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Fabrication de transistors mono-électroniques en silicium pour le traitement classique et quantique de l'information : une approche nanodamascène

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Academic year: 2021

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Figure  1.  a)  Évolution temporelle de la densité de puissance des processeurs,  b)  Éner­
Figure  2.  Évolution du nombre de transistors, de la vitesse d ’horloge et de la puissance  des  processeurs  Intel  au cours  des  années
Figure 4.  Représentation schématique de la caractéristique IV d ’un SET. a)  Le courant  dans  le  dispositif  est  bloqué,  sauf  pour  certaines  valeurs  périodiques  du  potentiel  de  grille Vq-  b)  Diagramme de stabilité
Figure  5.  Dispositifs mono-électroniques  (SEDs).  a)  Mémoire à un électron,  b)  Cellule  unitaire  à  quatre  îlots  d ’un  autom ate  cellulaire  quantique  (QCA).
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