Défauts ponctuels dans le silicium
Étude en dynamique moléculaire par approximation des liaisons fortes de l'influence des défauts ponctuels dans la relaxation du silicium amorphe
... Nous sommes aussi obligés de conclure que certains atomes situés à plus de 3 Â des lacunes, donc des atomes qui ne sont pas dans le groupe des voisins, partic[r] ...
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Étude de la formation d'agrégats de défauts ponctuels et d'impuretés de lithium dans le silicium cristallin par méthodes Monte-Carlo cinétique
... Revenons au côté algorithmique ; l’apport du couplage entre ARTc et LAMMPS est considérable puisqu’il a grandement ouvert le domaine d’applicabilité de la méthode pour des systèmes dont la complexité freinait la ...
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Défauts et diffusion dans le silicium amorphe
... des défauts ponctuels dans l’a-Si sur une distance ...des défauts introduits relativement loin de l’interface à des énergies ...des défauts supplémentaires produits dans cette couche et ...
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Etude par spectrométrie Raman des défauts créés par l'implantation d'hydrogène et d'hélium dans le silicium et le silicium - germanium
... Le deuxième chapitre est consacré à la présentation de la spectrométrie Raman. Nous décrivons les mécanismes en jeu dans la diffusion de la lumière par les phonons au sein de matériaux cristallins et amorphes. Dans le ...
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É́tude sur la cinétique des défauts structuraux dans le silicium amorphe
... des défauts structuraux dans un solide désor- donné bien précis, soit le silicium ...des défauts de structure et leur rôle dans le pro- cessus de relaxation structurelle ne sont pas encore bien ...de ...
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Interactions entre le silicium liquide et le carbure de silicium, application au composite SiC/SiC
... du silicium a suscité plus d’intérêt que le dopage du carbure du silicium, si bien que peu d’informations sont disponibles dans la littérature à ce ...du silicium et du carbure de silicium, ...
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Environnement local des défauts structurels et ordre à moyenne portée dans le silicium amorphe
... de défauts ponctuels ou de régions locales fortement ...de silicium amorphe par le refroidissement rapide d’un liquide, que ce soit à l’aide de potentiels empiriques ou de techniques basées sur la ...
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Etude du couvert forestier par processus ponctuels marqués
... Cette thèse aborde le problème de l’extraction d’arbres à partir d’images aériennes InfraRouge Couleur (IRC) de forêts. Nos modèles reposent sur l’utilisation de processus objets ou processus ponctuels marqués. ...
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Évaluation de la performance de modèles ponctuels de précipitation à l'aide des courbes IDF.
... ( ': moments utilisé dans l'estimation des paramètres) 66 Tableau 5.5: Valeurs des paramètres obtenus avec la méthode de lafonction objectifselon les valeurs initiales, les éch[r] ...
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Silicium prophétie
... atteindre cette singularité peut être, reconnaissons-le, effrayant, mais nous pouvons aussi nous considérer comme des chenilles, bientôt des papillons, et, quand nous contemplons les é[r] ...
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Collage de silicium et d'oxyde de silicium : mécanismes mis en jeu
... de silicium déposés et pour un collage d'oxydes de silicium traités par CMP Nous nous sommes ensuite interessés à l'évolution en température de la densité et de la largeur de l'interface pour ces ...
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Pépite | Simulations et applications des k-processus ponctuels déterminantaux
... Since determinantal point processes are probabilistic models that capture negative correlation and give the likelihood of selecting a subset of items as the determinant of a kernel matri[r] ...
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Défauts d'orientation et de battement
... Défauts d’orientation et battement 1. Formulation du problème Les défauts d’orientation se caractérisent, comme les défauts de forme, par une fonction d’encadrement f ( x ; λ ) , mais à paramètres ...
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Prise en compte des ponts thermiques ponctuels et structurels
... Il faut noter que dans d’autres cas plus défavorables, ce chiffre peut varier entre 20 et 30%.[r] ...
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Sur la réalisation des espaces ponctuels à torsion en géométrie euclidienne
... — Les congruences à cône directeur double non plan, et les congruences à plan directeur (simple ou double), réalisent (dans le cas général où leur torsion nest pas partout nulle) des esp[r] ...
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Quels sont les défauts de la logique des défauts ?
... L’archive ouverte pluridisciplinaire HAL, est destinée au dépôt et à la diffusion de documents scientifiques de niveau recherche, publiés ou non, émanant des établissements d’enseignemen[r] ...
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Etude de l’influence des défauts ponctuels et du dopage sur les propriétés électroniques et magnétiques dans les semi-conducteurs à base de ZnO et CaO, par calcul ab initio.
... de défauts induits par ...certains défauts intrinsèques favorisent le ferromagnétisme dans les isolateurs simples et les semi-conducteurs nécessite d’un apport de quelques disciplines de la physique de la ...
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Etude des taux d'interet long terme Analyse stochastique des processus ponctuels determinantaux
... Dans la premi`ere partie de cette th`ese, nous donnons un point de vue financier sur l’´etude des taux d’int´erˆet long terme.. En finance, les mod`eles classiques de taux ne s’appliquen[r] ...
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Étude des défauts bidimensionnels à base d'hélium dans le silicium - Application au transfert de films minces
... du silicium. La propagation des fissures est initiée à partir de défauts bidimensionnels induits par implantation d’hydrogène, les « H-platelets ...de défauts nommés « He-plates » qui ont la ...
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Restauration de défauts de S-VHS
... • La structure avec le masque binaire de contours de la luminance S-VHS, base sur la technique dans [32] (Contours-Luma). Des tests ont ete faits avec la structure de reseaux de neurone[r] ...
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