• Aucun résultat trouvé

Stress transfer in ultimate transistors through SiN deposits: study by electron holography and finite element modelling

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

Partager "Stress transfer in ultimate transistors through SiN deposits: study by electron holography and finite element modelling"

Copied!
1
0
0

Texte intégral

(1)

T

T

H

H

È

È

S

S

E

E

En vue de l'obtention du

D

D

O

O

C

C

T

T

O

O

R

R

A

A

T

T

D

D

E

E

L

L

U

U

N

N

I

I

V

V

E

E

R

R

S

S

I

I

T

T

É

É

D

D

E

E

T

T

O

O

U

U

L

L

O

O

U

U

S

S

E

E

Délivré par l'Université Toulouse III - Paul Sabatier Discipline ou spécialité : Physique de la Matière

JURY

Dr. François Rieutord (Rapporteur) Dr. Frank Fournel (Examinateur) Prof. Marc Respaud (Examinateur) Prof. Vincent Paillard (Examinateur) Dr. Jean-Luc Rouviere (Examinateur) Dr. Alain Claverie (Directeur de thèse) Dr. Daniel Bensahel (Co-directeur de thèse)

Ecole doctorale : Science de la Matière Unité de recherche : CEMES/CNRS UPR 8011

Directeur(s) de Thèse : Dr. Alain Claverie - Dr. Daniel Bensahel Rapporteurs : Prof. Jérôme Colin - Dr. François Rieutord

Thèse preparée au sein du Centre d'Elaboration de Matériaux et d'Etudes Structurales avec financement CIFRE CNRS / STMicroelectronics (Crolles)

Présentée et soutenue par

Patrizio Benzo

Le

21 Mai 2013

Titre :

Stress transfer in ultimate transistors through SiN deposits:

Study by electron holography and finite element modelling

Références

Documents relatifs