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Fiabilité des dispositifs HEMT en technologie GaN

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Academic year: 2021

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Figure 1-3 : diagrammes des bandes des matériaux AlGaN dopé n et GaN non dopé.
Figure 1-7 : courant de grille par effet tunnel en fonction de l’épaisseur de la barrière pour des transistors HEMT InlAs/GaInAs [20]
Figure 1-8: valeur expérimentale de N S en fonction de la fraction molaire
Figure 1-10 : représentation des deux polarités différentes d’une structure GaN : a) Ga-face, b) N-face [21]
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Contacts ohmiques et contacts Schottky Piézoélectricité et polarisation spontanée Méthodes de vieillissement Mécanismes de dégradation Spectroscopie transitoire de centres profonds Dispositif expérimental Etude des phénomènes de lag Etude de Richardson Banc de mesure de bruit BF banc de mesure DLTS

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