HAL Id: jpa-00206551
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Submitted on 1 Jan 1967
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Résonance nucléaire dans un solide paramagnétique concentré contenant des radicaux libres aromatiques
Jacques Conard, Sonia Gradsztajn
To cite this version:
Jacques Conard, Sonia Gradsztajn. Résonance nucléaire dans un solide paramagnétique concen- tré contenant des radicaux libres aromatiques. Journal de Physique, 1967, 28 (7), pp.551-554.
�10.1051/jphys:01967002807055100�. �jpa-00206551�
RÉSONANCE NUCLÉAIRE
DANS UN SOLIDEPARAMAGNÉTIQUE
CONCENTRECONTENANT DES RADICAUX LIBRES
AROMATIQUES
Par
JACQUES
CONARD et SONIAGRADSZTAJN,
Institut
d’Électronique
Fondamentale, Laboratoire associé au C.N.R.S., Faculté des Sciences, 91-Orsayet Faculté des Sciences, Paris.
Résumé. 2014 Les semicokes offrent la
propriété
depermettre
une variation de lafréquence d’échange électronique.
Nous avons étudié l’influence de cettefréquence
sur lespropriétés
dela résonance
magnétique
nucléaire desprotons
liés à la structurearomatique.
Conformémentaux
prévisions théoriques,
nous observons,quand
lafréquence d’échange augmente,
un rétré-cissement de la raie de R.M.N. et une
dépendance
atténuée de la relaxation nucléaire en fonction de la concentrationélectronique.
Abstract. 2014 The semicokes
permit easily
a variation of the electronicexchange frequency.
We
study
the influence of thisfrequency
on the nuclearmagnetic
resonance ofprotons
boundin the aromatic structure.
According
to theoreticalpredictions,
we observe, when theexchange frequency
increases,narrowing
of the N.M.R. line and a weakeneddependence
of the nuclear relaxation on the concentration of electronic centers.
De nombreuses
publications (Timerov..., Moriya, Winter)
traitent de la R.M.N. en milieuparamagn6- tique
solide concentr6. Laplupart
des résultatsexp6-
rimentaux
(Poulis, Werber..., Heller..., Shulman...)
concernent des cristaux pour
lesquels
lafrequence d’6change
a une valeur d6termin6e. I1 nous a paru int6ressant d’étudier deux familles de radicaux libresaromatiques,
dessemicokes, qui permettent
parsimple pyrolyse
deregler
le nombre de centres elec-troniques
entre 1018 et 102° par gramme et lafrequence d’6change
entre 1 et 500 MHz.Nous avons donc suivi 1’evolution des
propri6t6s magn6tiques 6lectroniques
et nucl6airesqui pouvaient
etre li6es a la
frequence d’6change (we).
Winter etMoriya
ont calcule les temps de relaxation nucl6aireT11
etT21
dans le cas d’unefrequence d’6change
tr6s6lev6e :
Dans le cas
d’échange
modere et de mouvementslents du reseau
(solide),
les formules 6tabliespar
Timerov et
Valiev,
selon la m6thode de Kubo et’
Tomita, peuvent
etre 6crites sous la forme suivante :Largeur
a mi-hauteur de la raie nucl6aire :a,s : interaction
dipolaire électron-noyau.
A : : interaction
scalaire;
S :
spin électronique;
ces :
pulsation
de Larmorelectronique;
11 est facile de faire varier la
frequence d’échange (Cùe)
et lechamp directeur, qui
intervient par lapul-
sation de Larmor des centres
6lectroniques (ws).
Nosconditions
expérimentales
nouspermettent
des me-sures dans trois
champs
directeurs de940,
3 500et 13 000
Gauss,
cos variant ainsi de 16 X 109 à 231 X 109rad/s.
D’autre
part,
lestemps
de relaxation6lectronique
des semicokes etudies vérifient les relations :
Les conditions
d’application
des formulesprece-
dentes sont
11T,s
Cùsqui
esttoujours v6rifi6e,
et
11T,s
wequi
est vérifiée seulement pour lesfréquences d’6change
lesplus
6lev6es. Nous devons observer le passage duregime
de centres6lectroniques
dilu6s
(de Gennes)
a celui decrit par cesequations.
Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/jphys:01967002807055100
552
1. Structure des semicokes utilisds. -
Chaque
semicoke est
repere
par saplus
hautetemperature
detraitement
(H.T.T.).
Les mesures ont ete faites surdeux familles de semicokes obtenus par
pyrolyse
dansla gamme de
temperature
4000-7000 C(H.T.T.)
dedeux matrices initiales :
a)
Un anthracite deFaulquemont,
d6barrass6 deses
impuret6s paramagnétiques (Fe2+)
par action de CIH et bien connu par d’autres 6tudes(Uebersfeld) (Repere FHTT).
b)
Un semicoke obtenu apartir
de saccharose à tres hautepuret6 ([Fe]
7ppm)
pour lecompte
duGroupe Français
d’Etude des Carbones(Repere SgTT).
Les semicokes sont constitués par
l’assemblage
deplaquettes polyaromatiques
dequelques
dizainesd’angstrom
de diam6tre etcomprenant
une dizaine deplans graphitiques. L’augmentation
de latemp6-
rature de traitement
(H.T.T.)
entraine a la fois uneextension des
plaquettes
et la formation de liaisonsentre les
plaquettes.
Les electrons radicalaires voient ainsi leur nombre et leur délocalisationaugmenter
et donner naissance a unefrequence d’6change
deplus
en
plus
6lev6ejusqu’A
des H.T.T. de l’ordre de 600- 700 OC. Au-dessus de cettetemperature apparait
uneconductivite
6lectrique qui
transforme leph6nom6ne.
Chaque plaquette
constitue un milieu tr6sanisotrope,
sans doute presque autant que le
graphite
monocris-tallin
(Wagoner).
Mais certains effets de moyenne sont dus a l’orientation al6atoire de cesplaquettes
parrapport
auchamp
directeur.2. Calcul de la
h£quence d’échange.
- Lafrequence d’6change peut
etre évaluée de deuxfaçons,
apartir
des mesures de
largeur
des raies de R.P.E. :10 A PARTIR DU RETRECISSEMENT DE LA LARGEUR DIPOLAIRE. - A 3 500 Gauss nous pouvons supposer que la
largeur
de raie est de naturedipolaire
r6tr6ciepar
échange.
Nousappliquons
alors la formule d’An-les Me faibles
(we 107 rad/s). AcoDp
se calcule par les formules de VanVieck ( Am5Ip )
= 41 X 10-2g n2ou n est le nombre de
spins 6lectroniques
parcm3,
en
supposant
lesspins 6lectroniques r6partis
defagon
uniforme dans unepoudre cubique.
Nousobtenons ainsi les courbes
( fig. 1) qui
montrent unevariation a peu
pr6s exponentielle
de we en fonction de la distance moyenne entre les centres.20 A PARTIR DES COURBES D’ELARGISSEMENT EN FONCTION DE
Ho.
-L’anisotropie de g
de la structurearomatique
est la causeprincipale
de1’elargissement
au-dessus de 3 500 Gauss. La délocalisation de 1’elec-
tron dans les
plaquettes
d’orientation diff6rente parrapport
auchamp
directeur moyenne cettelargeur,
a condition que :
A
FiG. 1. -
Fréquence d’6change
en fonction de la distance entre centresélectroniques, supposes
ar6partition
uni-forme. Pour une fonction d’onde a d6croissance expo- nentielle, ce
graphique
montre und6veloppement
deson extension, surtout pour
F600
etF650.
FIG. 2. -
Largeur
de la R. P. E. en fonction delapulsation 6lectronique
pour lesFaulquemont (trait plein)
et lessaccharoses
(pointille). L’élargissement,
du a 1’aniso-tropie de g,
est reduit par1’6change 6lectronique
entrecristallites.
L’observation des courbes
( fig. 2),
sans donner unemesure
veritable,
permet de recouper les valeurspr6c6dentes
de Cùe. Parexemple,
pour leS400 le
coude setrouve vers ms = 63 X 109
rad/s, s Ag # 10-4,
cequi
9 q
entraine we > 6 X 106
rad/s.
Le calcul d’Anderson donnait 10 X 106rad/s.
3. Influence du
champ dlectronique
sur la rdsonance nucléaire. - Si nousportons
lalargeur
de raie de R.M.N. en fonction de la concentration enprotons,
nous voyons que 1’accord n’est pas bon avec un
élargis-
sement
dipolaire, proportionnel
au nombre de pro- tons. Nous avonsplusieurs
preuves de l’intervention duchamp 6lectronique
dans la R.M.N.(Conard, 1965).
1. La
largeur
de la R.M.N.varie,
en fonction du nombre de centresélectroniques,
comme lalargeur
de la R.P.E. r6tr6cie par
6change (fig. 3).
FIG. 3. -
Largeur
des raies de R.P.E. et de R.M.N. enfonction du nombre de centres.
L’analogie
entre lesdeux courbes est
frappante
pour lesFaulquemont.
2. La
presence,
a la surface ducharbon, d’oxyg6ne qui
raccourcit le temps de relaxation 6lectro-nique TIs,
a pour effet de r6tr6cir la raie de R.M.N. Eneffet,
elle augmente lafrequence
defluctuation
6lectronique.
En memetemps,
la forme de la raie nucl6aire passe degaussienne
a lo-rentzienne.
3.
L’oxygene
augmente la relaxation nucl6aire d’au-tant
plus
nettement que lafrequence d’6change
estplus
faible. Ceci montre que les diminutions duLE JOURNAL DE PHYSIQUE. - T. 28. N° 7. JUILLET 1967.
temps
de correlation6lectronique
parl’augmen-
tation de we ou par diminution de
TIS
sontconcurrentielles.
4. L’introduction d’autres centres
paramagnétiques,
comme
Fe2+,
en nombrecomparable
au nombredes centres
radicalaires, perturbe
lesysteme d’échange
etproduit
un61argissement
de la R.P.E.(sans
modifier le nombre despins radicalaires).
Nous observons simultan6ment
l’élargissement
dela raie nucl6aire et
l’augmentation
dutemps
de relaxationTI1.
En
conclusion,
il est certain que toutes les modifi- cationsapport6es
au temps de correlation6lectronique
par ces actions sur Og et sur
Tls
ser6percutent
sur lalargeur
et letemps
de relaxation nucl6aire.4. Le r61e de la
h£quence d’échange.
- L’interven- tion du terme en exp.(ws j2we)
est faible pour lessemicokes etudies
(we cos),
cequi explique
le faiblerole du
champ
directeur. Lalargeur
varie sensiblementen
1/Cùe
pour Cùe cos etplus
lentementquand
we serapproche
de cos. Les semicokes deFaulquemont
donnent la meilleure verification de cette
loi,
bien que lafrequence d’6change
d6duite de lalargeur
R.P.E.soit moins 6lev6e que pour les saccharoses
( fig. 4).
Pour la
relaxation,
nous passons duregime
de centresparamagnétiques
dilu6sl/TI1 oc n,
auregime
avecechange 1 / T,., oc D/(Oe, puis
a1 j T li
oc(D + E)/Cùe
pour we tres
grand.
Nous voyons bien latransition,
en
particulier
pour lesFaulquemont
a 4 MHzqui
semblent donner sa valeur maximum au terme exp.
&)2 /2W2) (fig. 4).
Mais ce maximum doit seproduire
pour Cùe r-o.J cos. Or iciDiscussion. - En faisant des
hypotheses
tres sim-plificatrices quant
a la structure dessemicokes,
tellesque de supposer les centres
6lectroniques r6partis
uniformément dans une
poudre cubique homog6ne et A>
constant, nous voyons que lafrequence d’6change
augmente un peuplus rapidement qu’une
loi
exponentielle
avec la distance(modèle hydrogé- noide),
cequi
traduit bien une extension simultan6e des fonctions d’ondes.D’autre
part,
les variations de lalargeur
et de larelaxation
spin-r6seau
nucl6aire avec lafrequence d’échange
sontqualitativement
correctes. Nous pou-vons éviter le calcul de we et donner une
representation plus suggestive
duphenomene
en traçant simultan6-ment la
largeur
de la R.P.E. et de la R.M.N. en fonc- tion d’une variable accessibledirectement,
telle que le nombre de centres6lectroniques ( fig. 3).
Ces deuxlargeurs
suivent des loisanalogues (un
peu att6nu’e pour la R.M.N. sans doute par laparticipation
par- tielle d’une autre cause a lalargeur
deraie).
Cependant, plusieurs
indices : variation duTis
avecHo (Conard, 1963, we #
1011rad/s)
et duT1I
avec
we et Ha (maximum
pour we #ws # 1,6
X1010)
et effet
10/3,
font penser, pour lesFaulquemont,
à36
554
FIG. 4. -
Comparaison
entre lespropri6t6s
de la R.M.N. mesur6es(largeur
etrelaxation)
et lesprevisions th6oriques.
Le
parametre
des courbesexp6rimentales
est ws ; on observe, pour desfréquences d’6change
croissantes,un rétrécissement de la raie nuel6aire et une « saturation )) du taux de relaxation
1/T1.
une
frequence d’échange plus
6lev6e que celle estim6e apartir
deslargeurs
de raie6lectronique.
Nous avançonsI’hypoth6se
de 1’existence de deuxfr6quences d’echange :
-
L’une,
laplus 6lev6e,
caract6risant la d6localisa- tion a l’int6rieur dechaque
cristallite et mesurable par les relaxations6lectronique
et nucl6aire.-
L’autre,
laplus faible,
d6crivant la délocalisation6lectronique
d’un cristallite a 1’autre etagissant
sur la
largeur
de la R.P.E. Cettefrequence
estcelle obtenue
au §
2.Cette
description
concorde assez bien avec desrésultats
qui
montrent unegraphitisation
trespr6coce
des
plaquettes.
L’extension de lagraphitisation
estralentie ensuite par la
presence
entre lesplaquettes
deliaisons
oxyg6ne qui empechent
lagraphitisation complete
du semicoke.Ces deux
fréquences d’échange
seraient alors tres differentes dans lesFaulquemont
et assez voisines dans les cokes de saccharose. Cecipourrait s’expliquer
parune dimension
plus
faible desplaquettes aromatiques
dans le coke de
saccharose,
li6e a une teneurplus
6lev6een
oxygène
de structure(Faulquemont,
11%,
et sac-charose,
auplus
33%
enpoids)
etpeut
etre v6rifi6 par une etude aux rayons X.En
conclusion,
cette etude donne unepremière
verification des
propri6t6s magn6tiques
nucl6aires dansun solide
paramagnétique
concentr6. Elle montre la sensibilite de la R.M.N. pourexplorer
lecomporte-
ment
6lectronique.
Manuscrit requ le 27
septembre
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