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Etude par spectroscopie X en condition de diffraction de la croissance et de l'encapsulation de boites quantiques GaN/AlN

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Academic year: 2021

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Tab. 1.1 : Param` etres de maille de quelques nitrures et de SiC [Morko¸ c 94], constantes ´ elastiques th´ eoriques des nitrures [Wright 97], et coefficient pi´ ezo´ electrique selon la direction [0001]
Tab. 1.2 : Reconstructions de surface pour GaN et AlN wurtzite, dans la direction de croissance [0001].
Fig. 1.14 : Diagramme de phase de l’h´ et´ ero´ epitaxie de GaN sur AlN (0001), pour un flux d’azote de O,3 MC/s
Fig. 1.15 : (a) Repr´ esentation sch´ ematique d’un bˆ ati de MBE assist´ e par plasma d’azote, montrant les cellules ` a effusion, la cellule ` a plasma d’azote, le canon RHEED et son ´ ecran associ´ e.
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Champs ´ electriques H´ et´ ero´ epitaxie de deux mat´ eriaux L’´ epitaxie par jets mol´ eculaires assist´ ee par plasma d’azote Exploration de l’espace r´ eciproque Alignement optique Diffraction anomale multi-longeur d’onde pour les nanostructures Analyse de l’environnement local de Ga dans les ˆılots Calcul de l’intensit´ e diffus´ ee autour de la r´ eflexion (30¯ 30) Etude de la morphologie perpendiculairement au plan de croissance Etude par diffraction anomale des rayons X

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