Etude des matériaux semi-conducteurs III-V Application à la conversion photovoltaïque
Texte intégral
Figure
Documents relatifs
Dans le présent chapitre, nous allons expliquer le phénomène d’oscillation, la théorie de perturbation avec laquelle nous avons calculé la permittivité complexe et enfin, nous
Nous avons optimisé le traitement de surface et le dépôt de diélectrique sur de l’InGaAs et non sur du GaAs car l’InGaAs nous intéresse particulièrement comme canal du
Figure V.11 : Caractéristiques capacité -tension simulées pour des états d’interface de la couche d’oxyde de GaAs et de la couche de GaN et la courbe expérimentale de
Le diagramme de bande énergétique tracé indique que le premier semiconducteur (l’InN) est en accumulation et le deuxième semiconducteur (l’InP) est en désertion. Nous avons
L’optimisation des grandeurs de sortie (courant de court-circuit, tension de circuit ouvert, facteur de forme et rendement de conversion) ainsi que la réponse spectrale
Pour limiter au maximum le nombre de modules photovoltaïques et égalelrent la puissance du groupe frigorifique nous avons opté pour une enceinte "super isolée". L-épaisseur
Dans cette thèse, nous avons étudié les propriétés structurales, vibrationnelles, ther- modynamiques et transition de phase des composés SrX (X=S, Se, Te et O) dans les deux phases
Nous avons étudié l’effet des différentes conditions de dépôt (temps et température de dépôt et flux de gaz porteur) sur les propriétés structurales, électriques et optiques