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Methodologie de conception des protections des circuits intégrés contre les décharges électostatiques

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Academic year: 2021

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Figure I.2 : Circuit électrique équivalent et forme d'onde d'un stress MM
Figure II.3 : Différences de profils verticaux (a) et latéraux (b) entre la simulation de procédé  technologique et la description analytique
Figure II.4 : Mesures et simulations de résistance par carrée   en fonction de la température [S TRI 01]
Figure II.5 : Exemple de mesure et simulation calibrée du gain en courant d'un transistor  bipolaire
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