Modélisation et Simulation par la DFT des Propriétés Magnétiques et Structures Electroniques des Oxydes Magnétiques Dilués
Texte intégral
Figure
Documents relatifs
A partir d’une énergie seuil (hauteur de barrière Schottky), un courant BEEM est détecté, correspondant à l’injection des électrons chauds dans la bande de conduction du GaAs,
On peut considérer le semi-conducteur comme un ensemble de deux systèmes électroniques, l’un contenant des électrons délocalisés (bande de valence et bande de
Autrement dit, les demi-métaux ont une polarisation en spin de 100 % puisque ne contribuent à la conduction que soit des électrons de spin « up » soit des électrons de spin
Comme le montre la figure -21 (a, b, c, d), la structure de bande à pression nulle le long des principaux points de symétrie dans la zone de Brillouin, le niveau de Fermi permet
Le ferromagnétisme dans ce cas est expliqué par un couplage indirect entre les moments magnétiques locaux des ions d'europium (de symétrie f) ou de chrome (de symétrie d) via
On remarque que les sites T les plus occupés dans la charpente d’un matériau de rapport Si/Al faible, sont les sites pour lesquels la substitution d’un atome de silicium par un
2014 Dans les orthocobaltites de terres rares TCoO3, de structure pérovskite déformée, l’ion Co3+ est diamagnétique ; pour T = Tb, Dy, Ho un ordre antiferromagnétique
La valeur de β comprise entre 0.3 et 0.5 pour les matériaux fragile et semi fragile et entre 0.0 et 0.3 pour le matériau ductile donne des résultats satisfaisant (voir figures