... les circuitsintégrés de puissance ont connu une croissance très ...de puissance de plus en plus élevée ont mis en évidence la nécessité de structures toujours plus ...“smart ...
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... en tension, celle-ci étant directement reliée à la taille du caisson épitaxié dans lequel le MOS de puissance est ...en tension de ces transistors de puissance, soit d’augmenter ...
... des circuitsintégrés aux agressions rayonnées en champ proche sation de cette méthode d’injection est la création d’un champ électromagnétique entre la source de perturbation (la tête de la sonde : brin ou ...
... de puissance moyen (MPA) de type SSPA et l’utilisation d’un ATOP pour l’amplification finale ...à haute mobilité électronique (pHEMT) basée sur l’Arséniure de Gallium ...de modélisation et de ...
... d’une tension de fréquence 300 ...la tension d’arbre en atténuant les amplitudes des harmoniques relatifs à chacun des ...la tension d’arbre n’induisent que des amplitudes des harmoniques ...
... les dispositifs ou les circuits électroniques contre les décharges électrostatiques, une structure de protection ESD doit résister elle-même à la décharge contre laquelle elle est supposée ...la ...
... la haute atmosphère du Soleil ...La haute atmosphère du Soleil (appelée couronne) est composée d’un plasma très chaud (température supérieure au million de degrés) animant les électrons d’une vitesse ...
... de puissance isolé ILDMOS malgré sa faible tenue en ...de puissance de hautetension, une autre structure de protection à base d’anneaux de garde a été ...des circuitsintégrés ...
... génération hautetension Les principales originalités de la structure proposée ont été développées pour répondre aux exi- gences très particulières du générateur hautetension dans notre ...de ...
... de puissance : il est rapide, son impédance d'entrée est très grande en basse fréquence et il est très stable ...la tension visée pour cette application (1200 V), les structures MOS conventionnelles ...
... transistors MOS, est pénalisé, dans le cas d’une utilisation pour des composants latéraux, à cause de l’effet de champ engendré par l’électrode de substrat en face arrière qui dégrade la tenue en ...en ...
... en puissance en bande W sont ...en puissance permettrait d’atteindre des puissances de sortie en saturation notablement plus ...en puissance augmentant les niveaux de puissance de sortie du ...
... la modélisation des structures MOS affectées par des défauts qui détériorent leurs propriétés ...transistor MOS, afin de créer les modèles de base permettant de simuler les différents mécanismes de ...
... la puissance a une forme en ...une puissance critique au-delà de laquelle elle ...cette puissance n’est plus ...plasma haute pression, mais aussi que pour les faibles pressions, le phénomène ...
... la lumière dans les tissus biologiques. Les phénomènes d’absorption et de diffusion sont décrits et des valeurs physiques basées sur des mesures expérimentales de la littérature justifient les arguments développés dans ...
... les dispositifs d’insolation dont les longueurs d’ondes sont dans l’UV proche font partie des équipements les moins onéreux pour la fonction de photo-répétition de motifs ; ce qui permet bien évidemment d’avoir un ...
... : Modélisation de l’impact d’une EMFI sur le fonctionnement d’un CI synchrone Ces différences sont probablement dues au fait que notre modélisation de la chute de swing ne fait intervenir que des éléments ...
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... oeuvre de la PESD n’a pas vraiment changé la situation. Cette fois, l’effectivité de cette politique a été mise en question, puisqu’il y a une tendance à comparer la capacité militaire de l’UE avec celle des Etats-Unis ...