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Contribution à l’optimisation des paramètres physiques d’une diode laser unipolaire à cascade quantique à base de Si / Si Ge

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Academic year: 2021

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Texte intégral

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M I N I S T E R E D E L ’ E N S E I G N E M E N T S U P E R I E U R E T D E L A R E C H E R C H E S C I E N T I F I Q U E U NIV ER S IT E D JIL LA L I L IA B ES S ID I B EL A B BE S

F A C U L T E D E S S C I E N C E S D E L ’ I N G E N I E U R

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RESUME DE THESE DE DOCTORAT

Nom & Prénom(s) BOUROUAIS KHADIDJA née ZELLAT E-mail (obligatoire) Zellat_samira@yahoo.fr

Spécialité Electronique

Titre Contribution à l’optimisation des paramètres physiques d’une diode laser unipolaire à cascade quantique à base de Si/SiGe.

Date de soutenance 03 octobre 2013 Nom, prénom(s) et

grade de l’encadreur Pr. BELABBES SOUDINI

Résumé :

Le laser à cascade quantique est un laser semi conducteur utilisant un seul type de porteurs, basé sur deux phénomènes fondamentaux de la mécanique quantique : l’effet tunnel et le confinement quantique. Dans les diodes laser semi –conductrices conventionnelles, la lumière est produite par la recombinaison des

électrons et les trous à travers la bande d’énergie interdite séparant les bandes de conduction et de valence du cristal. C’est donc cette énergie de séparation qui détermine la longueur d’onde du laser.

Les lasers a cascade quantique sont basé sur une approche complètement différente. En effet, les électrons font des transitions entre les états liés crées par confinement quantique dans des couches alternés ultraminces de matériaux semi conducteurs. Comme ces couches ultraminces appelées puits quantique, ont une taille comparable à la longueur d’onde de Broglie de l’électron, elles restreignent son mouvement dans la direction perpendiculaire au plan des couches,a cause de cet effet, appelé confinement quantique,l’électron ne peut passer d’un états d’énergie à l’autre que par pas discrets,en émettant des photons de lumière,ainsi,la longueur d’onde d’émission dépend maintenant des épaisseurs des couches pas de la bande interdite des matériaux qui constituent les lasers.

Comme application nous considérons le système Si/SiGe dont il existe beaucoup de donnés qui seront utilisées dans notre cas afin d’optimiser les paramètres physiques pour ce type de laser tels que le nombre de puits, largeur de puits, l’épaisseur, la masse effective, la force d’oscillation, forte injection, le choix de la région active, le choix du guide d’onde,l’indice de réfraction ,température de fonctionnement pour aboutir à des performances meilleurs (courant de seuil, gain optique, rendement..).

Mots clés : Si/SiGe , puits quantique, hétéro structure, super réseau, laser à cascade quantique, paramètres physiques.

(2)

M I N I S T E R E D E L ’ E N S E I G N E M E N T S U P E R I E U R E T D E L A R E C H E R C H E S C I E N T I F I Q U E U NIV ER S IT E D JIL LA L I L IA B ES S ID I B EL A B BE S

F A C U L T E D E S S C I E N C E S D E L ’ I N G E N I E U R

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RESUME DE THESE DE DOCTORAT

صخلم يمكلا جردتلاب رزيل وه لقانلا نم دحاو عون لمعتسي لقان فصن رزيل , ةيمكلا كيناكملأ يف نيتيساسأ نيترهاظ يلع زكتري : لعف يمكلا نيزختلا و لانت , بسنلاب ة اعلا رزيلل م لقان فصن يئانث مامصب . نوتورب و نورتكلإ عمجت نع جتان ءوضلا ا قاطنلا للاخ تاوجفل لصافلا ةقاطلا نيب ة و ةلقانلا ةطرشلاا ةطرشأ ف ا لل صنول لاتسيرك . نم ةقاطلا هذه نإف مث نمو رزيللا يجوملا لوطلا ددحي لصف . ا يمكلا جردتلاب رزيل مامت افلتخم اجهن ىلإ دنتست ا. يف عقاولا تانورتكللإا لقتنت نيب تلااحلا ةئشانلا نع لا رادقم يمكلا يف ا ل قبط تا ملا بوانت داوملل ةعيفر دج ة صن ةلقان ف . هذه نا لا رابلاا ىمست ةعيفر دج داوم يمكلا ة ورب نم يجوملا لوطلا مجح يهاضتو ل ي لإل نورتكل لا ىوتسم ىلع ةيدومع هتكرح نوكت و تاقبط . ببسب اذه . نيزختلا ىمسي يمكلا ، نورتكللإا ىرخا ىلا ةلاح نم لقتني لا ب لاإ ةنيصر تاوطخ تانوتوفلا اهقلاطإب اذكو ةيئوضلا يجوملا لوطلا ل ثبل دمتعي ىلع تاقبط كمس لا ىلع سيل و عونمملا طيرش ل داومل رزيللا اهنم نوكتي ىتلا . تك قيبط تن خ ماضتلا د iS / iSiS ل هده انتلاح يف اهلمعتسنس ىتلا و هنع تايطعملا ةرفول كلاذ و لماوعلا هذه نيسحت ةيئايزيفلأ يف ددع لثم رزيللا نم عونلا اذه رابلآا ضرع مس ،ك ةلتكلا ةلاعفلأ ةقطنملا رايتخا ، ةيوق نقح بذبذتلا ةوق ، جوم رايتخا ه تاجوملا ، راسكنلاأ لماعم و ةرارح ةجرد لمعلا ، صئاصخلا لضفا ىلع لوصحلل ( ةبتعلا رايت ،ةطي ش ن لا ، ىئوضلا لصاحلا ، دودرملا .) تاملك هيحاتفم , Si/SiGe مك رابا ةي ، ةيئانثلا ةبيكرتلا ، مكلا جردتلاب رزيل ي ، لماوعلا ةيئايزيفلأ

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