M I N I S T E R E D E L ’ E N S E I G N E M E N T S U P E R I E U R E T D E L A R E C H E R C H E S C I E N T I F I Q U E U NI V E RS IT E D J IL LA L I LIA BE S S I D I B EL A B BE S
F A C U L T E D E S S C I E N C E S D E L ’ I N G E N I E U R ▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬
RESUME DE MEMOIRE DE MAGISTER
Nom & Prénom(s) TOUHAMI Lakhdar E-mail (obligatoire) Khodeyr85@hotmail.fr Spécialité Electronique
Titre Modélisation et simulation d’un capteur chimique à base de transistor ISFET Date de soutenance 04/07/2013
Nom, prénom(s) et grade de l’encadreur M
r DJELLOULI Bouaza M.C.A
Résumé :
L'utilisation des techniques de la microélectronique dans le domaine des analyses médicales, de l'environnement, de l'alimentation et de la pharmacie a fait apparaître des capteurs chimiques à base de transistors ISFET qui sont des transistors à effet de champs sensibles aux ions. Le développement de nouveaux capteurs fiables nécessite l'étude des paramètres physiques déterminant la sensibilité du transistor ISFET aux différents milieux chimiques dans lesquelles ils sont introduits.
Une étude par simulation du régime de fonctionnement de l'ISFET et son influence sur la sensibilité ionique de ce transistor est développée dans ce mémoire. On étudie son fonctionnement en contact avec plusieurs types d'électrolytes et on détermine différents paramètres tels que la variation du potentiel électrostatique en fonction du pH de l'électrolyte. L'ensemble du travail de simulation est développé par l’intermédiaire du logiciel de simulation Nextnano.
Mots clés : capteur chimique, ISFET, double couche, interface EIS, AlGaN/GaN, 2DEG,
polarisation spontanée et piezoélectrique.
صخلم : ٌا خٛئبًٛٛك سبؼشتسا حضٓجأ سٕٓظ ٗنإ ٖدأ خٛئأذنأ خٛئازغنأ خٛئٛجنأ خٛجطنا مٛنبحتنا لبجي ٙف خقٛقذنا دبَٛٔشتكنلإا دبُٛقت واذختسا داسٕتسضَاشتنا طبسأ ٗهػ خُٛجي ISFET دبَٕٚلأن خسبسحنا لبجًنا شٛثأت دار داسٕتسضَاشتنا ْٙ ٙتنا . سبؼشتسا حضٓجأ شٕٚطت ٌإ بٓٛف ّؼضٔ ىتٚ ٙتنا خفهتخًنا خٛئبًٛٛكنا دبئٛجهن سٕتسضَاشتنا خٛسبسح دذحت ٙتنا خٛئبٚضٛفنا ميإؼنا خساسد تهطتٚ خقٕثٕي . سٕتسضَاشتهن مٛغشتنا وبظَ حبكبحي خساسد شٕٚطت ىت حشكزًنا ِزْ ٙف ISFET دبَٕٚلأن خٛسبسحنا ٗهػ ِشٛثأتٔ . وبظَ خساسد ىت ىث خضًٕحنا خجسد شٛغت غي ٙتبتسٔشٓكنا ًٌٕكنا شٛغت مثي خفهتخًنا شٚدبقًنا ذٚذحتٔ دسإشنا ٍي عإَأ حذػ غي ّنبصتا ذُػ ّهٛغشت ٙئبثشٓكنا لٕهحًهن . جيبَشث للاخ ٍي حبكبحًنا مًػ شٕٚطت ىت Nextnano تاملك هيحاتفم : ٙئبًٛٛكنا سبؼشتسلاا صبٓج , سٕتسضَاشت ISFET , خٛئبُث خقجط , ٙئبثشٓك لٕهحي خٓجأ / لصبػ / ٌٕكٛهٛس , شٚبغي مكْٛ AlGaN /GaN , دبؼثلأا ٙئبُث ٌٔشتكنلإا صبغ , ٙطغضشٓكٔ ٕ٘فػ ةبطقتسا
