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Contribution à l'étude et à l'optimisation des caractéristiques physiques d'une diode laser à base de BeZnO/ZnO.

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Academic year: 2021

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Texte intégral

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M I N I S T E R E D E L ’ E N S E I G N E M E N T S U P E R I E U R E T D E L A R E C H E R C H E S C I E N T I F I Q U E UN I VER SI TE D JI LLALI LI ABES SI D I BEL ABBE S

F A C U L T E D E S S C I E N C E S D E L ’ I N G E N I E U R

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RESUME DE MEMOIRE DE MAGISTER

Nom & Prénom(s) LAGRAA Ibrahim

E-mail (obligatoire) Lagraa Ibrahim@gmail.com

Spécialité Matériaux Et Composants Optoélectroniques

Titre Contribution à l’étude et à l’optimisation des caractéristiques physiques d’une laser à bas de BeZnO/ZnO.

Date de soutenance 23-06-2013 Nom, prénom(s) et

grade de l’encadreur

Prof SOUDINI Bel Abbes Résumé :

Les semi-conducteurs à large bande interdite ont attiré beaucoup d'attention en raison de leurs applications potentielles pour des dispositifs optroniques dans le bleu et les régions (UV).

Récemment, ZnO et ses alliages ont été proposés comme les nouveaux matériaux à gap élevé utilisés dans les dispositifs optoélectroniques pour les longueurs d'ondes courtes. De plus, les

structures à puits quantiques à base de ZnO possèdent plusieurs avantages comparées à celles basées sur le GaN. Actuellement, les émetteurs optoélectronique attirent beaucoup d'attention dans le domaine de la communication optique, médical, etc. Plus particulièrement les diodes laser se sont distinguées par rapport aux diodes LED grâce à leurs meilleurs avantages. Ainsi, dans le cadre de ce sujet de mémoire de magister, on cherche à apporter une contribution à l'étude et l'optimisation d'une diode laser à base d'une structure à puits quantique du type BeZnO/ZnO. Ce travail consiste à faire une étude et une simulation afin d'aboutir à une optimisation des différents paramètres caractérisant ce composant. Une attention particulière sera portée sur les propriétés optiques afin d'accéder aux caractéristiques tels que le gain optique, courant de seuil ainsi que leur dépendance des différents paramètres intrinsèques des ces structures à puits quantiques. Les résultats obtenus seront comparés à d'autres travaux.

Mots clés :BeZnO/ZnO , diode laser, puits quantique, simulation.

صخلم دقل تبذج فاصنأ لقاونلا تاذ ةوجفلا ةعساولا رٌثكلا نم مامتهلاا ارظن اهتاقٌبطتل ًف فلتخم ةزهجلأا ورهكلا ةٌئوض ًف ةقطنملا ءاقرزلا و قطانملا ةٌجسفنبلا ( UV .) ،ارخؤم مت حارتقا دٌسكأ كنزلا ( ZnO ) هطئلاخو داوملاو ةٌلاع ةوجفلا ةدٌدجلا ةمدختسملا ًف ةزهجلأا ةٌئوضورهكلا تاجوملل ةرٌصقلا ةفاضلإاب ىلإ نإ،كلذ تابٌكرتلا تاذ رئبلا ًمكلا ًتلا دمتعت ىلع ةلٌصفلا ZnO اهٌدل اٌازم ةدع ةنراقملاب عم كلت تابٌكرتلا ًتلا دمتعت ىلع ةلٌصفلا GaN . اٌلاح تاثعابلا ةٌئوضورهكلا ردصم بذج رٌثكلا نم مامتهلاا ًف لاجم تلااصتلاا ةٌئوضلا ةٌبطلاو اهرٌغو . ةصاخ دقو تزٌمت تاٌئانثلا ةٌرزٌللا نع حٌباصملا (( LED لضفأب تازٌملا . اذكهو ًف قاٌس ةحورطأ عوضوم ،رٌتسجاملا ىعسن ةمهاسملل ًف ةسارد و نٌسحت لثملأا مامصل ًئانثلا رزٌلا يذلا دمتعٌ ىلع بٌكرتلا ًئانبلا BeZnO/ZnO . اذه لمعلا وه ةسارد ةاكاحمو نم لجأ نٌسحت لثملأا فلتخمل صئاصخلا ًتلا زٌمت اذه زاهجلا . ًلونسو مامتها صاخ صئاصخلل ةٌئوضلا لوصولل ىلإ فلتخم تازٌملا لثم حبرلا راٌت،ًئوضلا ةبتعلا اهدامتعاو ىلع رٌٌاعم ةٌرهوجلا ةفلتخملا هذهل تابٌكرتلا تاذ رئبلا ًمكلا . متٌسو ةنراقم جئاتنلا لامعأب ىرخأ . تاملك هٌحاتفم

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