Evaluation de la température des composants actifs de puissance
Texte intégral
Figure
![Figure 2 – Distribution de la température en °C relevée dans l’épaisseur d’une diode PiN de puissance par spectroscopie µ-Raman en régime de conduction (d’après [3]) – 250 – 200 – 150 – 100 – 50 0 X [µm]Y [µm]100Fil aluminiumDiode PiN SiBrasureA8020 µm](https://thumb-eu.123doks.com/thumbv2/123doknet/3054662.86191/5.892.51.847.719.1048/distribution-température-épaisseur-puissance-spectroscopie-conduction-aluminiumdiode-sibrasurea.webp)
![Figure 3 – Mesure infrarouge de la température en surface d’une puce IGBT corrélée à la présence d’un défaut dans la brasure localisé entre la puce et le substrat Défaut brasure Défaut brasure Température [°C]Température [°C] 17016015014013017016016515](https://thumb-eu.123doks.com/thumbv2/123doknet/3054662.86191/6.892.49.860.140.804/infrarouge-température-corrélée-présence-localisé-substrat-température-température.webp)
![Figure 6 – Mesure de température par PETS avec faible auto-échauffementTemps TempsTempsTemps[A][V]Puissance dissipéeTempérature245 10 2050100Temps [µs]200 Signal brut ΔT jdonnées à fitter regression linéaire 40022201816Tj [°C]1412100](https://thumb-eu.123doks.com/thumbv2/123doknet/3054662.86191/10.892.43.810.153.880/température-échauffementtemps-tempstempstemps-puissance-dissipéetempérature-jdonnées-regression-linéaire.webp)
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