Haut PDF Circuits intégrés photoniques silicium
Circuits intégrés photoniques silicium
... e silicium (Si) est l'un des ma- tériaux qui ont radicalement changé le monde scientifique, technologique et sociétal à partir de l'invention du transistor en ...de circuits intégrés et fonctions ...
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Conception de transistors MOS haute tension en technologie CMOS 0,18 µm sur substrat "silicium sur isolant" (SOI) pour les nouvelles générations de circuits intégrés de puissance
... Les circuits intégrés de puissance combinent dans une même puce des fonctions logiques digitales, obtenues par des circuits CMOS, associées à des interrupteurs de puissance de type transistors ...les ...
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Diagnostic des réseaux d'interconnexions programmables dans les circuits intégrés à l'échelle de la tranche de silicium
... Ce mémoire présente un algorithme de diagnostic d' un réseau d ' interconnexions programmable (Field Programmable Interconnect Network , FPIN) dans un circuit intégré [r] ...
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Methodologie de conception des protections des circuits intégrés contre les décharges électostatiques
... des circuits intégrés en silicium, et plus particulièrement sur la modélisation d'un modèle de four de recuit rapide en vue de son optimisation, l'amélioration de sa métrologie, et la mise en place ...
98
Conception testable de circuits intégrés complexes à très haut niveau
... de circuits et systèmes ...des circuits dès leurs premières phases de conception pour en réduire le coût inhérent au ...de silicium, le test de ces circuits intégrés devient toujours ...
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Contribution à la qualité et à la fiabilité des circuits et systèmes intégrés et à la microélectronique médicale
... Les circuits intégrés mixtes développés pour les nouvelles applications multimédias et télécommunications sont constitués de blocs analogiques et de blocs ...ces circuits mixtes est un facteur ...
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Protection des Circuits Intégrés CMOS Profondément Submicroniques contre les Décharges Electrostatiques
... des circuits vis-à-vis des ondes de type HBM induites par ...sur silicium de structures technologiques utilisant la conduction par transistor ...des circuits indus- ...
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Etude statistique de l’énergie dans les circuits intégrés CMOS-FDSOI : caractérisation et optimisation
... 11 Bien que les avantages de la technologie FDSOI soient maintenant largement démontrés et reconnus au niveau transistor, il est également important d’évaluer les avantages de cette technologie au niveau circuit et plus ...
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Contribution à l'étude des procédés de réalisation de circuits intégrés optiques en matériaux polymères
... Table des figures Figure II.4 : Photo d’une goutte d’un mélange PMMA/TCE (300g.L -1 ).......................70 Figure II.5 : Photo d’une goutte d’un mélange PMMA/acétone (300g.L -1 ). .................71 Figure II.6 : ...
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Génération de seconde harmonique dans les microdisques de phosphure de gallium intégrés sur silicium
... l'échelle de la longueur d'onde [ 5 ]. Le domaine de longueurs d'onde pour lesquelles le cristal photonique fait preuve d'une forte ré exion est appelé bande interdite photo- nique, (en anglais, photonic bandgap). Les ...
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Mécanismes d'injection de porteurs minoritaires dans les circuits intégrés de puissance et structures de protections associées
... Chapitre 1!: Etat de l’art des protections étude a démontré l’efficacité du transistor de puissance isolé ILDMOS malgré sa faible tenue en tension. Pour un transistor de puissance de haute tension, une autre structure ...
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Conception de matrices de diodes avalanche à photon unique sur circuits intégrés CMOS 3D
... sur silicium Contrairement à un SPAD individuel, un photomultiplicateur sur silicium (Silicon photomultiplier, ou SiPM) 10 se compose d’une matrice à deux dimensions de SPAD étouffés individuellement avec ...
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Contribution à la modélisation des dispositifs MOS haute tension pour les circuits intégrés de puissance ("Smart Power")
... des circuits fonctionnant en milieu ...du silicium. L’évacuation de la chaleur est plus difficile pour les circuits SOI, ce qui conduit à augmenter la température des composants par rapport aux ...
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Conception et caractérisation de circuits intégrés en technologie BiCMOS SiGe pour application de télécommunication en bande X
... technologie silicium germanium (SiGe) suscitent sa possible utilisation dans les applications à haute ...de circuits intégrés monolithiques (MMIC) faibles bruit dans la bande de 10 ...les ...
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2019 — Amélioration du processus de testabilité des circuits intégrés asynchrones dérivés de la topologie de conception d'Octasic
... de circuits asynchrones, on se rend rapidement compte qu’il y a une grande variété de types de circuit et de méthodes de test ...les circuits synchrones, la réalité est tout autre pour son pendant ...sur ...
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Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques de semiconducteurs III-As sur substrat silicium et formation de contacts ohmiques pour les applications photoniques et RF sur silicium
... Abstract : With the emergence of Internet of Things (IoT), diversification of communication means and rise of processors’ computational power, the requirements in data exchange never stopped rising. These technologies ...
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Modulateurs intégrés sur silicium pour la transmission de signaux à modulation d'amplitude multi-niveau
... sur silicium n’a été ...dispositifs intégrés sur silicium, la fonderie fournie des informations ...du silicium (complète et partielle) et celles des couches de métaux ...cristaux ...
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2013 — Émulation et comparaison du mode test et du mode fonctionnel des circuits intégrés à horloges multiples
... baisses de tension dans le mode test. Encore une fois, les auteurs ne tiennent pas compte de la présence des PIMs dans les modes test et fonctionnel. L’un des inconvénients des tests de balayage à vitesse nominale est ...
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Contribution à l’optimisation du couplage Erbium – Nanograins de silicium pour des dispositifs photoniques compacts.
... du silicium poreux, attribuée au confinement quantique des porteurs au sein du silicium nanométrique, d’immenses efforts ont été consacrés à l’étude des propriétés d’émission de ces ...dispositifs ...
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Prévision des effets de vieillissement par électromigration dans les circuits intégrés CMOS en noeuds technologiques submicroniques.
... Conclusion générale 143 8. Optimisation du placement des cellules d’horloges dans la grille d’alimentation Durant cette étude, les cellules d’horloge ont été identifiées comme les principales responsables des violations ...
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