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croissance directement sur isolant

Croissance de pseudo-substrats GaN semi polaire (10-11) sur silicium sur isolant (SOI)

Croissance de pseudo-substrats GaN semi polaire (10-11) sur silicium sur isolant (SOI)

... la croissance sur Si) il reste encore un travail important d’optimisation de la croissance, notamment pour diminuer la densité de BSF, améliorer l’état de la surface et de façon générale les qualités ...

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Proprietes et stabilite de l’interface isolant-pentacene dans les transistors organiques a effet de champ

Proprietes et stabilite de l’interface isolant-pentacene dans les transistors organiques a effet de champ

... une croissance différente des grains de pentacène sur une surface d’alumine traitée par une monocouche auto-assemblée d’acide eicosanoïque par rapport à une surface non traitée ...une croissance différente ...

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Caractérisation du risque incendie de la paille compressée comme isolant d'une structure en bois

Caractérisation du risque incendie de la paille compressée comme isolant d'une structure en bois

... la croissance mondiale de la population, indique que nous devons reconsidérer la façon dont nous construisons (Milani, 2005; Franzoni, 2011; Baharetha, Al-Hammad and Alshuwaikhat, ...

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Elaboration et caractérisation de structures métal-isolant-métal à base de TiO2 déposé par Atomic Layer Deposition

Elaboration et caractérisation de structures métal-isolant-métal à base de TiO2 déposé par Atomic Layer Deposition

... de croissance de la couche de TiO 2 , celle-ci peut se présenter sous forme amorphe ou posséder une structure cristalline appelé phase anatase ou phase ...- Isolant - Métal (MIM) ...la croissance des ...

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Matériaux de basse dimensionnalité : La transition métal-isolant en dimension deux

Matériaux de basse dimensionnalité : La transition métal-isolant en dimension deux

... dé- croissance de ρ lorsque la température diminue a été conrmée jusqu'à des températures très basses, ce comportement métallique est moins prononcé dans d'autres ...

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Étude par microscopie/spectroscopie tunnel de la transition isolant/métal induite par pulses électriques dans GaTa4Se8

Étude par microscopie/spectroscopie tunnel de la transition isolant/métal induite par pulses électriques dans GaTa4Se8

... Après le chargement via le sas, l’échantillon se trouve dans la chambre de préparation où il est monté dans un bloc à température variable, à l’extré- mité de la canne translatrice, autorisant une rotation axiale de ...

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La Croissance Démographique Est-elle Un Moteur Ou Un Frein à La Croissance économique ?

La Croissance Démographique Est-elle Un Moteur Ou Un Frein à La Croissance économique ?

... la croissance de long terme, qui est déterminée uniquement par le progrès technique ...de croissance de la population active a une influence négative sur le revenu par tête de l’économie par un effet de ...

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Croissance endogène et croissance des régions (vers une théorie de la croissance endogène spatialisée)

Croissance endogène et croissance des régions (vers une théorie de la croissance endogène spatialisée)

... l'apparition des rendements croissants. Face à l'internationalisation croissante des marchés et à l'incorporation de plus en plus importante de biens et services intermédiaires dans le[r] ...

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Preuves expérimentales d'un transport de surface sur un isolant topologique 3D HgTe/CdTe sus contrainte

Preuves expérimentales d'un transport de surface sur un isolant topologique 3D HgTe/CdTe sus contrainte

... est isolant un matériau dont les bandes d’énergies sont complètement remplies ou complètement vides ; est conducteur un maté- riau dont les bandes ne sont que partiellement ...d’être isolant excepté en leur ...

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Etude des potentialités du Parylene HT comme isolant au sein des modules de puissance Haute Température

Etude des potentialités du Parylene HT comme isolant au sein des modules de puissance Haute Température

... Les mesures de rigidité diélectrique ont été effectuées en appliquant un champ électrique DC linéairement croissant de rampe égale à 400 kV/cm/s, sur les films de Parylène HT contactés avec des électrodes métalliques : ...

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Contributions aux interfaces d'entrées / sorties rapides en technologies Silicium-Sur-Isolant partiellement et totalement désertées

Contributions aux interfaces d'entrées / sorties rapides en technologies Silicium-Sur-Isolant partiellement et totalement désertées

... Titre : Contributions aux Interfaces d’Entrées/Sorties rapides en technologies Silicium- Sur-Isolant partiellement et totalement désertées Résumé : Des spécificités de la technologie SOI partiellement désertée ...

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Transistors MOS sur films minces de Silicium-sur-Isolant (SOI) complètement désertés pour le noeud technologique 10nm

Transistors MOS sur films minces de Silicium-sur-Isolant (SOI) complètement désertés pour le noeud technologique 10nm

... χvec la miniaturisation, l’architecture planaire sur silicium massif fait face à de nombreux effets parasites : les fuites de courant dans le substrat sont trop i[r] ...

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Les régulateurs de croissance

Les régulateurs de croissance

... L’étéphon (1L/ha), le régulateur de croissance le meilleur marché, est la référence, malgré un moins bon comportement en 2006. Le Moddus est un raccourcisseur peut être trop efficace à la dose maximale agréée ...

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La croissance des pyrocarbones

La croissance des pyrocarbones

... Le réacteur peut être couplé à une microbalance (figure A) pour les études cinétiques : on peut ainsi enregistrer la prise de masse en fonction du temps dans des conditions de dépôt variées. Le même réacteur peut être ...

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Modélisation et simulation de l’effet des bras morts sur la conductivité électrique dans un réseau de percolation. Cas d’un matériau polymère isolant.

Modélisation et simulation de l’effet des bras morts sur la conductivité électrique dans un réseau de percolation. Cas d’un matériau polymère isolant.

... Le comportement de la conductivité électrique vis-à-vis du champ électrique type б(E)= β.exp (- η.E) a été vérifié par la simulation. C’est l’objet du chapitre (IV) : nous avons prouvé que certains bras morts ...

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GRAVURE ET TRAITEMENT PAR PLASMA DE MATERIAUX ORGANOSILICIES SIOC(H) POUR DES APPLICATIONS EN LITHOGRAPHIE AVANCEE ET COMME ISOLANT D'INTERCONNEXION EN MICROELECTRONIQUE

GRAVURE ET TRAITEMENT PAR PLASMA DE MATERIAUX ORGANOSILICIES SIOC(H) POUR DES APPLICATIONS EN LITHOGRAPHIE AVANCEE ET COMME ISOLANT D'INTERCONNEXION EN MICROELECTRONIQUE

... Ces avancées suivent la loi empirique de Gordon Moore qui prévoit un accroissement par quatre de la capacité des composants mémoires (RAM) tous les 3 ans. Cette augmentation est [r] ...

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Réalisation de structures métal - isolant - semiconducteur sur GaN par déposition PECVD de Si[indice inférieur x]N[indice inférieur y]

Réalisation de structures métal - isolant - semiconducteur sur GaN par déposition PECVD de Si[indice inférieur x]N[indice inférieur y]

... Les contacts ohmique sur substrat p-GaN sont plus difficiles à obtenir, les contacts Ni/Au réalisés garde une allure Schottky même après recuit sous O2, une étude plus approfondie est [r] ...

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Croissance de nanostructures de composés III-nitrures en épitaxie en phase vapeur d'organo-métalliques : de la croissance auto-assemblée à la croissance sélective

Croissance de nanostructures de composés III-nitrures en épitaxie en phase vapeur d'organo-métalliques : de la croissance auto-assemblée à la croissance sélective

... la croissance MOVPE de nanofils GaN non-catalys´e, alors mme que la MOVPE est largement utilis´ee par les industriels et repr´esente de f acto un enjeu ´economique, comme en t´emoigne la cr´eation de la start-up ...

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Contribution à l'étude de la robustesse des structures de bâtiments: prise en compte de la plastification progressive de la partie de la structure "non directement affectée" par l'évènement exceptionnel considéré

Contribution à l'étude de la robustesse des structures de bâtiments: prise en compte de la plastification progressive de la partie de la structure "non directement affectée" par l'évènement exceptionnel considéré

... Titre du travail : Contribution à l’étude de la robustesse des structures de bâtiments : prise en compte de la plastification progressive de la partie de la structure « non directement affectée » par l’événement ...

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La croissance par l'Orient ?

La croissance par l'Orient ?

... sa croissance récente : la quasi-­‐totalité de sa production de diamants, environ 70 % de sa production d’or et une partie importante (souvent majoritaire) de sa production et de ses réserves de pétrole, de gaz ...

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