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Phase vapeur

Conception de transmetteurs 1,3 µm par épitaxie sélective en phase vapeur aux organo-métalliques

Conception de transmetteurs 1,3 µm par épitaxie sélective en phase vapeur aux organo-métalliques

... Dans le cas de la technique par recroissance bout à bout, il est nécessaire d’effectuer plusieurs étapes d’épitaxie et de gravures sélectives afin de réaliser l’intégration. Une première épitaxie définit une zone active. ...

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Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques et caractérisation de semi-conducteur III-As sur substrat silicium dans une plateforme microélectronique

Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques et caractérisation de semi-conducteur III-As sur substrat silicium dans une plateforme microélectronique

... Au cours de cette étude portée sur la croissance du matériau In x Ga 1-x As sur pseudo-substrat de GaAs/Si(001), nous avons pu comprendre et déterminer les paramètres expérimentaux qui régissent ces épitaxies. Tout ...

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Dépôt chimique en phase vapeur d'Al, Cu et Fe en vue d'élaboration de films composés de phases intermétalliques

Dépôt chimique en phase vapeur d'Al, Cu et Fe en vue d'élaboration de films composés de phases intermétalliques

... en phase vapeur (CVD) doit être sélectionné et traité de manière à se décomposer proprement (coupure propre des liaisons chimiques, stabilité des ligands ou de leurs fragments etc… ...

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Développement d'une plateforme de simulation atomistique pour les procédés en phase vapeur par une approche multi-niveaux : application au dépôt de CuO sur Al(111)

Développement d'une plateforme de simulation atomistique pour les procédés en phase vapeur par une approche multi-niveaux : application au dépôt de CuO sur Al(111)

... C’est dans ce deuxième axe que ce travail de thèse est développé : il s’intègre dans le contexte large de l’intégration de matériaux nano-structurés selon les dépôts en phase vapeur en proposant un outil de ...

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Dépôt chimique en phase vapeur de carbures de chrome, de silicium et d'hafnium assisté par injection liquide pulsée

Dépôt chimique en phase vapeur de carbures de chrome, de silicium et d'hafnium assisté par injection liquide pulsée

... Peu d’informations sont disponibles sur les dépôts à base d’hafnium en phase vapeur. Une référence donnée par [Kod1994] nous renseigne sur la possibilité de déposer de l’hafnium sous forme métallique à ...

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Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques de semiconducteurs III-As sur substrat silicium et formation de contacts ohmiques pour les applications photoniques et RF sur silicium

Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques de semiconducteurs III-As sur substrat silicium et formation de contacts ohmiques pour les applications photoniques et RF sur silicium

... Résumé thèse : Avec l’avènement de l’internet des objets, la diversification des moyens de communication et l’augmentation de la puissance de calcul des processeurs, les besoins en termes d’échange de données n’ont cessé ...

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Revêtements barrière d'alumine amorphe appliqués à l’intérieur de flacons pharmaceutiques en verre, par le procédé de dépôt chimique en phase vapeur.

Revêtements barrière d'alumine amorphe appliqués à l’intérieur de flacons pharmaceutiques en verre, par le procédé de dépôt chimique en phase vapeur.

... Les progrès de la recherche pharmaceutique sont tels qu’il existe aujourd’hui des molécules médicamenteuses pour soigner un nombre de plus en plus important de pathologies, pour des vaccins ou encore pour prolonger ...

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Revêtements aluminium-platine obtenus par dépôt chimique en phase vapeur pour la protection de l'alliage TI6242 contre l'oxydation à des températures inférieures à 600°C

Revêtements aluminium-platine obtenus par dépôt chimique en phase vapeur pour la protection de l'alliage TI6242 contre l'oxydation à des températures inférieures à 600°C

... Chapitre III Dépôts de Platine et d’Aluminium Comme le montrent les tableaux XVII et XVIII, Les co-dépôts réalisés ont pris pour base les conditions expérimentales des dépôts d’aluminium et platine. Les conditions ...

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Dépôt en phase vapeur et caractérisation des couches minces à base de polymères de polysilane et leurs applications dans les dispositifs semiconducteurs composés et en silicium

Dépôt en phase vapeur et caractérisation des couches minces à base de polymères de polysilane et leurs applications dans les dispositifs semiconducteurs composés et en silicium

... In spite of the growing importance of organic polymers, attention is being focused increasingly on polymers that contain inorganic elements as well as organic components [24]. The main[r] ...

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Du tri-isopropoxyde aux oxydes d'aluminium par dépôt chimique en phase vapeur : procédé, composition et propriétés des revêtements obtenus

Du tri-isopropoxyde aux oxydes d'aluminium par dépôt chimique en phase vapeur : procédé, composition et propriétés des revêtements obtenus

... de vapeur ; iv) les études ont été menées sur un domaine de température de dépôt de plusieurs centaines de degrés, mais certaines études de cinétique concluent que le TIA ne peut être utilisé efficacement que sur ...

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Etude de la croissance de boîtes quantiques InAs/InP(001) par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques pour des applications à 1,55 µm

Etude de la croissance de boîtes quantiques InAs/InP(001) par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques pour des applications à 1,55 µm

... en phase liquide (LPE), technique de croissance proche de l'équilibre, permet la première de réduire fortement le nombre de défauts dans les structures laser à ...

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Des particules revêtues aux matériaux massifs : synthèse par mécanofusion et dépôt chimique en phase vapeur, caractérisation et étude de l'oxydation à haute température

Des particules revêtues aux matériaux massifs : synthèse par mécanofusion et dépôt chimique en phase vapeur, caractérisation et étude de l'oxydation à haute température

... D` es lors qu’un agent r´ educteur est ajout´ e ` a une solution de sels m´ etalliques, trois cas de figure peuvent se pr´ esenter. Premi` erement, la r´ eduction des cations m´ etalliques ne s’op` ere pas et aucun d´ ...

207

Croissance de nanostructures de composés III-nitrures en épitaxie en phase vapeur d'organo-métalliques : de la croissance auto-assemblée à la croissance sélective

Croissance de nanostructures de composés III-nitrures en épitaxie en phase vapeur d'organo-métalliques : de la croissance auto-assemblée à la croissance sélective

... 5.2 SAG of GaN nanopyramids on GaN template been achieved by employing InGaN QDs as the active layer both in planar and NW-based devices [190]. Several approaches have been attempted to fabricate InGaN QDs mainly by ...

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Intégration monolithique sur silicium d'émetteurs de lumière à base de GaAs par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques sur pseudo-substrat de Ge/Si

Intégration monolithique sur silicium d'émetteurs de lumière à base de GaAs par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques sur pseudo-substrat de Ge/Si

... Apr`es avoir d´ecrit les applications potentielles de l’int´egration de GaAs sur silicium en d´ebut de chapitre, nous avons d´etaill´e les difficult´es de l’´epitaxie de GaAs sur substrat [r] ...

237

Élaboration et caractérisation de couches minces de dioxyde d'étain obtenues par dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Relations entre propriétés structurales et électriques. Application à la détection des gaz.

Élaboration et caractérisation de couches minces de dioxyde d'étain obtenues par dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Relations entre propriétés structurales et électriques. Application à la détection des gaz.

... Si 1'on utilise le modèle granulaire seul, il va être possible de calculer des valeurs de conductivité sous air et des valeurs de sensibilité très différentes selon des paramètres rel[r] ...

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Dépôts chimiques en phase vapeur de revêtements à base de chrome sur surfaces complexes pour environnements extrêmes : expérimental et simulation

Dépôts chimiques en phase vapeur de revêtements à base de chrome sur surfaces complexes pour environnements extrêmes : expérimental et simulation

... En fonctionnement, les gaines de combustible nucléaires sont plongées dans la cuve du réacteur, remplie d’eau du circuit primaire. A son contact, l’alliage de zirconium constituant les gaines s’oxyde de manière ...

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Photocatalyseurs à base de TIO2 préparés par infiltration chimique en phase vapeur (CVI) sur supports microfibreux

Photocatalyseurs à base de TIO2 préparés par infiltration chimique en phase vapeur (CVI) sur supports microfibreux

... 2.6.1. Réacteur photocatalytique Le réacteur est un cylindre en acier (D int = 30 mm) vertical, fermé aux deux extrémités de manière étanche à l’aide de joints toriques. La partie haute est fermée par une pièce de verre ...

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Modélisation multiéchelle de la structuration des interfaces dans les nanothermites multicouches Al/Cuo déposées en phase vapeur

Modélisation multiéchelle de la structuration des interfaces dans les nanothermites multicouches Al/Cuo déposées en phase vapeur

... Chapitre 1 : problématique et enjeux de la thèse La formation d'une telle couche est donc inévitable mais pourra être variée suivant les procédés de fabrication utilisés et leur paramétr[r] ...

180

Contribution à l'étude du changement de phase liquide-vapeur dans des capillaires micrométriques en vue des applications aux étanchéités statiques

Contribution à l'étude du changement de phase liquide-vapeur dans des capillaires micrométriques en vue des applications aux étanchéités statiques

... de phase liquide-vapeur en milieu confin´ e sont d´ etaill´ ...la phase vapeur, d’autre part, constituer une base de comparaison avec les exp´ erimentations pr´ ec´ e- dentes et, enfin, ...

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Rôle de la vapeur d'eau dans le cycle hydrologique en Arctique

Rôle de la vapeur d'eau dans le cycle hydrologique en Arctique

... de vapeur d'eau évaporées par le sol et les végétaux) et l'évapotranspiration de référence (quantité maximale d'eau susceptible d'être perdue en phase vapeur par une couverture végétale ...

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