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Modélisation des structures Métal-Oxyde-Semiconducteur (MOS) : Applications aux dispositifs mémoires

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Academic year: 2021

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Figure I.2. Diagrammes de bandes représentant les différents régimes du semi- semi-conducteur en fonction du potentiel appliqué : le régime d'accumulation (a), le régime de  bandes plates (b), le régime de désertion (c), le régime d'inversion faible (d) et
Figure I.4. Diagramme de bandes d’une structure MOS de type P en inversion dans le  cas d’un courant tunnel Fowler-Nordheim (a) ou d’un courant tunnel direct (b)
Figure I.11.  Schéma équivalent de  la cellule EEPROM composée du  transistor d’état en série avec le  transistor de sélection
Figure I.17. Schématisation du fonctionnement 2 bits d’une mémoire à nodules avec  écriture côté source (a) et côté drain (b)
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