• Aucun résultat trouvé

Substrat silicium

Dopage de couches de GaN sur substrat silicium par implantation ionique

Dopage de couches de GaN sur substrat silicium par implantation ionique

... 175 Conclusion générale et perspectives: Le nitrure de gallium (GaN) possède des propriétés électriques et physiques qui en font un matériau clé pour le développement de dispositifs variés, allant de l’optoélectronique ...

183

Etude de la croissance et des propriétés de films minces d'AlN épitaxiés par jets moléculaires sur substrat silicium : application aux résonateurs acoustiques et perspectives d'hétérostructures intégrées sur silicium

Etude de la croissance et des propriétés de films minces d'AlN épitaxiés par jets moléculaires sur substrat silicium : application aux résonateurs acoustiques et perspectives d'hétérostructures intégrées sur silicium

... le substrat de silicium mais il a de plus été vérifié que ces QDs possèdent une luminescence intense dans l‟ultraviolet (UV) et ce, jusqu‟à température ...

147

Intégration de semi-conducteurs III-V sur substrat Silicium pour les transistors n-MOSFET à haute mobilité

Intégration de semi-conducteurs III-V sur substrat Silicium pour les transistors n-MOSFET à haute mobilité

... sur substrat Si ...du Silicium permettrait de profiter, à la fois des propriétés uniques de ces matériaux, et aussi des lignes industrielles de la ...sur substrat Si. L’épitaxie sur substrat ...

143

Conception de transistors MOS haute tension en technologie CMOS 0,18 µm sur substrat "silicium sur isolant" (SOI) pour les nouvelles générations de circuits intégrés de puissance

Conception de transistors MOS haute tension en technologie CMOS 0,18 µm sur substrat "silicium sur isolant" (SOI) pour les nouvelles générations de circuits intégrés de puissance

... Les circuits intégrés de puissance combinent dans une même puce des fonctions logiques digitales, obtenues par des circuits CMOS, associées à des interrupteurs de puissance de type transistors DMOS. La demande pour des ...

152

Optimisation de l'épitaxie sous jets moléculaires d'hétérostructures à base de GaN : application aux transistors à haute mobilité d'électrons sur substrat silicium

Optimisation de l'épitaxie sous jets moléculaires d'hétérostructures à base de GaN : application aux transistors à haute mobilité d'électrons sur substrat silicium

... licence exclusive avec la société Picogiga en 2004. Cette dernière s’est engagée dans le développement de la filière HEMT sur substrat silicium susceptible de déboucher sur des marchés de taille ...

281

Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques et caractérisation de semi-conducteur III-As sur substrat silicium dans une plateforme microélectronique

Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques et caractérisation de semi-conducteur III-As sur substrat silicium dans une plateforme microélectronique

... Au cours de cette étude portée sur la croissance du matériau In x Ga 1-x As sur pseudo-substrat de GaAs/Si(001), nous avons pu comprendre et déterminer les paramètres expérimentaux qui régissent ces épitaxies. ...

149

Conception de transistors haute tension complémentaires en technologie 65nm sur substrat silicium sur isolant fin pour applications RF et conversion de puissance

Conception de transistors haute tension complémentaires en technologie 65nm sur substrat silicium sur isolant fin pour applications RF et conversion de puissance

... Dans un premier temps, les différentes technologies de puissance sur silicium sont présentées, en particulier les différentes applications visées, les types de composants existants et en[r] ...

206

Nouveaux MEMS C-BAR : résonateurs capacitifs à ondes élastiques de volume piégées sur substrat Silicium.

Nouveaux MEMS C-BAR : résonateurs capacitifs à ondes élastiques de volume piégées sur substrat Silicium.

...  𝐿 + 2  𝐿 𝜌 (3.80) La vitesse de propagation des ondes est donc inversement proportionnelle à la densité du matériau en question. Ceci impose le choix de matériaux d’une densité égale ou inférieure à celle du ...

349

Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques de semiconducteurs III-As sur substrat silicium et formation de contacts ohmiques pour les applications photoniques et RF sur silicium

Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques de semiconducteurs III-As sur substrat silicium et formation de contacts ohmiques pour les applications photoniques et RF sur silicium

... Au cours de cette thèse, nous avons montré qu’il était possible d’obtenir du GaAs sur silicium nominal (100) sans parois d’antiphase. Néanmoins les diverses études ont mis en avant l’effet des dislocations ...

178

Condensation des excitons dans les nanostructures de silicium

Condensation des excitons dans les nanostructures de silicium

... le substrat en terminant le procédé par une gravure chimique dans une solution aqueuse de TMAH à 85 ◦ ...du substrat située à la verticale de la zone que l’on veut dégager (voir la figure ...du ...

206

Structuration dynamique du substrat lors de la croissance épitaxiale

Structuration dynamique du substrat lors de la croissance épitaxiale

... 1.2. STRUCTURATION PAR ONDE STATIONNAIRE : ´ ETAT DE L’ART 13 des cellules et des microparticules dans un fluide. La solution contenant les microparticules est inject´ ee dans un conduit d´ epos´ e directement sur la ...

122

Défauts et diffusion dans le silicium amorphe

Défauts et diffusion dans le silicium amorphe

... 29 Figure 2.15 Quantité totale d'excès de SPE versus la distance entre l'interface initiale. 2.10 Discussion Tout d’abord, la figure (2.8.a) montre clairement qu’il n’y a pas eu de déplacement d’interface après la ...

71

Transport du silicium par les aquaporines animales

Transport du silicium par les aquaporines animales

... Chez les animaux, le silicium est un élément trace abondant et compartimenté qui assurerait d’importants rôles biologiques. Il serait vraisemblable que les concentra- tions de siliciu[r] ...

149

Etude par spectrométrie Raman des défauts créés par l'implantation d'hydrogène et d'hélium dans le silicium et le silicium - germanium

Etude par spectrométrie Raman des défauts créés par l'implantation d'hydrogène et d'hélium dans le silicium et le silicium - germanium

... - La déformation biaxiale. Elle n’induit pas dans Si(110) une contrainte biaxiale (cf. Annexe B). Par conséquent, pour pouvoir comparer les résultats obtenus pour Si(110) et pour Si(100), nous raisonnerons en termes de ...

161

Endofaune du substrat meuble marin de la Côte de Mostaganem

Endofaune du substrat meuble marin de la Côte de Mostaganem

... 66 4. Conclusion Biodiversité L’étude réalisée à Stidia et à Salamandre sur la côte de Mostaganem a permis d’identifier 127 espèces vivant dans le substrat meuble marin. Les groupes taxonomiques majeurs sont ...

81

Microfabrication de tranchées d'isolement et de trous d'interconnexion à travers le silicium (TSV) pour l'amélioration de photomultiplicateurs de silicium(SiPM)

Microfabrication de tranchées d'isolement et de trous d'interconnexion à travers le silicium (TSV) pour l'amélioration de photomultiplicateurs de silicium(SiPM)

... 6.6.2.2 Une cavité au sein de certains TSV avant. Comme prévu, les tranchées, mais surtout les TSV avant, possèdent une cavité. Des tests de manipulation avec des pinces ordinaires de salle blanche et de support sur des ...

212

Circuits intégrés photoniques silicium

Circuits intégrés photoniques silicium

... sur silicium semble être une approche alternative crédible pour la réalisation de sources lasers sur ...plateforme silicium, deux approches ont alors été particu- lièrement étudiées : le collage sur struc- ...

6

Développement de procédés de gravure isotrope de Silicium sélectivement au silicium Germanium pour des applications CMOS sub 10nm

Développement de procédés de gravure isotrope de Silicium sélectivement au silicium Germanium pour des applications CMOS sub 10nm

... Cette étude était motivée par la nécessité d’intégrer de nouvelles architectures et de nouveaux matériaux pour les futurs nœuds technologiques (au-delà de 10 nm) CMOS, afin d’améliorer les performances des transistors. ...

167

Condensation d'ADN plasmidique par des diamines sur un substrat de graphite HOPG

Condensation d'ADN plasmidique par des diamines sur un substrat de graphite HOPG

... Condensation d’ADN plasmidique par des diamines sur un substrat de graphite HOPG. Ce travail vise à améliorer notre connaissance des effets produits par les électrons de basse énergie (EBEs) sur l’ADN. Parmi les ...

2

Le douglas sur substrat calcaire. Etude de ses potentialités forestières en Calestienne

Le douglas sur substrat calcaire. Etude de ses potentialités forestières en Calestienne

... • il peut être introduit sur les sols décarbonatés même (très) superfi- ciels si le substrat est assez fissuré. Le douglas est moins productif sur ce genre de station mais s’adapte mieux que beaucoup d’autres ...

6

Show all 441 documents...

Sujets connexes