Si1.Nettoyage RCA

(1)

Si 1. Nettoyage RCA

Test hydrophobie

(2)

Si 2. Oxydation humide

 6000-6500 angströms

SiO₂

(3)

Si

3. Photolithographie – Masque 1

SiO₂

a - Dépôt résine photosensible positive

Résine Masque

b - Alignement du masque

SiO₂

(4)

Si

3. Photolithographie – Masque 1

SiO₂

Résine Masque

c - Insolation UV

Résine exposée UV SiO₂

(5)

Si

3. Photolithographie – Masque 1

SiO₂

Résine Résine exposée UV

d - Développement résine – DEV > 0

Résine exposée UV SiO₂

(6)

Si

3. Photolithographie – Masque 1

SiO₂

Résine

e - Gravure SiO₂

Attention au risque de surgravure

SiO₂ SiO₂

(7)

Si

3. Photolithographie – Masque 1

Résine

f - Dé laquage - Remover

SiO₂

(8)

Si 4. Dopage / Diffusion Bore

SiO₂

B B B B B B B B B B B B B B

et décapage de l’oxyde de Bore ( HF )

Si dopé P

(9)

Si

SiO₂

Si dopé P

5. Photolithographie – Masque 2

Ouverture de la grille

Résine Masque

(10)

Si

SiO₂

Si dopé P

5. Photolithographie – Masque 2

Résine Masque

c - Insolation UV

(11)

Si

SiO₂

Si dopé P

5. Photolithographie – Masque 2

Résine

(12)

e - Gravure SiO₂

Si

SiO₂

Si dopé P

5. Photolithographie – Masque 2

Résine

(13)

Si

SiO₂

Si dopé P

5. Photolithographie – Masque 2

Ouverture de la grille f - Dé laquage - Remover

Nettoyage RCA

(14)

Si

SiO₂

Si dopé P

6. Oxydation sèche

Oxyde de grille – 900 à 1000 angströms

(15)

Si

SiO₂

Si dopé P

Ouverture des contacts

7. Photolithographie – Masque 3

Résine Masque

(16)

Si

SiO₂

Si dopé P

7. Photolithographie – Masque 3

Résine Masque

c - Insolation UV

(17)

Si

SiO₂

Si dopé P

7. Photolithographie – Masque 3

Résine

e - Gravure SiO₂

(18)

f - Dé laquage - Remover

Si

SiO₂

Si dopé P

7. Photolithographie – Masque 3

Résine

(19)

Si

SiO₂

Si dopé P

8. Dépôt Aluminium

Aluminium

SiO₂

(20)

Si

SiO₂

Si dopé P

8. Photolithographie - Masque 4

Aluminium

Isolation des contacts d’aluminium a - Dépôt résine photosensible positive b - Alignement du masque

Résine SiO₂

(21)

Si

SiO₂

Si dopé P

8. Photolithographie - Masque 4

Aluminium

Isolation des contacts d’aluminium

Résine

c - Insolation UV

SiO₂

(22)

Si

SiO₂

Si dopé P

8. Photolithographie - Masque 4

Aluminium

Résine

d - Développement résine – DEV > 0 e - Gravure Aluminium

SiO₂

(23)

Si

SiO₂

Si dopé P

8. Photolithographie - Masque 4

Aluminium

Résine

f - Dé laquage - RemoverRecuit aluminium FIN

SiO₂

S G D

PMOS

(24)

SiO₂ Si Résine

Résine exposée UV Aluminium