REGIME SINUSOIDAL: retour de vacances...
Tensions et courants sinusoïdaux
Nombres complexes associés
Loi des mailles en régime sinusoïdal
Loi des nœuds en régime sinusoïdal
Les dipôles élémentaires en régime sinusoïdal
La résistance
L'inductance
La capacité
Association RLC série
Association RLC parallèle
TENSIONS ET COURANTS SINUSOIDAUX
Valeur efficace (en Volt).
Pulsation (en radian par seconde).
ω = 2πf où f est la fréquence (en Hertz)
Valeur maximale (en Volt) : Û = U .
2 Phase à l'origine (en radian)u t = U 2 ∙ sin ω t θ
TENSIONS ET COURANTS SINUSOIDAUX
Exemple :
NOMBRE COMPLEXE ASSOCIE
Forme trigonométrique :
Nombre complexe correspondant :
Forme cartésienne :
u t = U 2 ∙ sin ω t θ
Axe imaginaire
Axe réel
U U
θ
U ∙cosθ U ∙ sinθ
U = [ U ; θ ]
ReU=U ∙ cosθ ImU=U ∙ sinθ
U = U ∙ cos θ j ∙ U ∙ sin θ
Loi des mailles en régime sinusoïdal
u
1u
2u
3u
U
1 U
2 U
3= U
Exemple :
u
1 t =3 2∙ sin
ω∙ t − 2
u
2 t = 5 2∙ sin ω ∙ t
u
3 t = 4 2 ∙ sin
ω∙ t 5 6
⇒
⇒
⇒
U
1= [ 3; −
2 ] = 3 ∙ cos −
2
j∙ 3∙ sin −
2 = −
j∙ 3 U
2= [ 5 ;0 ] = 5∙ cos 0
j∙ 5 ∙ sin 0 = 5
U
3= [ 4; 5∙
6 ] = 4 ∙ cos 5 ∙
6
j∙ 4 ∙ sin 5∙
6 = − 3,46
j∙2
Re
Img
U = U
1U
2U
3= −
j∙ 35 −3,46
j∙2 = 1,54 −
j∙1
U
∣U∣ =
1,54²1² = 1,83et
ArgU = arctan1,54−1 [] = −6U = [ 1,83; −
6 ] ⇒ u t = 1,83 2 ∙ sin ω ∙ t − 6
Loi des nœuds en régime sinusoïdal
i
4i
2i
1i
3A vous de jouer !
i1t=0,25
2 ∙ sinω∙ t− 2 i2t=0,1
2∙ sinω∙ ti3t=0,2
2 ∙ sinω∙ t 6 I
1 I
4= I
2 I
3Trouver i
4(t)
LES DIPÔLES PASSIFS ELEMENTAIRES
Le résistor
Il est caractérisé par sa résistance R qui s'exprime en Ohm (Ω)
I
U
U = R I
La bobine
Elle est caractérisée par son inductance L qui s'exprime en Henry (H)
i
u
u=Ldi dt
Le condensateur
Il est caractérisé par sa capacité C qui s'exprime en Farad (F)
i
u
i=Cdu dt
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
10
8
6
4
2 0 2 4 6 8 10
u(t) (V) i(t) (mA)
temps en millisecondes
i(t) u(t)
LE RESISTOR
U=R I I=1
R U ZR=[R ;0]=R
YR=[ 1
R ;0]=1 R
si i=I
2 sinωtθI alors u=RI
2 sinωtθIL'intensité du courant « i » qui le traverse est toujours en phase avec la tension « u » qui lui est appliquée.
I
U
Impédance et
admitance complexe :
Loi d'Ohm avec les complexes :
100 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
8
6
4
2 0 2 4 6 8 10
u(t) (V) i(t) (mA)
i(t) u(t)
LA BOBINE
si i=I
2 sinωtθI alors u=LωI
2 sinωtθIπ2 L'intensité du courant « i » qui la traverse est toujours
en retard d'un quart de période sur la tension « u ».
i
u
Impédance et
admitance complexe : ZL=[Lω;π
2 ]= j Lω YL=[ 1
Lω ;−π
2 ]= 1 jLω
Loi d'Ohm avec les complexes :
U= jL ωI I= 1
jL ω U
Comportement du dipôle
aux basses fréquences :
aux hautes fréquences :
10
8
6
4
2 0 2 4 6 8 10
u(t) (V) i(t) (mA)
i(t)
u(t)
LE CONDENSATEUR
Comportement du dipôle
aux basses fréquences :
aux hautes fréquences :
L'intensité du courant « i » qui le traverse est toujours en avance d'un quart de période sur la tension « u ».
i
u
si i=I
2 sinωtθI alors u= ICω
2 sinωtθI−π 2Impédance et
admitance complexe : ZC=[ 1
C ω ;−π
2 ]= 1 jC ω YC=[C ω;π
2 ]= jCω
Loi d'Ohm avec les complexes :
U= 1 jC ω I I= jC ωU
ASSOCIATION « RLC » SERIE
Quand les dipôles sont en série on peut appliquer la loi d'additivité des tensions les tensions complexes.
i
uR R
uL L
uC C
u
ZR = R ZL = jLω ZC = 1/ jCω
Quand les dipôles sont en série leurs impédances complexes s’ajoutent pour donner l’impédance complexe de l’association.
Z
=
R
j
L ω−
1 C ω
∣
Z∣ =
Z= R2
L ω−
1C ω
2
φ
=
Arg
Z⇒
tg
φ=
L ω− 1 Cω
R⇒
U=URULUC
Z = ZR + ZL + ZC
ASSOCIATION « RLC » PARALLELE
Quand les dipôles sont en série leurs admittances complexes s’ajoutent pour donner l’admittance
complexe de l’association.
⇒
Quand les dipôles sont en parallèle on peut appliquer la loi d'Ohm avec les tensions complexes.
I=IRILIC
i
iR R iL L
iC C
u
Z
=
1[
1R
j
C ω−
1 L ω]
Y = YR + YL + YC Z
=
1 R1
2
C ω−
L1ω
2
φ=tg−1
1Lω