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Ka-band low noise amplifiers based on InAlN/GaN technologies

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Academic year: 2021

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Fig. 1.  Noise  parameters  F min ,  R n   and  Γ opt   (magnitude  and  argument)  and  associated  gain  G a   versus  frequency  (8-40  GHz)
Fig. 6.  Layout  of  the  MMIC  Ka-band  Low-Noise  Amplifier  (3-stages  version #B with distributed matching networks; InAlN/GaN MOS-HEMT are  biased at V DS =6V and I DS =20mA)
Fig. 8.  State-of-the  art  in  GaN  LNA  technologies,  references  are  largely  inspired  by  [3]

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