Étude des propriétés électroniques des états fondamentaux aux facteurs de remplissage entiers dans la bicouche de graphène

Nos calculs ab initio ont r´ev´el´e des comportements parall`eles entre les deux syst`emes, comme par exemple pour le premier plan de C qui fait office dans les deux cas de plan

In chapter 6, we take advantage of the extremely low doping level in suspended graphene (which we have demonstrated in chapter 5), and study the Raman spectra of a pressurized

L'amplitude du désordre est évaluée dans ces monocouches de graphène en : (i) ajustant la courbe de résistivité en fonction du coecient de Hall obtenue à température ambiante ;

Les caractères généraux du Flysch noir albo-cénomanien et du rift nord-pyrénéen qui sont rappelés en introduction du livret-guide, les observations effectuées sur

Nous venons de voir que le graphène formé sur un monocristal de SiC préserve la structure électronique du graphène idéal, même pour des multicouches, quand la croissance

Dans cette th` ese nous allons pr´ esenter nos r´ esultats sur les diff´ erentes solutions pour le gaz d’´ electrons dans une bicouche de graph` ene sous fort champ magn´ etique

Dans le cas d’un domaine à coin Ω et pour un champ magnétique qui ne s’annule pas, le premier terme de l’asymptotique de la plus petite valeur propre est de l’ordre de h,

En présence d'un champ magnétique, le spectre des niveaux de Landau du gra- phène tri-couche ABA peut être vu comme la superposition du spectre correspondant à la bande de