• Aucun résultat trouvé

Propriétés structurales, élastiques et optiques de semiconducteurs à grand gap : Les composés B-V, les alliages Zn x Cd 1-x Se et ZnSe 1-x Te x , le β-SiC

N/A
N/A
Info
Télécharger
Protected

Academic year: 2021

Partager "Propriétés structurales, élastiques et optiques de semiconducteurs à grand gap : Les composés B-V, les alliages Zn x Cd 1-x Se et ZnSe 1-x Te x , le β-SiC"

Copied!
155
0
0

Chargement.... (Voir le texte intégral maintenant)

Texte intégral

Figure

Fig. 1.1. Energie des gaps, nature du gap (direct ou indirect), exemple d’alliage, et la structure cristalline de semiconducteurs à grand gap, à T=300 K
Tableau 1.1. Propriétés physiques des trois principaux polytypes de SiC comparées à celles du silicium ou du diamant
Fig. 2.1. Pseudisation des fonctions d’onde des électrons de valence et du potentiel (Illustration tirée de la référence [10])
Fig. 2.2. Schéma de principe pour la détermination de l’état fondamental géométrique d’un système
+7

Références

Télécharger maintenant ( PDF - 155 Page - 4.64 MB )

Outline

La diffusion Brillouin : présentation et définition des différentes géométries Les couches et multicouches La dynamique du réseau et les propriétés diélectriques Les constantes photoélastiques du  SiC

Documents relatifs

L’effet de la pression sur les propriétés électroniques et optiques des composés LiMgX (X=N, P, As)

Nous présentons les résultats d’une étude de premiers principes de l’effet de la pression hydrostatique sur les propriétés électroniques et optiques des composés

Contribution à l’étude des propriétés structurales, électroniques, élastiques, thermodynamiques et optiques des alliages EuFe4Sb12, Co2XSi(X=Mn, Fe) et Co2Fe0.5Mn0.5Si par la méthode de premier principe.

Comme la plupart des méthodes de calcul des structures de bandes, la méthode des ondes planes augmentées APW est une procédure destinée à résoudre les équations de KS