Croissance de matériaux et structures semiconductrices appliqués aux cellules photovoltaïques à très haute concentration par épitaxie par jets chimiques.
Texte intégral
Figure
Documents relatifs
Ces caractéristiques stabilisées nous permettent d’étudier en détail l’effet d’un champ magnétique B//J sur le courant vallée de ces dispositifs, où
2014 A theory is developed for the electric field emission of electrons from deep levels in GaAs taking.. into account quantum mechanical tunneling and electron phonon
L’archive ouverte pluridisciplinaire HAL, est destinée au dépôt et à la diffusion de documents scientifiques de niveau recherche, publiés ou non, émanant des
In this paper, two examples of Band gap engineering applied to avalanche transit time devices (IMPATT) shows the capability to increase the conversion efficiency
Nous averts synthAtisA par pulv4risation rAactive des couches minces de a-GaASN amorphe sur des substrats monocristallins de GaAs..
From the LF drain noise behaviour versus gate and drain biases and temperature (90K to 300K), pseudomorphic devices are found to present lower drain current noise and less
2014 Nous montrons que les dérives à long terme observées sur des MESFETs GaAs de puissance, protégés avec une couche de SiO2, sont dues à une dégradation
L’existence d’un niveau de bruit Basse Fréquence (B.F.) élevé dans les composants à effet de champ.. GaAs a toujours constitué une limitation sérieuse à