HAL Id: jpa-00234779
https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00234779
Submitted on 1 Jan 1953
HAL is a multi-disciplinary open access
archive for the deposit and dissemination of
sci-entific research documents, whether they are
pub-lished or not. The documents may come from
teaching and research institutions in France or
abroad, or from public or private research centers.
L’archive ouverte pluridisciplinaire HAL, est
destinée au dépôt et à la diffusion de documents
scientifiques de niveau recherche, publiés ou non,
émanant des établissements d’enseignement et de
recherche français ou étrangers, des laboratoires
publics ou privés.
Sur la modulation de la résistivité électrique du
germanium par une onde stationnaire acoustique de
haute fréquence
Guy Mayer
To cite this version:
492.
LETTRES
A
LA
RÉDACTION
LE JOURNAL DE PHYSIQUE ET LE RADIUM. TOME
14,
JUILLET-AOUT-SEPTEMBRESUR LA MODULATION DE LA
RÉSISTIVITÉ
ÉLECTRIQUE
DU GERMANIUM PAR UNE ONDE STATIONNAIRE
ACOUSTIQUE
DE HAUTEFRÉQUENCE
Par
Guy MAYER,
Commissariat à
l’Énergie
Atomique,
Service de Chimie
Physique.
Une
pression appliquée
à un solide semi-conducteur modifie les distancesinteratomiques
de son réseau cristallin etdéplace
les différentsniveaux
énergé-tiques
accessibles ou interdits à sapopulation
élec-tronique [1].
Le nombre et la mobilité des électrons contribuant à la conductivitépeuvent
s’en trouver altérés.L’expérience
que nous décrivons ici montre deqùelle
façon
la résistance d’un échantillon degermanium
de
type
n est modifiée parl’application
d’unepression
périodique.
La
figure
ireprésente
ledispositif
expérimental :
lequartz,
legermanium
etl’ensemble
verre-aluminium
ont des
épaisseurs qui
leurpermettent
devibrer
endemi-onde à la
fréquence
dei,o5
Mc.L’aluminium
sert d’écran
électrique
entre le circuit duquartz
etle circuit du
germanium ;
le verre isole legermanium
de cette
plaque métallique.
Les extrémités de labaguette
degermanium
étaient cuivrées et des fils yétaient
soudés à l’étain.La résistivité du
germanium
était de 1 1, 7Q/cm.
L’échantillon
avait 3 cm delong.
Sonépaisseur
fut diminuéeprogressivement jlisqu’à
cequ’il
entrât enrésonance avec l’onde ultrasonore émise par le
quartz,
cequi
seproduisit
pourl’épaisseur
de2,5
mm,corres-pondant
à une résistance de 917 Q.La
pression
enchaque point
de labaguette
vibranten demi-onde est donnée
(fig. 2)
parl’équation
e étant
l’épaisseur
de labaguette
etPoila
pression
maxima dans la tranche médiane.
Po
n’a
pu êtreévaluée que
grossièrement :
Lorsque
l’on fait circuler un courant continu dansl’échantillon,
unsignal
alternatifde même
fréquence
est reçu parl’amplificateur.
Fig. 2.
Fig. 3.
La
figure
3 donne le résultat des mesures.Le tracé d’une telle courbe à différentes
fréquences
et l’étude dudéphasage
entre l’ondeacoustique
et lesignal
électrique
donnera desindications
sur la,façon
dont retourne àl’équilibre
imposé
par lathermo-dynamique
le nombre des électrons de conduction momentanément modifié par une contrainte exté-rieure.De cette loi de
régression
dépend
lespectre
desfluctuations
de tension aux bornes dusemi-conduc-teur
[2].
[1]
SHOCKLEY W. - Electrons and holes in semi conductors,New-York, Van Nostrand,
1950.
[2]
SURDIN M. - J.Physique
Rad.,1951, 12, 777.
Manuscrit reçu le ii mai
