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Influence of an epitaxial Si capping of Ge islands on Si(0 0 1) and Si(1 1 0) by LPCVD

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Academic year: 2021

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HAL Id: hal-01616518

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Submitted on 13 Oct 2017

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Influence of an epitaxial Si capping of Ge islands on Si(0

0 1) and Si(1 1 0) by LPCVD

Philippe Ferrandis, L. Vescan, B. Holländer, V. Dashtizadeh, C. Dieker

To cite this version:

Philippe Ferrandis, L. Vescan, B. Holländer, V. Dashtizadeh, C. Dieker. Influence of an epitaxial Si capping of Ge islands on Si(0 0 1) and Si(1 1 0) by LPCVD. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Elsevier, 2003, 17, pp.507-509. �10.1016/S1386-9477(02)00853-6�. �hal-01616518�

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