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Nouvelles approches d'utilisation de la spectroscopie de photoélectrons à rayons X (XPS) pour le développement et le contrôle des technologies FDSOI avancées

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Academic year: 2021

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Figure 10 : Comparaison entre l'oxyde SiO 2  et un oxyde High-κ pour la réalisation de l’oxyde de grille.
Figure 49 : Spectres pARXPS du silicium (Si2p), de l'oxygène (O1s) et du carbone (C1s) d’une  couche SiO 2  de 60Å sur substrat de silicium, à l’angle 23,75°
Figure 50 : Spectres pARXPS du silicium (Si2p), de l’hafnium (Hf4f), de l'oxygène (O1s) et du carbone (C1s)  d’un empilement HfO 2 /SiO 2  sur substrat de silicium, à l’angle 23,75°
Figure 51 : Superposition des spectres du silicium (Si2p) et de l'oxygène (O1s) obtenus par XPS industriel et par  pARXPS (à l’angle 23,75°) sur une même couche SiO 2  de 60Å sur substrat de silicium
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