• Aucun résultat trouvé

Développement de procédés plasma pour l'élaboration et la caractérisation du silicium photovoltaïque : dépôt de couches minces épitaxiées de silicium par PECVD : mesure de la pureté du silicium à l'état solide ( 20°C) et liquide (1414°C) par LIBS

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

Partager "Développement de procédés plasma pour l'élaboration et la caractérisation du silicium photovoltaïque : dépôt de couches minces épitaxiées de silicium par PECVD : mesure de la pureté du silicium à l'état solide ( 20°C) et liquide (1414°C) par LIBS"

Copied!
211
0
0

Texte intégral

Loading

Figure

Figure 1. 1 : Évolution de la puissance mondiale cumulée de modules photovoltaïques installés [10]
Figure 1. 2 : Évolution de la puissance annuelle installée dans le monde [12]
Figure 1. 4 : Efficacité de conversion d’énergie solaire des cellules photovoltaïques de 1976 à 2014 [11]
Figure 1. 7 : Effet de la concentration en impuretés sur le rendement photovoltaïque d’une cellule de sili- sili-cium monocristallin [24]
+7

Références

Documents relatifs

La Commission permanente sur la culture, le patrimoine et les sports invite la population et les groupes intéressés à participer à une consultation publique en format virtuel

S’y inscrivent de façon interdépendante les rapports sociaux et les rapports spatiaux, tant dans le domaine des activités économiques que dans ceux des pratiques politiques,

2.2 Analyse audio en temps réel dans un habitat intelligent Cette section présente le système d’analyse sonore temps réel A UDIT HIS qui intègre les résultats antérieurs des

Le prix de l’eau potable varie d’un pays à un autre, selon la disponibilité et la politique adoptée, certains pays ont un prix d’eau élevé tandis que d’autres ont un

Pour expliquer ce comportement de la diffusion Raman haute fr´ equence vis-` a-vis de la longueur d’onde excitatrice, nous pouvons invoquer un ph´ enom` ene de r´ esonance induisant

L’objet de cette thèse est l’étude des mécanismes de formation de la couche de passivation SiO x F y dans le procédé cryogénique de gravure par plasma SF 6 /O 2 du

2.3.19 Profils expérimentaux transversaux de l’intensité acoustique Iac normalisée (traits noirs) et de la vitesse axiale moyenne ue normalisée dans le plan ho- rizontal Oxy,

: la puissance acoustique n’est pas complètement claire et les points de mesure sont resserrés dans la zone très proche du transducteur (de 0 à 2cm pour L f = 35cm), c’est à dire