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Conception testable de circuits intégrés complexes à très haut niveau

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Academic year: 2021

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Figure 1.1 – Représentation de la loi de Moore avec l’exemple des µP d’Intel [25].
Figure 1.2 – Extrait de l’ITRS 2008 présentant les objectifs dimensionnels de plusieurs architectures CMOS : Mémoire DRAM, Mémoire Flash
Figure 1.3 – Différents types de test.
Figure 1.6 – Exemple d’implémentation d’une cellule BS. obligatoires (TDI, TDO, TMS et TCK) et d’un signal optionnel TRST ;
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