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Traitements de passivation des surfaces de l'arséniure de gallium et impact sur les propriétés électro-optiques de ce matériau

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Academic year: 2021

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Figure 2.4 Schéma d'un transistor MESFET avec le canal de conduction ouvert (gauche) et fermé (droite).
Figure 2.6 Résultats typiques de mesures C-V d'un dispositif sur substrat de type N dans des conditions où le niveau de Fermi est xé (rouge) et non xé (noir) en milieu de gap à l'interface semiconducteur-isolant
Figure 3.3 Schéma du montage de PLRT avec détection par "up-conversion"
Figure 3.4 Schéma du montage de réectivité diérentielle résolue en temps.
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