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Critères d’optimisation et C.A.O des circuits hyperfréquences à large bande

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Academic year: 2021

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Figure

Fig. 1 : Schéma électrique équivalent en ondes centimétriques d’un FET.
Fig. 12 : Caractéristiques statistiques I d (V gs , V ds ) d’un transistor à effet de champ avec : V gs6 > 0 V gs5 > V gs4 > V gs3 > V gs2 > V gs1 .
Fig. 14 : Schéma électrique équivalent d’un transistor HBT.
Fig. - 21 - -a) La topologie des éléments.
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