchrone Ces différences sont probablement dues au fait que notre modélisation de la chute de swing ne fait intervenir que des éléments ...

159

Conception des circuits intégrés

Conception des circuits intégrés

... Combinatoire détection fin débuter terminé Rin Aout Rout Ain Rin Aout Rout Ain avec délai τ. τ > temps de calcul de fin de calcul avec détection[r] ...

16

Le potentiel de Smart Power de l'UE : comment penser la puissance européenne ?

Le potentiel de Smart Power de l'UE : comment penser la puissance européenne ?

... oeuvre de la PESD n’a pas vraiment changé la situation. Cette fois, l’effectivité de cette politique a été mise en question, puisqu’il y a une tendance à comparer la capacité militaire de l’UE avec celle des Etats-Unis ...

502

Show all 10000 documents...

Related subjects