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Band-engineered Ge-on-Si lasers

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Academic year: 2021

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Fig. 1. (a) Schematic band structure of bulk Ge, showing a 136 meV difference between the direct gap and the indirect gap, (b) the difference between the direct and the indirect gaps can be decreased by tensile strain, and (c) the rest of the difference
Fig. 3a shows the light emission spectra of a Ge waveguide under different pumping levels
Fig. 4. . Calculated electroluminescence internal quantum efficiency for a p + Si/n + Ge/n + Si heterojunction versus doping concentrations in the p-type and n-type Si regions at 0.5 V forward bias

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