[PDF] Top 20 Circuits intégrés photoniques silicium

... e silicium (Si) est l'un des ma- tériaux qui ont radicalement changé le monde scientifique, technologique et sociétal à partir de l'invention du transistor en ...de circuits intégrés et fonctions ... Voir le document complet

... Les circuits intégrés de puissance combinent dans une même puce des fonctions logiques digitales, obtenues par des circuits CMOS, associées à des interrupteurs de puissance de type transistors ...les ... Voir le document complet

... Ce mémoire présente un algorithme de diagnostic d' un réseau d ' interconnexions programmable (Field Programmable Interconnect Network , FPIN) dans un circuit intégré [r] ... Voir le document complet

... des circuits intégrés en silicium, et plus particulièrement sur la modélisation d'un modèle de four de recuit rapide en vue de son optimisation, l'amélioration de sa métrologie, et la mise en place ... Voir le document complet

... de circuits et systèmes ...des circuits dès leurs premières phases de conception pour en réduire le coût inhérent au ...de silicium, le test de ces circuits intégrés devient toujours ... Voir le document complet

... Les circuits intégrés mixtes développés pour les nouvelles applications multimédias et télécommunications sont constitués de blocs analogiques et de blocs ...ces circuits mixtes est un facteur ... Voir le document complet

... des circuits vis-à-vis des ondes de type HBM induites par ...sur silicium de structures technologiques utilisant la conduction par transistor ...des circuits indus- ... Voir le document complet

... 11 Bien que les avantages de la technologie FDSOI soient maintenant largement démontrés et reconnus au niveau transistor, il est également important d’évaluer les avantages de cette technologie au niveau circuit et plus ... Voir le document complet

... Table des figures Figure II.4 : Photo d’une goutte d’un mélange PMMA/TCE (300g.L -1 ).......................70 Figure II.5 : Photo d’une goutte d’un mélange PMMA/acétone (300g.L -1 ). .................71 Figure II.6 : ... Voir le document complet

... l'échelle de la longueur d'onde [ 5 ]. Le domaine de longueurs d'onde pour lesquelles le cristal photonique fait preuve d'une forte réexion est appelé bande interdite photo- nique, (en anglais, photonic bandgap). Les ... Voir le document complet

... Chapitre 1!: Etat de l’art des protections étude a démontré l’efficacité du transistor de puissance isolé ILDMOS malgré sa faible tenue en tension. Pour un transistor de puissance de haute tension, une autre structure ... Voir le document complet

... sur silicium Contrairement à un SPAD individuel, un photomultiplicateur sur silicium (Silicon photomultiplier, ou SiPM) 10 se compose d’une matrice à deux dimensions de SPAD étouffés individuellement avec ... Voir le document complet

... des circuits fonctionnant en milieu ...du silicium. L’évacuation de la chaleur est plus difficile pour les circuits SOI, ce qui conduit à augmenter la température des composants par rapport aux ... Voir le document complet

... technologie silicium germanium (SiGe) suscitent sa possible utilisation dans les applications à haute ...de circuits intégrés monolithiques (MMIC) faibles bruit dans la bande de 10 ...les ... Voir le document complet

... de circuits asynchrones, on se rend rapidement compte qu’il y a une grande variété de types de circuit et de méthodes de test ...les circuits synchrones, la réalité est tout autre pour son pendant ...sur ... Voir le document complet

... Abstract : With the emergence of Internet of Things (IoT), diversification of communication means and rise of processors’ computational power, the requirements in data exchange never stopped rising. These technologies ... Voir le document complet

... sur silicium n’a été ...dispositifs intégrés sur silicium, la fonderie fournie des informations ...du silicium (complète et partielle) et celles des couches de métaux ...cristaux ... Voir le document complet

... baisses de tension dans le mode test. Encore une fois, les auteurs ne tiennent pas compte de la présence des PIMs dans les modes test et fonctionnel. L’un des inconvénients des tests de balayage à vitesse nominale est ... Voir le document complet

... du silicium poreux, attribuée au confinement quantique des porteurs au sein du silicium nanométrique, d’immenses efforts ont été consacrés à l’étude des propriétés d’émission de ces ...dispositifs ... Voir le document complet

... Conclusion générale 143 8. Optimisation du placement des cellules d’horloges dans la grille d’alimentation Durant cette étude, les cellules d’horloge ont été identifiées comme les principales responsables des violations ... Voir le document complet