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Haut PDF Conception de transistors MOS haute tension (1200 Volts) pour l'électronique de puissance

Conception de transistors MOS haute tension (1200 Volts) pour l'électronique de puissance

Conception de transistors MOS haute tension (1200 Volts) pour l'électronique de puissance

... de puissance : il est rapide, son impédance d'entrée est très grande en basse fréquence et il est très stable ...la tension visée pour cette application (1200 V), les structures MOS conventionnelles ...

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Conception de transistors MOS haute tension en technologie CMOS 0,18 µm sur substrat "silicium sur isolant" (SOI) pour les nouvelles générations de circuits intégrés de puissance

Conception de transistors MOS haute tension en technologie CMOS 0,18 µm sur substrat "silicium sur isolant" (SOI) pour les nouvelles générations de circuits intégrés de puissance

... de puissance dans ces technologies, mais aussi les solutions d’isolation ...composants MOS haute tension. Les transistors MOS sont à conduction unipolaire, ce qui signifie qu’ils ...

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Conception de transistors haute tension complémentaires en technologie 65nm sur substrat silicium sur isolant fin pour applications RF et conversion de puissance

Conception de transistors haute tension complémentaires en technologie 65nm sur substrat silicium sur isolant fin pour applications RF et conversion de puissance

... Dans un premier temps, les différentes technologies de puissance sur silicium sont présentées, en particulier les différentes applications visées, les types de composants existants et en[r] ...

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Structures MOS-IGBT sur technologie SOI en vue de l'amélioration des performances à haute température de composants de puissance et de protections ESD

Structures MOS-IGBT sur technologie SOI en vue de l'amélioration des performances à haute température de composants de puissance et de protections ESD

... mixte MOS-IGBT permet d’augmenter la robustesse en courant par unité de longueur d’un facteur 30 à 40 selon le rapport de ...la tension de grille V GS . Comme le montre la Figure 4.19 pour une ...

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Développement de briques technologiques pour la réalisation de transistor MOS de puissance en Nitrure de Gallium

Développement de briques technologiques pour la réalisation de transistor MOS de puissance en Nitrure de Gallium

... la conception des dispositifs de puissance du futur apparaît aujourd’hui comme une « évidence » pour de nombreux acteurs du do- maine de l’électronique de puissance, depuis les fondeurs et les ...

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Conception de transistors FLYMOSTM verticaux de puissance adaptés aux applications automobiles du futur (batterie 42V)

Conception de transistors FLYMOSTM verticaux de puissance adaptés aux applications automobiles du futur (batterie 42V)

... de puissance pour laquelle le compromis "Tenue en tension / Résistance à l’état passant" représente un véritable enjeu, compte tenu des futures puissances qu’elle devra ...technologies MOS de ...

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Développement de briques technologiques pour la réalisation de composants de puissance MOS sur diamant

Développement de briques technologiques pour la réalisation de composants de puissance MOS sur diamant

... de puissance à se tourner vers les matériaux semiconducteurs à large bande interdite pour la réalisation de composants dédiés aux fortes ...de puissance performants en termes de tenue en tension, de ...

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Contribution à la conception de structures de packaging pour les modules de puissance très haute tension : contraintes sur les isolants

Contribution à la conception de structures de packaging pour les modules de puissance très haute tension : contraintes sur les isolants

... de puissance, substrat isolant métallisé, point triple, méthode des éléments ...très haute tension (comme des diodes bipolaire [1], et transistors [2], [3], [4]), permet une évolution majeure ...

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Contribution à la modélisation des dispositifs MOS haute tension pour les circuits intégrés de puissance ("Smart Power")

Contribution à la modélisation des dispositifs MOS haute tension pour les circuits intégrés de puissance ("Smart Power")

... de puissance. Le LDMOS (latéral double diffusé MOS) [Efl94] est caractérisé par la présence d’une région faiblement dopée entre le canal et le drain N + et par son électrode de drain située sur la ...

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Développement d'architectures 3D à base de transistors MOS à canal nanofil III-V

Développement d'architectures 3D à base de transistors MOS à canal nanofil III-V

... la puissance ICP (Inductively Coupled Plasma) ainsi que le ratio de gaz Cl 2 /N 2 ...une puissance ICP trop faible (< 120 W), la formation des ions dans le plasma n’est pas ...la puissance ICP est ...

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Conception d'échantillonneurs-bloqueurs dans la technologie MOS submicronique

Conception d'échantillonneurs-bloqueurs dans la technologie MOS submicronique

... Le modèle comportemental de l'EIB en fonction de la distorsion d'injection de charges développé dans cette section concerne uniquement l'échantillonneur n-MOS simple[r] ...

134

Découverte automatique de circuits en électronique de puissance

Découverte automatique de circuits en électronique de puissance

... ωã_ÛSç_ȧÙÚÙØÈJÉFæ§ã_ÏyÐßÍÎ˼×ØÏyÐÎȧɆ˼Û{æ§ã_ÛÖÍÎÉAå‰È®Ùñˊô_ùJωù§ÍÎË?Ðß×Úã_Ï{ã_Û{ÊdÈJÍÎǞÈJÐÞÐßÍÎÈ´åÖȞåÖù§æ§ÍÞ×ØÍÞȴʉÙØۉÉFÊÖÍÎù§æJ×ØÉÞù§ÇžÈ§ÏyÐ ÙØÈOä7ã¼Ï‰æJÐÎ×Øã_ωÏÖȧǞȧÏyÐbå‰[r] ...

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Etude et modélisation des transistors à effet de champ microondes à basse température. Application à la conception d'oscillateurs à haute pureté spectrale

Etude et modélisation des transistors à effet de champ microondes à basse température. Application à la conception d'oscillateurs à haute pureté spectrale

... L’archive ouverte pluridisciplinaire HAL, est destinée au dépôt et à la diffusion de documents scientifiques de niveau recherche, publiés ou non, émanant des établissements d’enseignemen[r] ...

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Transistors MOS sur films minces de Silicium-sur-Isolant (SOI) complètement désertés pour le noeud technologique 10nm

Transistors MOS sur films minces de Silicium-sur-Isolant (SOI) complètement désertés pour le noeud technologique 10nm

... aux S/D sur SOI. II.6. Effets de contrainte induits par le STI Sauf exceptions, l’isolation électrique des zones actives est réalisée par des tranchées profondes (de quelques dizaines à quelques centaines de nanomètres) ...

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Contributions à l’optimisation fonctionnelle en électronique de puissance

Contributions à l’optimisation fonctionnelle en électronique de puissance

... de puissance Quelques problématiques liées aux stratégies de ...de tension continues à des charges ou récepteurs, se comportant comme des sources de courant ...variateur électronique de ...de ...

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Caractéristiques des polymères encapsulants en électronique de puissance

Caractéristiques des polymères encapsulants en électronique de puissance

... à Equipe Interface et Matériaux Fonctionnels (IMF) pour la caractérisation physique du polymère à Equipe Décision, Interaction et Dynamique des Systèmes (DIDS) pour la modélisation électro-thermo-mécanique de ...

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Ingénierie de grille pour application à la micro-électronique MOS sub-micronique

Ingénierie de grille pour application à la micro-électronique MOS sub-micronique

... La densité du nitrure étant supérieure à celle de l’oxyde [I-236], une importance particulière doit être portée sur le rôle des liaisons aux interfaces, ou dans le matériau de façon à mieux identifier les défauts (liés ...

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PROPRIETES STRUCTURALES ET ELECTRIQUES DE TRANSISTOR DE PUISSANCE DE TYPE LD-MOS

PROPRIETES STRUCTURALES ET ELECTRIQUES DE TRANSISTOR DE PUISSANCE DE TYPE LD-MOS

... des transistors de type MOS ...des transistors MOS à effet de champ a été proposé au début des années 1930 par Julius Edgar Lilienfeld et Oskar Heil, ensuite a été étudié par William Bradford ...

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Etude de contournement des isolateurs à haute tension

Etude de contournement des isolateurs à haute tension

... la tension de contournement Finalement nous présentons les résultats expérimentaux obtenus et les ...la tension pour tous les types de pollution diminue avec l’augmentation de la zone polluée cette ...

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Adaptation du moteur électrique à la haute tension

Adaptation du moteur électrique à la haute tension

... électrique, Haute tension, Décharges partielles, conducteurs épingle, systèmes d’isolations Abstract This project aims to adapt an electric motor used for vehicle to high voltage, where this rise in voltage ...

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