RÉSUMÉ ABSTRACT اييهذاختإ نكمملا نم ةيييرظن تاؤييبنت لييثمت يف ايينجئاتنف مويلاغلا ديرتنل ةبسنلاب امأ .ماظنلا اذهب ةقلعتملا تايطعملل ريبكلا صقنلا ىلإ رظنلاب كلذو تايعأجرمك .ةدوأجوملا تايطعملا عم ضرم قفاوت Sc Ga N ةلصوملا هبش قاطن يف مويدناكس زيكرت لأجل تي

صخلم

ةييياثلثلا كئابييسلل ةيئوييضلا صئاصخلا و ةينورتكللا ةينبلل ةيرظن ةسارد ثحبلا اذه يف مدقن Sc

Ga

N

ةلصوملا هبش قاطن يف مويدناكس زيكرت لأجل تيريلافسلا روط يف

] 0 يي،

1 ةييقيرط ىلع انتاباسح تدمتعا دق و .[

ةييقاطلا تاباييصع عاييستا ضرييع تاباييسحلا تلوايينت . يبيييكرتلا بارطيياضلا رياثأييت لييهاجت عييم بذاييكلا نوييمكلا ىلإ تاوييجفلا و تايينورتكلل ةييلاعفلا لييتكلا و ةييينويلا لييماعم و يرظايينتللا لصافلا و ةرشابملا ريغو ةرشابملا لييصحتملا جئاييتنلا نإ .ةياضرعلا ةلاعفلا ةنحشلا عم رتاوتلا يلاع و ينوكسلا لزعلا يتبااث و ساكعنلا ةنيرق بناأج مويلاييغلا و مويدناكييسلا ديييرتنل ةييياثلثلا كئابييسلل اييهيلع Sc

Ga

N

اييهذاختإ نكمملا نم ةيييرظن تاؤييبنت لييثمت

يف ايينجئاتنف مويلاغلا ديرتنل ةبسنلاب امأ .ماظنلا اذهب ةقلعتملا تايطعملل ريبكلا صقنلا ىلإ رظنلاب كلذو تايعأجرمك .ةدوأجوملا تايطعملا عم ضرم قفاوت

ABSTRACT

We present a theoretical study of the electronic structure and optical properties of zincblende ScxGa1–xN semiconducting ternary alloys for scandium contents in [0, 1]. Our calculations are based on the pseudopotential scheme disregarding the effect of the compositional disorder. The direct and both indirect energy band gaps, the antisymetric gap, the ionicity factor, the effective masses of electrons and heavy holes, the refractive index, the static and high-frequency dielectric constants, the transverse effective charge are all addressed. The obtained results for ScxGa1-xN ternary alloys are in general predictions and may serve as a reference regarding the lack of information on this system. As for GaN , our results are in satisfactory accordance with the available data.

RÉSUMÉ

Nous présentons une étude théorique de la structure électronique et des propriétés optiques du ScxGa1–xN dans la phase zincblende pour des concentration de Sc dans l’intervalle [0, 1]. Nos calculs sont basés sur la methode de pseudopotentiel sans tenir compte de l'effet du désordre compositionnel. Les gaps direct et indirect de la bande d'énergie, le gap antisymétrique, le facteur d'ionicité, les masses effectives des électrons et des trous lourds, l'indice de réfraction, les constantes diélectriques statique et haute fréquence, la charge effective transverse sont touts examinés. Les résultats obtenus pour les alliages ternaires du ScxGa1–xN sont généralement des prédictions et peuvent servir de référence en vu du manque d'information sur ce système. Pour le GaN, nos résultats sont en accord satisfaisant avec les données disponibles.

iii