Chapitre I étude bibliographique sur les films CdS

Introduction

Dans ce chapitre nous donnerons quelques propriétés structurales, optiques et électriques, des films minces CdS ainsi que leurs applications dans le domaine de l’électronique nous donnons aussi une description généralisée des différentes techniques de déposition de ces couches minces et qui sera suivie d’une étude bibliographique sur les semi-conducteurs II-VI dont fait partie le sulfure de cadmium (CdS).

I.

Structure cristalline du CdS

La majorité des composés _A^II_B^VI se cristallisent sous forme d’une structure cubique de zinc blende ou hexagonale wurtzite où chaque anion est entouré de quatre cations situés aux coins d’un tétraèdre et vice versa [3]. Le CdS est un semi-conducteur (II-VI). Du point de vue cristallographique, les couches minces de CdS sont connues pour leur polymorphisme et ils peuvent avoir deux structures possibles : soit une structure cubique ou une structure hexagonale. Ce phénomène est favorisé par la croissance dans les solutions [4], donc il se cristallise sous les structures wurtzite etzinc blende comme il est schématisé sur la figure I.1.

Figure I.1 : (a) structure cubique (zinc blende) et (b) structure hexagonale (wurtzite) des composés II-VI. Le cercle rond en noir indique le site occupé par l’atome métallique.

Dans les conditions ambiantes, la structure la plus stable est la structure hexagonale. La structure zinc blende ne peut être stable que par la croissance sur des substrats cubiques [3].

Comme règle générale, la transition cubique-hexagonale est obtenue par des traitements thermiques, citons à titre d’exemple le cas du CdS déposé sur le silicium où la transition de phase cubique–hexagonale est observée après un traitement thermique à 400°C pendant

30min. dans l’air. Dans d’autres travaux, la même transition de phase cubique vers l’hexagonale s’est produite après l’application d’une température de recuit de 300-400°C [5].

Il a été rapporté que l’existence d’une structure cubique, hexagonale ou mixte est due aux conditions de préparations [6,7].

I.1. Structure cubique (zinc blende)

La phase cubique a été trouvée en utilisant une faible concentration de Cd (2-5 mM).La concentration de l’ammoniaque est 300 fois plus élevée que celle du Cd et des ions de l’ammonium ajouté [2]. Les films déposés en utilisant un pH de 11.5 ont montré une structure zinc blende [7]. Aussi, il a été mentionné qu’une texture préférentielle (111) du CdS cubique a été observée dans le cas du CdS déposé sur l’ITO/verre [8].Une étude faite sur la durée de déposition des films CdS déposés par CBD a montré qu’uniquement un pic associé au plan (111) de la phase cubique a été observé pendant 5 et 10 minutes de déposition, donc l’orientation préférentielle des films de CdS est <111>. De plus il a été observé que l’intensité des pics de diffraction augmente avec la durée de déposition.

I.2. Structure hexagonale (wurtzite)

Le type du substrat joue un rôle important au cours de la croissance des films minces du CdS.

Des films de CdS ont été déposés par bain chimique sur le verre, le polycarbonate (PC), le polyethyleneterephthalate (PET) et sur le silicium [1]. Les films du CdS sur le verre montrent une structure hexagonale avec une orientation préférentielle (002), mais de telle orientation préférentielle diminue ou disparaît lorsque la déposition est faite sur des substrats de (PC) ou de (PET). Les films du CdS sur des substrats de verre ou sur du Si ont une meilleure cristallinité que les films du CdS sur le PC ou PET.

I.3. Paramètres de la maille

Les paramètres de la maille d’un semiconducteur sont généralement mesurés par la diffraction des rayons X (DRX). Le tableau I.1 donne les valeurs des paramètres de la maille rapportées par plusieurs auteurs pour la structure hexagonale et la structure cubique.

Tableau I.1: Les valeurs des paramètres de la maille pour la structure hexagonale et cubique du CdS obtenus sous différentes conditions de dépôt.

II. Propriétés optiques des couches minces de CdS II.1. Absorption optique :

Les procédés principaux de l’absorption optique pour les transitions des électrons dans les semiconducteurs sont les transitions inter bandes (absorption fondamentale), et les transitions à travers les impuretés et les défauts du réseau.

 Limite de l’absorption fondamentale (seuil d’absorption)

Quand le semiconducteur est illuminé, les électrons absorbent les photons et subissent des transitions vers les niveaux élevés. Si l’énergie de la lumière incidente ( hν ) est supérieure à celle du gap optique du semiconducteur ( hν > E g ), alors les électrons de la bande de valence sont excités dans la bande de conduction. L’absorption optique résultante à partir de telles transitions bande-à-bande est connue sous le nom de absorption fondamentale, et l’énergie minimum à laquelle de telle absorption prend place est appelée la limite de l’absorption fondamentale. La limite de l’absorption fondamentale est déterminée par le gap optique du semiconducteur [16]. Le pourcentage de la lumière incidente absorbée par un semiconducteur particulier dépend de la probabilité de transition des électrons entre les bandes de valence et de conduction. La probabilité dépend fortement sur les structures de bande du semiconducteur. L’intensité de l’absorption optique est expérimentalement mesurée par le terme de l’absorption optique ( α ).

II.2. Gap optique et transmittance dans le CdS

Les films du CdS ont une transparence optique élevée. Plusieurs auteurs ont fait des études sur les propriétés optiques des films minces déposés par bain chimique. Dans ce qui suit, nous donnons les résultats les plus récents [16].ont reporté les spectres de transmission des films de CdS. Les films basés sur le CdCl² comme source de cadmium montrent une transmission similaire à ceux basés sur le CdSO4, malgré que l’épaisseur des films basés sur le CdCl2 est

Structure hexagonale

a( A⁰ ) c ( A^{0 )} c/a Référence

4.058 6.518 1.606 9

4.158 6.504 1.564 10

4.142(poudre) 6.722(poudre) 1.623 10

4.135 6.704 1.621 11

4.168 6.720 1.612 12

Structure cubique

a ( A^{0 )} Référence

5.833 9

5.811 13

supérieure de 20 % à ceux basés sur CdSO⁴. Les valeurs du gap trouvé sont 2.32 eV pour les films à base de CdSO⁴ et 2.3 eV pour ceux à base de CdCl².

Figure I.2 : Spectres de transmission du CdS déposé sur le quartz en utilisant deux sources de Cd différentes [16].

- Energie d’Urbach :

Dans les matériaux cristallins, l’énergie qui sépare la bande de valence et la bande de conduction est une bande interdite. Lorsque des variations de distance interatomique, de longueurs ou d’angle de liaison, se produisent dans le matériau, il y a apparition de ce qu’on appelle un « désordre ». Dans ce cas, les bords de bande décrits dans le cas de réseaux cristallins et délimités par Ev et Ec peuvent disparaître. On observe ce que l’on appelle des états localisés formés en queues de bande aux frontières de la bande interdite dans la bande de valence et la bande de conduction. Pour les énergies supérieures à Ec et inférieures à Ev, se trouvent les états étendus. Lorsque le désordre devient trop important, les queues peuvent s’empiéter. Il a été défini alors la notion de paramètre d’Urbach qui correspond à la largeur de la bande localisée près des bandes de conduction ou de valence [20].

Figure I.3 : Fonction de distribution des états d’énergie dans les bandes [20].

Température (T) de l’échantillon

E_g (eV) Energie d’urbach (

E₀₀ )(eV)

10 2.427 1.157

80 2.417 1.216

160 2.411 1.252

240 2.385 1.423

320 2.377 1.480

Tableau I.2 : les valeurs du gap et de l’énergie d’urbach des couches minces de CdS a’

différentes températures

Ce tableau représente L’énergie d'Urbach, le gap et la température, ce dernier augmente avec l’augmentation de l’énergie d’urbach mais le gap est d évaluation [11].

III. Propriétés électriques

Tous les films obtenus d’après les investigations actuelles sont des semi-conducteurs de type n (une conductivité de type n) [6]. La résistivité électrique des films CdS obtenus par CBD est généralement étudiée [5].Le CdS est un semiconducteur de type n, son large gap direct le rend le matériau le plus utilisé pour les applications électroniques et optoélectroniques [21,22].

Dans les films de CdS par CBD, la résistivité est souvent très élevée.

Les résistivités de surface des films CdS déposés par évaporation à différentes températures de substrat, varies de 0,333 à 18,9 Ω.cm à température ambiante. Les résistivités en volume des films CdS sont approximativement huit fois plus élevées que les résistivités de surface. La nature de substrat influe sur la valeur de la résistivité. Cependant, la résistivité des films CdS déposés sur des substrats en ITO est plus élevée que celle des films déposés sur des substrats en verre [17]. La résistivité du CdS déposé par CBD sur le verre ne varie pas pendant le procédé du recuit dû aux discontinuités formées dans les films CdS, tels que, les fissures et les

« pinholes » [14]. Par contre, à l’obscurité, la grandeur de la résistivité varie considérablement

d'un film à un autre, souvent pour des raisons incompréhensibles. Des valeurs extrêmes (de 15 à 109 Ω.cm) ont été rapportées pour des films non dopés (des films dopés ont été rapportés avec des résistivités encore plus faibles) [5]. Puisque les films sont souvent très résistifs, ce n’est pas surprenant qu'ils exhibent une forte photoconduction. La photoconduction se produit à cause de la formation des porteurs libres par l'illumination. Par conséquent, si on commence par une faible concentration de porteurs libres (basse conductivité), alors, la conductivité sera dominée par des porteurs photogénérés. Les rapports de la photoconductivité «éclairage/obscurité» dites sensibilités aussi élevés que 109 ont été rapportés [5]. Cependant, sous l’éclairage (100 mW.cm-2), les films CdS sont fortement photoactifs (photosensibles) et leur conductivité augmente approximativement d’une grandeur. On peut constater que le temps de montée est plus long que celui de la descente causée par la réaction du phonon du réseau cristallin avec des photons [6]. Le temps de la descente est environ 0,5 – 1s (dans beaucoup de cas, le temps d'affaiblissement du courant photoélectrique est mesuré en heures, ceci est expliqué, d'une manière générale, par des états lents; la nature de ces états n'est pas toujours connue) [5]. Le courant photoélectrique Iph = Iéclairage-Iobscurité augmente de 10-10 à 10-5A avec l’augmentation du l’épaisseur de 26 à 95 nm [18]. Cette augmentation en Iph est due à l’augmentation du produit «mobilité. Temps de vie » des porteurs [15, 16, 19,20].

IV. Applications du CdS en couches minces

Le sulfure de cadmium (CdS) dû à sa bonne transmittance et son large gap optique (2,43 eV) est le matériau le plus généralement utilisé en optoélectronique. Il est employé en couche mince dans divers dispositifs.

Le CdS est utilisé principalement dans les pigments, notamment les pigments fluorescents (les matériaux d'écran laser..), comme colorant pour les textiles, le papier, le caoutchouc, les plastiques, les verres et les émaux (décorations). Il est également utilisé dans l’industrie électronique (transistors à effet de champ), dans le domaine de l'optoélectronique (diodes luminescentes, diodes luminescentes multicouches, détecteurs optiques, filtres optiques, la fabrication des cellules photoélectriques), comme des détecteurs nucléaires de rayonnement et sondes de gaz [23].Les films du CdS très minces sont utilisés comme des couches tampons de type n dans les cellules solaires en couches minces basées sur les héterojonctions (CuInSe2, CuInGaSe) ou CdTe. Plusieurs groupes de

recherches ont effectués des travaux fondamentaux sur les hétérojonctions CdS en utilisant le CuInSe2 ou le CdTe dans leurs procédés, le CdS agissant en tant qu’interface, on a’ quelque des exemples sur les applications du CdS dans divers domaines en :

IV.1. En optoélectronique :

 Cellules photovoltaïques (photopiles, batteries solaires) :

Une compréhension du fonctionnement de base de la jonction p-n dans les cellules photovoltaïques a commencé à être établie dans les années 1980.

Dans le secteur industriel, un certain nombre de sociétés commencent le développement commercial de modules photovoltaïque à base de CuInGaSe2. Parmi celles-ci, Siemens Solar Inc. (SSI), Shell Solar, est la plus avancée avec actuellement plusieurs modules de 12 V commercialisés (de 5 à 40 W) [23].La figure I.4, montre un modèle d’une cellule solaire comportant la couche CdS.

Figure I.4 : Schéma simplifié d’une photopileen couches minces de type CIGS [23].

La couche absorbante :

Une couche absorbante doit être constituée d'un matériau à grand coefficient d'absorption dans le domaine du visible, il est donc préférable que celui-ci ait une bande interdite directe, dont la valeur soit de l'ordre de (1.1-1.7 eV). Sa conductivité doit être de l'ordre de (1- 10⁻²Ω/cm ) Sa conductivité est de type p.

La couche tampon :

La couche tampon est une couche située entre la couche absorbante et la couche d’oxyde transparent conducteur (OTC). Si un contact couche absorbante/OTC est directement réalisé, une jonction photovoltaïque peut exister mais son rendement sera limité par:

- l’inadaptation des bandes interdites,

- les courants de fuite dus à la présence de zones désordonnées aux joints de grains.De ce fait il est préférable d’introduire une fine couche, dite couche tampon, entre ces deux composés afin d’optimiser les performances de la cellule.

La couche d'oxyde transparent conducteur (OTC)

Celle-ci doit être collectivement transparente et conductrice. Dans le domaine du spectre solaire la transmission des couches doit être distinguée à 80%. La conductivité de ces mêmes couches doit être supérieure 10³ (Ω.cm)-1. De telles propriétés sont obtenues en utilisant des couches minces de SnO², In²O³, de leur alliage ITO et de ZnO. Leur transparence est liée à la valeur de leur bande interdite tandis que leurs propriétés électriques dépendent de la composition des couches et d'un éventuel dopage.

IV.2. Photorésistances

Les photorésistances sont des semi-conducteurs, dont la résistance électrique varie fortement en fonction de l'éclairement auxquels ils sont soumis. Lorsque l'éclairement augmente, la résistance diminue. Beaucoup de photorésistances sont fabriquées par le CdS et l'ensemble est couvert dans un matériau transparent et pénétrable, afin d'éviter que l'humidité ambiante n'en perturbe la résistance. Le temps de réponse d'une photo résistance est assez grand, de sorte qu'elle n'est guère utilisable en commutation pour des fréquences supérieures à 1 KHz [24].

IV.3. Photodiodes :

Une photodiode est constituée par une jonction P-N qui peut être éclairée extérieurement. Elle travaille en polarisation inverse, le courant inverse étant fonction de l'éclairement (lorsque l'éclairement augmente, le courant inverse augmente). Les photodiodes (fig.I.5) ont une réponse plus rapide

et plus linéaire que les photorésistances, mais leur courant photoélectrique est plus faible [24].

Figure I.5: Photodiode à base de CdS.

IV.4. Photomètre :

En photomètres (fig. I.6), on utilise un matériau à partir duquel, sous l'influence de la lumière incidente, des électrons sont libérés ou bien un matériau dont la résistance se modifie. Le CdS, le CdSe et le CdTe sont appropriés à cet effet sous forme de matériau semiconducteur [24].

Figure I.6 : Photomètre à base de CdS.

IV.5. Coloration et décoration

On distingue parmi les substances colorées, les pigments et les teintures.

Les pigments sont des composés inorganiques généralement insolubles

qui apportent leur couleur en se fixant en surface sur les objets. Le CdS est un couleur jaune. Il manifeste une solidité élevée vis-à-vis de la lumière. Il peut être mélangé dans diverses proportions avec du séléniure de cadmium (CdSe; rouge), du sulfure de zinc (ZnS; blanc)... etc. de cette manière, on peut obtenir un grand nombre de couleurs mixtes. On utilise ces pigments dans la peinture, les textiles, le papier, le caoutchouc, les matières synthétiques (par exemple pour des casques de travail), l'émail et la céramique [24].

V. Différentes techniques de déposition de couche mince :

Les couches minces peuvent être élaborés suivant deux procédés ; physique et chimique. La classification des techniques de déposition est présentée sur le tableau I.3

Techniques générales pour déposer une couche mince

Procédé physique (PVD)

Procédé chimique

Poussé Evaporation sous

Vide

En milieu plasma

Pulvérisation cathodique

En milieu de gaz

Réactif

Dépôt chimique

en phase

vapeur(CVD)

En milieu liquide

- Spray

pyrolyse

- Déposition

par bain

chimique

Tableau I.3: Classification des procédés de dépôt de couches minces.

V.1 Dépôt physique en phase vapeur

Les dépôts physiques en phase vapeur consistent à utiliser des vapeurs du matériau à déposer pour réaliser un dépôt sur un substrat. Le transport des vapeurs de la source au substrat demande un vide assez poussé de ( 10⁻⁵ à 10⁻¹⁰ Pa) pourd’échapper la formation de poudre ou toute forme de tache.

V.1.1. Dépôt par évaporation sous vide

Cette technique consiste à évaporer le matériau à déposer en le portant à une température suffisante. Dès que la température de liquéfaction est dépassée, il se trouve que la pression du matériau est sensiblement supérieure à celle résiduelle dans l’enceinte. Alors des atomes du matériau s’échappent et se propagent en ligne droite jusqu’à ce qu’ils rencontrent un obstacle.

Cette rencontre peut être le fait soit d’une surface solide (substrat, paroi de l’enceinte) soit d’un atome ou d’une molécule se déplaçant dans l’espace. Dans le cas de rencontre d’une surface, il y aura séjour de l’atome sur la surface avec échange d’énergie et si la surface est sensiblement plus froide que l’atome il y’à condensation définitive. Le schéma de principe est présenté sur la figure I.7, le système d’évaporation sous vide est composé de :

 Une chambre de dépôt

 Un système de pompage

 Un système de chauffage

Figure I.7: Schéma descriptif d’un système d’évaporation sous vide.

V.1.2. Dépôt par pulvérisation cathodique

La pulvérisation cathodique est un procédé de dépôt utilisant un plasma froid luminescent dans un gaz sous pression réduite pour vaporiser un solide. La pulvérisation est basée sur la corrosion du matériau par les ions produits par la décharge luminescente des gaz rares ; les ions Ar+ sont les plus facilement utilisés. Comme le solide à déposer passe en phase vapeur à la suite d’un processus mécanique (transfert d’énergie des ions incident vers les atomes de

surface au moment de la collision) plutôt que par un processus chimique, les matériaux simple ou composé, conducteur ou diélectrique peuvent être déposés par cette technique. Trois éléments essentiels constituent un arrangement de pulvérisation classique :

- Une enceinte de dépôt distraction pour la pulvérisation.

- Un système de pompage (primaire et secondaire) permettant une pression avant dépôt inférieur ou égale à 10⁻⁴ Pa.

- Un générateur de courant haute tension continu ou radiofréquence.

Il y On trouve deux type de pulvérisation cathodique

 Pulvérisation cathodique en courant continu :Cette méthode est généralement utilisée pour des dépôts de couches métalliques ou semiconductrices.

 Pulvérisation radiofréquence (RF)

V.2 Dépôt Chimique :

Les techniques de dépôt chimique en milieu de gaz réactif ou en milieu liquide permettent de réaliser des dépôts à partir de précurseurs qui réagissent chimiquement pour former un film solide déposé sur un substrat.

V.2.1. Dépôt chimique en phase vapeur (CVD)

Le dépôt en phase vapeur chimique CVD (Chemical Vapor Deposition) est une méthode dans laquelle les constituants d’une phase gazeuse réagissent pour former un film solide déposé sur un substrat. Les composés volatilisables du matériau à déposer sont éventuellement dilués dans un gaz porteur et introduits dans une enceinte où sont placés les substrats. Le film est obtenu par réaction chimique entre la phase vapeur au niveau du substrat chauffé. La réaction chimique détermine la nature, le type et les groupes présentes, et elle peut être activée de différentes manières (Thermiquement (chauffage par effet joule) Par impact électronique (PECVD)…etc) décrites sur la figure I.8.

Figure I.8Les différentes étapes de dépôt chimique en phase vapeur activée thermiquement.

V.2.2. Dépôt par spray pyrolyse

Le spray pyrolyse est une technique de dépôt utilisée pour préparer les films minces et épais.

A la différence de beaucoup d’autres techniques de dépôt de film, le spray pyrolyse représente une méthode très simple, n’exige pas de produits chimiques de haute qualité. Cette méthode a été utilisée pour le dépôt des films denses et poreux. Même des films multicouches peuvent être facilement préparés en utilisant cette technique. L’équipement typique du spray pyrolyse se compose d’un atomiseur, une solution de précurseur, réchauffeur de substrat et un régulateur de température. Dans un atomiseur ultrasonique les fréquences ultrasoniques produisent les ondes courtes nécessaires pour l’atomisation fine. Le dépôt de couches minces par la technique spray pyrolyse se traduit par la pulvérisation d’une solution d’un sel de métal sur un substrat chauffé (figure I.9). Les gouttelettes arrivant sur le substrat conduisent à la formation d’un dépôt après décomposition et réaction chimique en surface.

Atomiseur

Spray

Substrat

Porte substrat chauffant

Figure I.9 : Schéma synoptique d’un équipement de dépôt par spray pyrolyse.

V.2.3. Dépôt par bain chimique

Le dépôt par bain chimique (Chemical Bath Deposition ; CBD) se rapporte au dépôt des films sur un substrat solide par une réaction produite dans une solution aqueuse. Le dépôt par bain chimique peut se produire de deux type suivant le mécanisme de dépôt : par nucléation homogène en solution ou par hétéronucléation sur un substrat. Dans la nucléation hétérogène, les particules, ou même les ions individuels, peuvent adsorber sur le substrat. L'énergie exigée pour ordonner une interface entre les particules et le substrat est souvent inférieure à celle exigée pour la nucléation homogène. La nucléation hétérogène est donc énergétiquement préférée à la nucléation homogène.

V.3. Historique du dépôt par CBD

La technique du CBD (bain chimique) des films n’est pas nouvelle. Dès 1835, Liebig a reporté le premier dépôt de l'argent qui était le dépôt de miroir argenté et ce en utilisant une technique chimique en solution [25]. Le premier film d’un composé semiconducteur a été obtenu par CBD à partir de solutions de thiosulfate d'acétate de plomb, de sulfate de cuivre (CuSO4) et de tartrate d'antimoine sur de divers métaux, donnant les films de PbS, le CuS ou le SbS, qui semblait être formé de différentes couleurs brillantes. Emerson et Reynolds ont reporté, en 1884, un dépôt des films de PbS par la réaction entre la thiourée et le tartrate de plomb alcalin où le sulfure métallique était devenu définitivement attaché aux côtés du bêcher en tant que couche spéculaire. Une large série de substrats a été utilisée, avec succès, pour la réalisation de ce dépôt. Dans cette série, quelques substrats tels que la porcelaine, l’ébonite, le fer, l'acier et le laiton ont été spécifiquement mentionnés. En 1919, un bain chimique a été utilisé pour déposer le PbS. Les principales idées du dépôt des couches minces conductrices par bain chimique ainsi que les résultats des travaux de recherche dans ce domaine ont été publiés dans les revues spécialisées durant l’année 1982, d’où beaucoup de chercheurs se sont inspirés et ont commencé à donner de l’intérêt à ce domaine. Les progrès subséquents s’étaient avérés dans des revues spécialisées Duran l’année 1991. Ces revus ont pu lister 35

composants préparés par cette méthode et rapporter les références. Vu la plausibilité de la production des films multicouches, le nombre éventuel des matériaux à déposer par cette technique est en voie de se multiplier durant les années prochaines. Le premier dépôt de CdS a été obtenu en 1961 et il est actuellement le matériau qui trouve le plus de sollicitude de cette technique [26]. Vers la fin des années 1970 et le début des années 1980, les travaux sur les couches minces déposées chimiquement étaient motivés par l’émergence des applications des énergies solaires.

V.4. Dépôt du CdS par bain chimique :

Dans la CBD, il est essentiel de contrôler le taux des réactions à se produire assez lentement pour permettre au CdS de se former graduellement sur le substrat. Ce contrôle peut être fait en produisant lentement du sulfure dans la solution. Le taux de génération de sulfure et le taux de réaction peuvent être contrôlés par les paramètres de déposition. Il a été montré que le taux de réaction et le taux de déposition du CdS sont déterminés par les paramètres tels que la proportion des réactifs, la température et le temps de déposition. Le CdS est de couleur jaune.

Bien qu’on puisse effectuer la CBD dans les solutions acides et alcalines, la plupart des réactions CBD sont effectuées dans des solutions alcalines. Pour éviter la précipitation des hydroxydes métalliques dans la solution de dépôt. Il existe une large série des complexant libres et les plus utilisés sont intermédiaires dans la force complexant qui ne doit pas être trop faible et ce dans le but d'éviter la précipitation de l'hydroxyde en volume et non pas trop forte pour que la déposition du film ne soit pas totalement évitée. Les complexant les plus utilisés sont : ammoniaque, triethanolamine [26 . [

Conclusion :

Le sulfure de cadmium peut être obtenu par réaction entre le sulfure d’hydrogène et la vapeur de cadmium et avec l’ammoniaque. Le CdS dépendant au groupe II-VI est un semi- conducteur important utilisé dans les cellules (solaires photovoltaïques et photo électrochimiques PEC).La technique CBD a été efficacement employée pour déposer les couches minces CdS pour on obtenu de la bonne qualité, et les bonnes propriétés électriques, optiques et mécaniques ;au mémé temps il y a beaucoup les avantages et les applications.

C’est pour ces raisons nous détaillons plus la partie expérimentale de la technique CBD ainsi les différents techniques de caractérisation dans le chapitre qui suit.