HAL Id: jpa-00215343
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Submitted on 1 Jan 1973
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CALCUL DE LA STRUCTURE DE BANDES DU Si, Ge ET GaAs A PARTIR DE RÉSULTATS RÉCENTS
DE PHOTOÉMISSION DANS L’ULTRAVIOLET LOINTAIN
C. Chekroun, F. Herman, I. Otenburger
To cite this version:
C. Chekroun, F. Herman, I. Otenburger. CALCUL DE LA STRUCTURE DE BANDES DU Si, Ge ET GaAs A PARTIR DE RÉSULTATS RÉCENTS DE PHOTOÉMISSION DANS L’ULTRAVIOLET LOINTAIN. Journal de Physique Colloques, 1973, 34 (C6), pp.C6-85-C6-85.
�10.1051/jphyscol:1973622�. �jpa-00215343�
JOURNAL DE PHYSIQUE Colloque C6, suppléme~?t au no 1 1 - 12, Tome 34, Novenlbre-D6cernbre 1973, yuge C6-85
CALCUL DE LA STRUCTURE DE BANDES DU Si, Ge ET GaAs A PARTIR DE RÉSULTATS RÉCENTS DE PHOTOÉMISSION
DANS L'ULTRAVIOLET LOINTAIN
C. C H E K R O U N (*), F. H E R M A N , 1. O T E N B U R G E R IBM Research Laboratory, San-Jose, California 95193, USA.
Résumé. - Utilisant une méthode de pseudopotentiel (EPM) dans laquelle nous considérons la dépendance en énergie des facteurs de forme, nous avons recalculé la structure de bandes, la densité d'état du silicium, germanium, gallium arsénide et comparé celles-ci avec des résultats récents de photoémission.
Il semble alors que la variation en énergie des facteurs de forme soit non négligeable dans le cas du germanium et du silicium, fondamental dans le cas de semi-conducteurs hétéropolaires tels que le gallium arsénide.
(*) Laboratoire de Physique des Solides, Université Paris VI.
Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/jphyscol:1973622
