HAL Id: hal-01339804
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01339804
Submitted on 30 Jun 2016
HAL is a multi-disciplinary open access archive for the deposit and dissemination of sci- entific research documents, whether they are pub- lished or not. The documents may come from teaching and research institutions in France or abroad, or from public or private research centers.
L’archive ouverte pluridisciplinaire HAL, est destinée au dépôt et à la diffusion de documents scientifiques de niveau recherche, publiés ou non, émanant des établissements d’enseignement et de recherche français ou étrangers, des laboratoires publics ou privés.
Protection ESD pour MESFET SiC
Tanguy Phulpin, Karine Isoird, David Trémouilles, Patrick Austin
To cite this version:
Tanguy Phulpin, Karine Isoird, David Trémouilles, Patrick Austin. Protection ESD pour MESFET SiC. Journées Intégration et Systèmes de Puissance 3D (ISP3D), Mar 2015, Tours, France. 2015.
�hal-01339804�
Source Drain Body Gate
Protection ESD pour MESFET SiC
T.PHULPIN, K.ISOIRD, D.TREMOUILLES, P. AUSTIN
1 CNRS ; LAAS ; 7 avenue du colonel Roche, F-31077 Toulouse, France Tel : 05 61 33 64 47
E-Mail : tphulpin@laas.fr
Trois MESFETs conçus au laboratoire Ampère (Lyon) et réalisé au CNM (Barcelone)
Ces MESFETs sont dédiés à la réalisation de driver monolithique de JFET de puissance en SiC, travaillant en environnement sévère (>300 °C)
• Composants SiC prometteurs pour électronique embarquée de puissance: fonctionne à plus haute fréquence, à plus haute tension et à plus haute température.
• ESD, problèmes majeurs de fiabilité sur les circuits intégrés.
• Etude TLP afin de qualifier un Mesfet pour des applications (de puissance, de signal, de fonctions logiques) et ainsi faciliter sa mise sur le marché et son développement.
• Solution de robustesse aux ESD: utilisation d’une diode Zener
Test TLP selon le modèle HBM
Conclusions
Afin de tester les MESFETs, on utilise un testeur Transmission Line Pulse:
• Impulsion électriques de 100ns, impédance de source 50Ω
• Les électrodes Body&gate sont flottantes
• Température ambiante
• On incrémente l’amplitude du pulse jusqu’à destruction ou changement des caractéristiques (+/-10% / initiales)
Grille
Observation après coupe FIB
• Une structure de protection ESD a été conçue pour protéger des MESFETS en SiC. Les travaux ont portés sur l’amélioration de cette structure.
• Deux types de défauts ont été observés:
Un lié à l’oxyde de passivation,
L’autre lié au déclenchement d’un transistor parasite et à une mauvaise répartition du courant lié à la résistance répartie de sa base.
• Considérable amélioration de la robustesse aux ESDs de ce driver de puissance (en passant de 20mA à 1A).
• Les caractéristiques de ce composant ouvre la porte aux applications embarqués tels que dans le ferroviaire, l’automobile ou le spatial
Défaillance
Résultat du test TLP sur MZD:
=>Claquage simultané aux jonction PN, à l’angle du drain
Gate
Drain Source
• Via
• Metal 1
• Metal 2
• contact
Gate
Layout et localisation du défaut
Schéma explicatif pour la différence de potentiel entre le métal deux et le SiC
Zener on source, MR Schottky on drain, MSD Zener on drain, MZD
• P+
• Schottky metal
• N+
• Ohmic metal
Source Gate
Drain
Gate Drain
Source
Body
Body Body
Semi- insulating
layer P layer
4,5μm 5.10
15cm
-3N channel 0,5μm 10
17cm
-3P+
4.10
19cm
-3N+
3.10
19cm
-3DRAIN GATE BODY
SOURCE
DEFAILLANCE
MR et MSD ont des résultats similaires:
=> Fusion de la métallisation de l’électrode de drain.
Localisation de défaillances
Claquage de l’oxyde pour MR et MSD
Coupe MEB après une opération FIB
Déclenchement de transistor parasite pour MZD
• Déclenchement d’un NPN parasite entre la source (N), l’épaisseur d’isolation (P) et le drain (N).
• Le dopage du body implique une résistance répartie du body.
• Cette résistance répartie implique une focalisation du courant aux jonctions PN, à l’extrémité de la plaque de champ de l’électrode de drain
• Le NPN est modélisé par plusieurs transistors répartis.
• Composant MR et MSD : claquage soudain
• Composant MZD supporte 1 A avant destruction
Caractéristique I(V)
Source Gate Drain Source Gate Drain
N+
P layer 5.1015cm-3
Semi insulating N layer 1017cm-3 N+
Source Gate Drain
Metal3 Metal2 Metal1
Nickel
SiO2_3 SiO2_2 SiO2_1 Body
Body
P+ P+
X=300A°
X=200A°
X=1000A°
X=4,5um X=500A°