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Stress transfer in ultimate transistors through SiN deposits: study by electron holography and finite element modelling

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Academic year: 2021

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Délivré par l'Université Toulouse III - Paul Sabatier Discipline ou spécialité : Physique de la Matière

JURY

Dr. François Rieutord (Rapporteur) Dr. Frank Fournel (Examinateur) Prof. Marc Respaud (Examinateur) Prof. Vincent Paillard (Examinateur) Dr. Jean-Luc Rouviere (Examinateur) Dr. Alain Claverie (Directeur de thèse) Dr. Daniel Bensahel (Co-directeur de thèse)

Ecole doctorale : Science de la Matière Unité de recherche : CEMES/CNRS UPR 8011

Directeur(s) de Thèse : Dr. Alain Claverie - Dr. Daniel Bensahel Rapporteurs : Prof. Jérôme Colin - Dr. François Rieutord

Thèse preparée au sein du Centre d'Elaboration de Matériaux et d'Etudes Structurales avec financement CIFRE CNRS / STMicroelectronics (Crolles)

Présentée et soutenue par

Patrizio Benzo

Le

21 Mai 2013

Titre :

Stress transfer in ultimate transistors through SiN deposits:

Study by electron holography and finite element modelling

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