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GaN/AlGaN heterostructures for infrared optoelectronics : polar vs nonpolar orientations

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Academic year: 2021

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Illustration 4 Structure cristalline du GaN wurtzite et diagrammes de bande d’un puits quantique dans chaque  orientation cristalline représentée
Figure 1 Examples of possible applications of GaN-based optoelectronics devices in the infrared range
Figure 3 Spectral coverage by band-to-band and ISB devices based on different material systems
Figure 4 Periodic table of elements. The red borders indicate the materials of interest in this work
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