M I N I S T E R E D E L ’ E N S E I G N E M E N T S U P E R I E U R E T D E L A R E C H E R C H E S C I E N T I F I Q U E UN I VER SI TE D JI LLALI LI ABES SI D I BEL ABBE S
F A C U L T E D E S S C I E N C E S D E L ’ I N G E N I E U R
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RESUME DE MEMOIRE DE MAGISTER
Nom & Prénom(s) BENTOUMI Ahmed E-mail (obligatoire) Hamoudi1011@gmail.com Spécialité Electronique
Titre Etude expérimentale et simulation des caractéristiques I(V) en fonction de la température sur des diodes réalisées sur silicium polycristallin.
Date de soutenance 02/12/2014 Nom, prénom(s) et
grade de l’encadreur
Mme F. s. BACHIR BOUIADJRA
Docteur
Résumé :
Ce mémoire décrit une étude du comportement électrique de jonctions PN réalisées dans un film mince de silicium polycristallain par un procède technologique L.P.C.V.D. Ces composantes sont caractérisé par des mesures I(V) pour différentes températures.
Dans notre travail ont s'y basé sur le logiciel (SILVACO), pour faire la simulation électrique d'une diode latérale polycristallain telles que les étapes technologiques , les caractéristiques I(V), la tension de claquage.
Mots clés
: diode latérale, silicium polycristallain, zone de charge d'espace, joints de grains, SILVACO.Summary:
This memoir, describes a study of the electrical behavior of PN junctions made of a thin film silicon technology makes polycristallain by L.P.C.V.D These components are characterized by steps of I (V) at different temperatures
In our work there are based on the software (SILVACO), to the electric simulation of a lateral diode polycristallain such as technological steps, characteristics I (V), the breakdown voltage.
